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Web服务在信用信息工程中的应用 总被引:2,自引:2,他引:0
目前的社会信用信息工程中,许多的政府部门都建立了自己的信用信息数据库,但在政府各级部门数据库之间进行数据交流和共享存在着许多的问题,在许多地方,数据共享还是一片空白。Web服务技术是应用程序通过内联网或者因特网发布和利用软件服务的一种标准机制。利用WEB服务可以方便地实现不同系统之间的数据交换和集成。该文提出利用web服务技术来解决信用信息工程中的信息数据共享问题。并在此基础上提出利用WEB服务工作流技术将信用评估整合到电子商务过程,以实现可信用电子商务 相似文献
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机械合金化过程中Fe70B30粉末晶粒尺寸和微观应变的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用X射线和电镜研究了Fe_(70)B_(30)粉末经不同时间高能球磨后晶粒尺寸和微观应力的变化。在机械合金化过程中,粉末的X射线衍射谱的宽度随球磨时间的增加逐渐加宽,这是晶粒细化和内部微观应力共同作用的结果。X射线衍射结果表明:随着机械合金化的进行,粉末的晶粒尺寸逐渐减小,球磨初期晶粒尺寸下降较快,经15h球磨,晶粒尺寸为25nm,机械合金化进行到一定时间后晶粒尺寸下降缓慢,80h球磨后晶粒尺寸可达5nm。在机械合金化过程中球磨所造成的微观应变不大,球磨初期粉末的内应力随球磨时间增加而增加,当粉末粒子尺寸很小时,随球磨的进行粉末中的微观应变显著下降。 相似文献
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Ku T.K. Chen S.H. Yang C.D. She N.J. Wang C.C. Chen C.F. Hsieh I.J. Cheng H.C. 《Electron Device Letters, IEEE》1996,17(5):208-210
Undoped and phosphorus (P)-doped diamond-clad Si field emitter arrays have been successfully fabricated using microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) technology. The electron emission from the blunt diamond-clad microtips are much higher than those for the pure Si tips with sharp curvature due to a lower work function. Furthermore, the characteristics of emission current against applied voltage for the P-doped diamond-clad tips show superior emission at lower field to the undoped ones. After the examination of Auger electron spectroscopy (AES) and electrical characteristics of as-grown diamond, such a significant enhancement of the electron emission from the P-doped diamond-clad tips is attributed to a higher electron conductivity and defect densities 相似文献
35.
Wen-Chau Liu Lih-Wen Laih Shiou-Ying Cheng Wen-Lung Chang Wei-Chou Wang Jing-Yuh Chen Po-Hung Lin 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1998,45(2):373-379
In this paper, a new multiple negative-differential-resistance (MNDR) device based on a metal-insulator-semiconductor-insulator-metal (MISIM)-like structure with step-compositional InxGa1-x As quantum wells has been fabricated and demonstrated. The interesting MNDR phenomena are found in the current-voltage (I-V) characteristics of this device. At room temperature, the triple switching behaviours and quadruple stable operation states are obtained. In addition, the sixfold switching behaviors and a staircase-shaped I-V characteristic are observed at -105°C. A sequential carrier accumulation at InGaAs subwells and the potential lowering process are used to qualitatively explain the interesting MNDR phenomena. From the experimental results, it is shown that the studied device has good potential in multiple-valued logic applications 相似文献
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介绍了高可靠电镀Ni/Au工艺在PTFE微波印制电路上的应用,并分析了氨基磺酸盐镀软镍和亚硫酸盐镀软金工艺的影响因素及提高Ni/Au镀层之间附着力的措施。通过实验及应用证明了与直接镀金工艺相比,在软基材PTFE敷铜箔板上镀Ni/Au工艺能大大提高微波电路的可焊性,高温稳定性和长期可靠性,并且用其所制作的微波器件的高频性能也优于直接镀金工业。 相似文献