面向表面微加工工艺的微器件设计框架的研究

本文以微器件设计为对象，对微硅表面制造驱动的微器件并行设计方法学及相应的计算机辅助设计工具的开发逻辑进行了研究，提出了采用基于三层Web-ASP集成框架实现e-CAD原型工具的编程方案，其中，并行任务流管理与控制，微器件实例及设计资源库，微加工工艺规划及仿真，微器件设计评价等是该系统实现的关键要素，在此基础上将建立网上微器件设计中心，并通过应用服务机制，实现对微器件设计工具使用的商务化，以达到降低设计成本，加快MEMS产业化之目的。     

甲醇氧化羰化制碳酸二甲酯产物气相色谱分析

以Chromosorb 10 1为固定相 ,气相色谱法分析甲醇氧化羰化制碳酸二甲酯产物中水、甲醇、乙酸甲酯和碳酸二甲酯等组份的含量 ,考察了柱温 ,载气流量对分离度的影响 ,确定了适宜的分析条件 ,并用校正面积归一化法定量。该方法操作简便 ,快速 ,精度高 ,重现性好     

新疆伊犁托海水电站拱坝坝体变形监测分析

根据托海拱坝5号坝段、7号坝段例垂线实测资料分析，说明了新疆寒冷地区坝体采取聚胺脂喷涂施工措施后对坝体变形的影响，以及右坝肩渗漏对右坝肩岩体的影响，分析结果为托海水电站通过国家电力公司大坝安全监察中心大坝安全首次定检提供了科学依据。     

MEMS移相器及其在微型通信系统中的应用

从传统移相器的构造和原理出发，进一步分析了MEMS移相器的结构、特性。结果表明，MEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。随着高阻硅衬底在微波领域应用的扩展，MEMS移相器介质损耗大幅度降低，将能与信号处理电路一同集成于硅衬底上，便于相控阵雷达等通信系统实现微小型化。     

直接氯化法合成对硝基氯化苄

介绍了以对硝基甲苯和氯气为原料 ,在催化剂存在下合成对硝基氯化苄的方法 ,考察了催化剂种类、反应温度、溶剂配比等因素对反应的影响 ,优化的反应条件为 :对硝基甲苯用量 1 3 7g,对硝基甲苯 /邻二氯苯 (摩尔比 ) =1∶ 0 .6,w (偶氮二异丁腈 ) =0 .6% ,反应时间 3 h,反应温度 1 60℃ ,产物单程收率大于 65 % ;将反应混合物中未反应的原料分离后 ,以无水乙醇为溶剂结晶纯化 ,物料 /溶剂 (摩尔比 ) =1∶ 1 .5时晶体含量在 99.0 %以上 ,结晶收率达 67     

The Athy—Heckel equation applied to granular agglomerates of basic tricalcium phosphate [3Ca3PO4)2·Ca(OH)2]

It is shown that direct compression grade tricalcium phosphate yields linear Heckel plots only if the particle density used is that obtained by liquid pycnometry or mercury porosimetry. If the true density is used (i.e. that obtained by gas displacement), then linearization is not obtained in a pressure range where bonding evidently occurs. It is shown that the pore volume in the range of diameters from 0.5 to 2 μm decreases as tableting pressure increases, and that bonding is associated with the loss of pores of this size.     

模糊数学识别火山岩岩性

针对火岩地层岩性识别成功率低的状况，应用模糊数学原理，建立模糊数学识别火山岩岩性模式，识别和划分火山岩地层岩性，以便进一步深入研究火山岩油气藏储层，选择8个反映火山岩岩性测井参数，确定阈值；利用所建立的火山岩岩性识别模式，对火山岩岩性进行分类；依据最大隶属原则，识别火山岩岩性，应用实地研究资料，识别10种火山岩岩性，并与岩心鉴定统计分析结果对比，一致性达85％。表明该方法识别火山岩岩性精度较高，在地质上具有很好的应用前景。     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively     

轧机主传动万向联轴器辊端接头结构探讨

分析了衬板槽平面与叉头十字轴孔轴线的相对位置对辊端接头应力的影响 ,研究了轧辊扁头与衬板之间间隙所产生的冲击和应力集中 ,讨论了辊端接头中部过渡段结构对应力分布和制造质量的影响。提出辊端接头结构设计的优化方案