基于DDS改进BT-4型扫频仪

基于DDS技术,改造BT 4型扫频仪中的扫频信号发生器,使其具有高稳定度、高分辨率、高精度的特点。同时为了使扫频仪能够对被测电路的动态范围进行检测,使扫频仪得到更广泛的应用,运用了AGC控制技术,首先使电压稳定在10 V;然后通过控制D/A使输出电压按测试需要输出。硬件给出了具体电路参数,软件给出了相应软件流程,总结了其他波型产生的方法。     

Analyses and Solutions of Specific Cases in Spatial Angles Calculation

1 Introduction “Spatial Angles Calculations” means that all the calculations of given and unknown parameters are related to calculating angles in 3D space. The functions and relevant parameters in 3D space are much more complicated than that in 2D space, i.e. on a plane. Professor Sun, based on his research conducting for more than a decade, presented a series of new algorithms to calculate angles in space which are valuable in both theory and applications[1]. The authors found that, in g…     

XML在机械CAD系统中的应用

分析了Internet上最新的XML技术的特点，通过实例用XML技术对机械CAD产生的各种文档信息进行了描述，并且构造了基于XML文档交换的分布式支持环境的体系结构。     

创建FTP服务器和设计磁盘配额的方法与实现

FTP是网络系统提供的基本服务之一．用户可以通过FTP上传和下载文件。本文介绍Linux系统的FTP服务器的原理以及建立FTP服务器和对FTP用户的磁盘配额进行设置。     

水平井筒变质量分散泡状流压降的理论与实验研究

由于水平井筒和常规水平管道中气液两相流动的相似和差别，可以预知常规水平管流的压降计算方法对于井筒流动来说就需要进行修正或扩展。本文对气、液两相分别应用质量守恒方程和动量守恒方程，考虑管壁存在人流或出流对于分层流流型压降的影响，得到水平井筒气液两相变质量流动分散泡状流流型的压降计算方法。同时，设计并建立了水平井筒流体流动模拟实验装置，在轴向为气液两相流动的前提下分别进行了上管壁单孔眼注入和下管壁单孔眼注入的压降实验研究，获得了大量的实验数据。实验数据和理论计算结果吻合很好，这表明该计算方法具有实际应用价值。     

等离子喷涂燃料电池连接板LSM薄膜的性能研究

采用等离子喷涂法在SUS 430连接板基体上制备了LSM(La0.8 Sr0.2 MnO3)薄膜。用X射线衍射仪、扫描电镜和电子探针分别研究了喷涂前后LSM的相组成、薄膜的表面形貌和元素分布。用图像分析法计算了薄膜的孔隙率。二支点法测量了有与无LSM薄膜的SUS 430基体在130～800℃时的电导率。结果发现,薄膜与基体结合良好,薄膜孔隙细小,均匀分布,且非连通;LSM的相组成在喷涂前后保持一致;当温度<330℃时,有LSM保护膜的连接板的电导率小于无LSM薄膜的连接板的电导率;温度>330℃,结果相反。有LSM保护膜的连接板在空气中,130～800℃下,最大电导率为0.60Ω-1·cm-1。     

核心通信网的光分组交换

文章首先简单说明了新一代通信网需要使用分级交换的由来。接着详细叙述了光分组交换在未来光通信网的应用，包括节点结构、分组格式、输入、输出接口和一些特别重要的技术，如再生、同步、信头处理、缓冲、空间交换和波长转换等。     

国外有机硅树枝状化合物的应用进展

有机硅树枝状化合物是以Si-O、Si-C、Si-Si等键为骨架，具有三维立体结构类似于树枝形状的化合物。结合当今国外该领域的最新进展系统地介绍了国外有机硅树枝状化合物的最新应用。     

Molecular Dynamics Simulation of Gas Diffusion in B2O3 and SiC

Molecular dynamics simulation using a universal force field has been employed to determine the diffusion coefficients of O2 and Na2SO4 vapor into B2O3 and SiC from 700 K to 1273 K, respectively. Einstein diffusion was observed in a 250～300 ps simulation.     

MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究

通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m·K),线膨胀系数为4.6106℃1(RT~400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 m,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求。