终端对业务和运营商的影响

详细分析了终端对话音业务和新业务的影响。在分析终端对话音业务的影响时从用户和终端两方面进行了阐述，指明为了进一步提高用户敷和砖络的使用率，运营商在进行话音营销对应逐渐将工作重点适当转向农村市场。也从对个人和行业用户的影响两方面阐明了终端对新业务的影响。     

牛头山水电站混凝土双曲拱坝设计和水库提前蓄水研究

牛头山水电站大坝为抛物线形混凝土双曲拱坝,最大坝高108.0 m,采用坝顶5孔开敞式溢洪道泄洪,挑流消能。为提前发挥水电站效益,在拱坝尚未完全封拱的情况下,通过计算分析,得出了水库可以下闸蓄水的结论。     

下一代无线通信概念和技术

下一代无线通信(NextG:Next-generationwireless)的主流是随时随地的无线通信系统和无缝的高质量无线业务。概述了随时随地的无线通信和业务发展情况,并且介绍了为下一代无线通信的发展提供基础的关键技术。     

重复压裂气井产能模拟研究

由于重复压裂气井原有裂缝的失效程度难以评价。导致重复压裂气井的产能预测常常有很大的误差。为此，根据重复压裂气井的压前产量和舍水率，拟合了原有裂缝的有效率，在考虑新裂缝和原有裂缝共同作用的情况下，建立了气、水两相平面二维的裂缝-油藏数学模型，通过对模型的数值求解，对重复压裂气井进行了产能评价。研究表明，在考虑新、老裂缝共同作用下的产能评价方法，能更为准确地预测重复压裂后的生产动态情况，对压裂时机的确定、压后经济效益的预测都具有重要的指导意义。     

塔里木盆地雅—轮地区断层封堵性研究

塔里木盆地雅—轮地区大部分圈闭及油气藏的形成与断裂作用密切相关,对断层封堵性的综合研究已成为该地区油气勘探的重要因素。应用地质定性分析、Allen剖面分析及断层涂抹量计算等方法,通过对研究区4个典型断层封堵油气藏的系统解剖研究,建立雅—轮地区断裂封堵性评价标准,对雅—轮地区断层的封堵性进行综合评价。雅—轮地区断层整体封堵效果良好,断层在圈闭形成和油气聚集过程中起着重要的控制作用,形成一系列沿断层带状分布的油气藏。亚南断裂的封堵效果东部要优于西部,下部要优于上部。轮台断裂在不同部位、不同深度均存在着不同的封堵性能,封堵非均质性明显,总体显示断裂东部地区(也根附近)的封堵性要好于西部雅南地区。      

一种用于三电平逆变器的SVPWM调制方法研究

本文从二极管箝位型三电平逆变器的基本结构出发，分析其输出状态，推导出六角形空间电压矢量图。然后从一种改进的，可以减小开关损耗，避免高的dv／dt三电平空间矢量PWM调制策略出发，建立了基于Matlab的详细仿真方案，验证了方案的可行性。文章给出了扇区判断的算法流程图，脉冲生成模块的内部结构图，其中的扇区判断的算法和脉冲生成方法对于用DSP实现三电平SVPWM具有重要的参考价值。     

聚丙烯酰胺/氧化石墨纳米复合材料的研究

氧化石墨具有良好的层状结构，其层间具有丰富的官能团，能与有机聚合物形成插层纳米复合材料进而改善材料的性能．采用层离吸收-原位聚合法制备了聚丙烯酰胺／氧化石墨纳米复合材料，并采用XRD、HREM及DSC等对其结构和性能进行了表征。结果表明，聚丙烯酰胺与氧化石墨两者之间存在着较强的相互作用，材料的玻璃化转变温度得到提高，层离吸收-原位聚合法是获得聚丙烯酰胺／氧化石墨层纳米复合材料的有效途径，聚丙烯酰胺在氧化石墨中存在着多种排列方式，不同层间距(1．6nm和2．8nm)的聚丙烯酰胺／氧化石墨纳米复合结构同时存在。     

二氧化锡溅射工艺研究

SnO2 是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料 ,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点。在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上 ,着重介绍了SnO2 膜的制备流程 ,分析了功率和温度变化对成膜质量的影响     

Enhanced thermal stability of a sputtered titanium-nitride film as a diffusion barrier for capacitor-bottom electrodes

The effect of a thin RuO_x layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuO_x/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuO_x/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no formation of a thin RuO_x layer at the RuO_x surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film by pre-annealing leads to the formation of a thin RuO_x layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity of diffusion paths. In particular, the RuO_x layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO₂-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer. Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the RuO_x/TiN/poly-Si/Si contact system.