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41.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
42.
无机阻燃剂高聚合度聚磷酸铵的研制 总被引:9,自引:3,他引:6
以五氧化二磷、磷酸铵盐、尿素为原料、氨气为保护气,制备了高聚合度聚磷酸铵无机阻燃剂。考察了五氧化二磷、磷酸铵盐、尿素的用量和反应温度对聚磷酸铵平均聚合度的影响。采用端基滴定法测定了聚磷酸铵的聚合度,并用X射线衍射(XRD)法表征了聚磷酸铵的晶体结构,同时测定了聚磷酸铵的粒度和溶解度。实验结果表明,制备聚磷酸铵的最佳反应条件为:n(磷酸氢二铵)∶n(五氧化二磷)∶n(尿素)=1∶1∶0.3,反应温度280~300℃,反应时间40m in,热处理温度250~280℃,热处理时间110m in。在此条件下制备的聚磷酸铵的平均聚合度大于600,平均粒径直径小于50μm,在水中的溶解度小于0.4g;XRD表征结果表明,所合成的物质为Ⅱ型聚磷酸铵。 相似文献
43.
44.
45.
46.
A new process for solid phase crystallization (SPC) of amorphous silicon (a-Si) using thin film heater is reported. With this localized Ti silicide thin film heater, we successfully crystallized 500 Å-thick a-Si in a few minutes without any thermal deformation of glass substrate. The size of crystallized silicon grain was abnormally big (30-40 μm). Polycrystalline thin film transistors (TFT) fabricated using this unique thin film heater showed better mobility than those of conventional ones by furnace annealing. 相似文献
47.
48.
49.
本文对微球聚焦测井仪小极板进行研究,利用有限元法计算了小极板的均质及非均质K值,并与实验结果进行了比较,结果表明理论值怀实验值吻合较好,说明了理论计算的正确性,给出了对应于小极板的泥饼校正图版及屏流比曲线,对小极板的推广应用有实用价值。 相似文献
50.
Ki Yong Lee Souhwan Jung 《Electronics letters》1998,34(16):1567-1568
The authors investigate the problem of nonlinear adaptive equalisation in the presence of intersymbol interference, additive white Gaussian noise and co-channel interference. An extended radial basis function (RBF) network is proposed, in which regression weights are used in the output layer and the hidden unit is defined to have the Gaussian formula with the Mahalanobis distance. It is shown by simulation that the proposed structure gives reduced computational complexity without performance degradation, compared to that of the conventional RBF equaliser 相似文献