从明暗恢复形状问题中的一种分形约束方法探讨

本文提出一种由从明暗恢复自然景物表面三维形状的一种表面约束方法.该方法从传统约束条件的分形本质出发,克服了传统表面恢复方法造成恢复结果过分平滑而失真的缺点,并利用最大后验概率方法对物体表面高度函数进行Gibbs随机采样,从而得到待恢复表面三维形状的一个最佳实现.实验结果表明了本文方法的有效性.     

旁瓣对消系统功率倒置自适应算法研究

旁瓣对消技术是雷达中用来抑制旁瓣有源干扰的一种有效手段.文中在介绍旁瓣对消基本原理的基础上,给出了针对二元阵的旁瓣对消功率倒置自适应算法,该算法的核心是使输出功率最小.分析表明采用该算法的旁瓣对消系统可以很好地抑制从旁瓣进入的干扰,具有很好的抗干扰效果.     

双基地雷达目标定位解算误差的分析

针对双基地雷达站心坐标的不同,测量目标的坐标有差异,给目标定位带来误差,文中采用坐标转换的方法对误差进行了解算,并用两雷达站对解算结果进行了仿真,仿真结果表明,该解算方法对高低和方位角误差的敏感程度有差异.     

页岩油资源规模分布模型及敏感性研究

评价非常规油气资源一般采用类比法、统计法和成因法,在不断创新评价方法的同时,如何将常规油气资源评价方法改进,并应用于非常规资源评价是目前研究的一个重点和难点。以井为单元,将单井估算最终可采油气量(EUR)作为单元油气储量,建立帕累托分布模型,利用随机取样和偏态抽样原理编写程序,分析自然总体个数、形状参数和勘探系数对模型的敏感性,建立了新的页岩油资源规模分布法。该方法应用于鄂尔多斯盆地合水地区X230井区页岩油资源评价,发现数量影响油藏规模分布形状参数的大小和离散程度,当油藏发现个数大于300个时,分布模型趋于稳定;而分布模型对勘探系数的敏感性很小,这是划分EUR为评价单元的局限性所致,因为这种划分方法不存在真正意义上的“大油藏”。通过自然总体个数随形状因子的变化,确定截断点对应的个数,即所有井EUR的总和为该区的可采资源量,为6.72×10⁶ t,这与油气资源丰度法评价结果相吻合。改善后的页岩油资源规模分布法可为非常规油气资源评价提供指导。     

非充气机械弹性车轮静态径向刚度特性研究

为了研究机械弹性车轮的径向刚度特性,建立了一种基于Timoshenko曲梁的车轮模型,并利用有限元方法和样机试验进行了验证。通过对机械弹性车轮的悬毂式承载和刚度特性进行分析,揭示了车轮径向刚度主要取决于輮轮和铰链组的结构和力学特性。基于车轮的非线性有限元模型,对影响车轮径向刚度的輮轮刚度、铰链组材料和结构尺寸进行了参数化分析,结果表明：随着铰链组个数、横截面积和杨氏模量的增加,车轮径向刚度呈非线性增加;在车轮刚度较小且其他设计变量不变时,輮轮刚度的变化量近似等于车轮径向刚度的变化量。     

界面结合强度的激光划痕综合检测装置的设计

建立了膜-基界面结合强度的红外激光准静态划痕的检测新方法。采用红外激光对膜层样品进行连续划痕,通过摄像机,获得膜-基界面的划痕图像,经过Matlab预处理后准备调用;同时采用红外热像仪实时在线检测样品表面的受热状态。信号检测系统检测薄膜表面温度和划痕图像等参数,返回信号处理系统进行分析和处理。从而实现对膜-基界面结合强度的检测。     

入侵检测及网络层安全的研究

随着计算机网络的迅速发展，网络安全问题正变得日益重要。文章介绍了计算机网络系统IP层安全概况和入侵者对IP层常采用的入侵手段，以及为防止这种入侵所采取的措施。     

棱镜全息干涉法制作光子晶体的研究

全息干涉法制作光子晶体具有经济、快捷等特点,是制作大面积的光子晶体理想的方法。其中棱镜全息干涉法具有实验装置稳定性好、易于调节等优点,成为一种重要的光子晶体制作方法。制作二维光子晶体相对简单,并且在很多器件如LED、半导体激光器等的制作中得到广泛的应用。本文分析了用top-cut六棱镜全息干涉制作二维、三维光子晶体的理论问题：光束的数目、空间分布等对生成的光学晶格结构的影响。本文计算机模拟一定情况下,六棱镜生成的各种二维、三维学晶格结构。     

H原子在Si(111)-7×7表面吸附的STM研究

利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM),在液氮(78K)及液氦(4.2K)低温条件下研究了H/Si(111)-7×7吸附体系.H原子易于吸附在表面增原子(adatom)以及剩余原子(rest atom)的位置,导致表面局域电子态密度(LDOS)和STM图像发生明显的变化.利用扫描隧道谱技术(STS)测量获得了H吸...     

SMD石英晶体抗高过载性能的研究

为了研究SMD石英晶体的抗高过载能力,采用自由式霍普金森压杆对7050、6035、5032、3225、3225(一级加固)、3225(二级加固)六种型号SMD石英晶体进行高过载环境下的动态加载测试。结果表明,在高过载条件下,SMD石英晶体的抗高过载性能随尺寸减小而不断提高,并且产品经历高过载环境后电气参数的不良率逐步降低。未经过加固处理的各型号SMD石英晶体(7050、6035、5032、3225)经过高过载试验(50 000~80 000 g)后,电气参数均出现超差,不能满足武器系统的要求。经过加固处理的SMD石英晶体样品(3225一级加固、3225二级加固)经过高过载试验可以正常工作。