全文获取类型
收费全文 | 10621篇 |
免费 | 802篇 |
国内免费 | 459篇 |
专业分类
电工技术 | 526篇 |
技术理论 | 1篇 |
综合类 | 791篇 |
化学工业 | 1835篇 |
金属工艺 | 656篇 |
机械仪表 | 656篇 |
建筑科学 | 848篇 |
矿业工程 | 317篇 |
能源动力 | 247篇 |
轻工业 | 664篇 |
水利工程 | 194篇 |
石油天然气 | 771篇 |
武器工业 | 161篇 |
无线电 | 1115篇 |
一般工业技术 | 1178篇 |
冶金工业 | 490篇 |
原子能技术 | 106篇 |
自动化技术 | 1326篇 |
出版年
2024年 | 60篇 |
2023年 | 192篇 |
2022年 | 289篇 |
2021年 | 414篇 |
2020年 | 303篇 |
2019年 | 268篇 |
2018年 | 290篇 |
2017年 | 342篇 |
2016年 | 288篇 |
2015年 | 405篇 |
2014年 | 490篇 |
2013年 | 588篇 |
2012年 | 624篇 |
2011年 | 718篇 |
2010年 | 561篇 |
2009年 | 532篇 |
2008年 | 499篇 |
2007年 | 520篇 |
2006年 | 581篇 |
2005年 | 511篇 |
2004年 | 323篇 |
2003年 | 334篇 |
2002年 | 304篇 |
2001年 | 331篇 |
2000年 | 297篇 |
1999年 | 313篇 |
1998年 | 303篇 |
1997年 | 223篇 |
1996年 | 193篇 |
1995年 | 205篇 |
1994年 | 148篇 |
1993年 | 96篇 |
1992年 | 91篇 |
1991年 | 57篇 |
1990年 | 37篇 |
1989年 | 35篇 |
1988年 | 35篇 |
1987年 | 26篇 |
1986年 | 15篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 8篇 |
1983年 | 9篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 6篇 |
1979年 | 1篇 |
1972年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
71.
介绍了Transputer的特性,着重论述建立多Transputer拓朴互连网络的一般方法,讨论了在多Transputer并行处理网络上实现流水线操作,并给出实例. 相似文献
72.
Guan L. Christou A. Halkias G. Barbe D.F. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1995,42(4):612-617
A model for the calculation of the current-voltage characteristics of strained In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs on InP substrate High Electron Mobility Transistors (HEMT's), based on a variational charge control model, is presented. A polynomial fit of the two-dimensional electron gas (2DEG) density is used for the calculation of the current-voltage characteristics. The effect of strain is introduced into the 2DEG density versus gate voltage relation. Very good agreement between the calculated and measured I-V characteristics was obtained. In addition, our results show that, for an indium mole fraction of the InxGa1-xAs channel in the range 0.53-0.60, increasing the indium mole fraction lowers the threshold voltage and hence increases the drain current at the same gate bias 相似文献
73.
本文叙述了使用C-dBASEⅢ软件在Hercules微机上,编制用于InSb光伏型红外探测器研制和生产的工艺数据库,以及具有查询、打印、维护等功能的文件管理程序。运用表明,实施计算机管理可大大提高工作效率。 相似文献
74.
本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。 相似文献
76.
为了准确表征破片弹道,基于质点弹道方程和经典破片阻力公式建立了破片运动方程,对典型工况的钢破片和钨破片外弹道特性进行了计算分析。结果表明破片最大射程对应的射角约为21°; 随着破片初始射角的增大,破片落地动能先急剧减小,在约10°射角后又缓慢增加。采用抛物线和射线2种形式的计算方法分析了典型破片在不同初始射角条件下的落地动能和最大射程,该方法对破片最大杀伤半径、破片的毁伤效能评估、杀爆战斗部动静爆试验靶场布置位置的合理性和弹药储存安全距离的判断等方面具有一定参考价值。 相似文献
77.
针对飞行器在热分离过程中及分离后飞行的恶劣热环境条件下,提出了敞口式舱内设备热防护设计方法.通过对设备进行穿戴式结构设计获取各种异型设备的通用化设计方法,针对接触面的热量转移问题提出面积热阻计算公式,有效解决了非金属材料的热环境适应性问题,根据地面石英灯考核试验获得了设备的热防护效果,并基于此开展了与传统热防护材料的性... 相似文献
78.
从理论上分析了180元HgCdTe线列器件的冷屏效应,计算了180元HgCdTe线列探测器每个光敏元所对应的平面视场角(FOV)及其在300K背景辐射下的背景限探测率,并将实际的180元HgCdTe线列探测器件每个光敏元的性能同理论进行了比较,结果表明180元长波红外HgCdTe线列探测器的性能已经接近室温背景的理论极限. 相似文献
79.
80.
葡萄糖水溶液分散物系悬浮聚合法制备微米级单分散交联聚苯乙烯微球 总被引:8,自引:1,他引:8
采用葡萄糖水溶液为分散介质,加入稳定剂聚乙烯醇,经悬浮聚合法合成了微米级单分散交联聚苯乙烯微球,考察了葡萄糖含量、苯乙烯用量、引发剂用量、稳定剂用量和交联剂用量对微米级单分散交联聚苯乙烯微球粒径大小及其分布的影响。实验结果表明,最佳的悬浮聚合条件为:葡萄糖水溶液中葡萄糖的质量分数为7%~8%、苯乙烯占单体的质量分数为25%~28%、交联剂二乙烯苯占单体的质量分数为0.4%、引发剂偶氮二异丁腈占单体的质量分数为1.0%、稳定剂聚乙烯醇占单体的质量分数为4%、温度为79℃、时间为10h;在此条件下制备的微米级单分散交联聚苯乙烯微球平均直径为10~20μm,分散系数为0.020~0.046。光学显微镜观察结果表明,合成的微米级单分散交联聚苯乙烯微球的形状好。 相似文献