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在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
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应用试井方法,提出一套比较切合实际的小块气藏动态特征综合评价方法,推导出水驱气藏水侵量的计算公式,编制了天然气高压物性参数计算和气藏稳产年限预测等程序软件。 相似文献
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根据MUSCL格式的基本思想,对格式进行了部分修改,数值模拟了超音速燃气射流流场的结构和发展过程。给出了流场谐波系的变化趋势,得到了流场达到稳定状态的时间和稳定后的流动图形。 相似文献