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异丙苯在Cu-HMS分子筛上的催化氧化 总被引:3,自引:2,他引:1
以含Cu的中孔分子筛(Cu-HMS)为催化剂,研究异丙苯的催化氧化。研究发现,Cu-HMS催化剂的加入使异丙苯氧化的诱导期显著缩短。在75℃下,以Cu-HMS为催化剂,O2为氧化剂的纯异丙苯氧化反应,苯乙酮为主要副产物,反应的选择性和转化率都很高。当催化剂用量为1 5×10-4mol/ml时,反应8h后,异丙苯转化率为32 7%,目的产物的累积浓度(质量分数)为37 7%,选择性为99%;反应12h后,异丙苯转化率为42 4%,目的产物的累积浓度为46 3%,选择性为95 6%。 相似文献
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63.
二过碘酸合银(Ⅲ)钾引发丙类酸甲酯在淀粉上接枝共聚合反应的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了由二过碘酸合银(Ⅲ)钾(简称Ag(Ⅲ))与可溶性淀粉组成的氧化还原体系,于碱性介质中引发淀粉的接枝共聚合反应,得到高接枝效率的接枝共聚物,测定了引发剂浓度、单体浓度、pH值和反应温度对接枝参数的影响,并探讨了引发机理。 相似文献
64.
文章主要讨论了LonWorks现场总线技术在城市污水处理厂和气象指数预报中的应用。采用IPC和PLC控制结构对现场的各种设备实现控制和数据的采集,通过现场总线网络传输数据到中心控制室或远程终端,实现污水处理的自动控制和气象信息的实时采集和处理。 相似文献
65.
系统备份及其误区分析 总被引:1,自引:0,他引:1
张军华 《微电子学与计算机》2002,19(9):34-35
文章对系统备份的几个主要方面进行了讨论,并在此基础上,对系统备分的若干认识误区进行了分析。 相似文献
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和所有设备一样,计算机设备也是在一定环境中工作的,各种环境因素无时不对设备产生影响。要使计算机设备在各种环境中保持良好的性能,必须了解各种环境对计算机设备影响的机理和过程,分析在环境因素中那些因素是影响计算机设备的主要因素及其力度、频率、周期等,以便采取措施保护计算机设备正常工作。简要介绍除温度外,各种环境因素对计算机设备的影响。 相似文献
67.
68.
BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷的制备和微波性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷,研究了SiO2-B2O3玻璃的含量,Ba/Fe原子比和热处理温度对体系析出晶相的影响,以及介电常数和磁异率在1MHz-6GHz频率范围的变化规律,结果表明,休系中SiO2-B2O3玻璃的含量和Ba/Fe比越高,BaF312O19相的析出越困难,前驱体合适的热处理温度为1000℃,介电常数和磁导率基本上随测试频率的增而加下降;介电损耗的最大值为0.43,磁损耗较小。 相似文献
69.
A method constructinq C~1 Piecewise quintic polynomial over a triangular grid to interpo-late function values and partial derivatives at vertices is presented in this paper.The set of precise poly-nomials of this method is discussed. 相似文献
70.
新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献