应力作用下气藏水体微观赋存特征及渗流规律——以鄂尔多斯盆地神木气田二叠系盒8段致密储层为例

针对致密气藏衰竭开发过程中储层孔隙结构及流体微观赋存特征随其所受应力大小实时变化的问题,以鄂尔多斯盆地神木气田二叠系石盒子组盒8段致密储层为例,通过核磁共振、高压压汞以及驱替实验,定量表征不同应力条件下孔隙结构、水体动用及束缚水分布特征,分析应力对气水相渗规律的影响。研究表明,有效应力由7 MPa增加至17 MPa后,储层孔隙度由8.39%减小至7.65%,最大孔隙半径由38.3 μm减小至35.2 μm,其中半径为0.3~18.9 μm范围内的孔喉数量减少幅度最大;由于孔喉尺寸减小,参与渗流的孔隙数量减少,束缚水饱和度由51.3%增加至59.7%,束缚水水体尺寸的分布范围由0.012~17.4 μm增大至0.012~20.1 μm;孔隙变化及束缚水分布特征的变化进一步导致气水两相相对渗透率均减小,气相相对渗透率由0.481减小至0.283,等渗点的相对渗透率由0.157减小至0.09。     

酸压技术研究现状及发展趋势

酸压技术已成为石油工程领域增产的常规措施之一,广泛应用于碳酸盐岩、致密砂岩、火山岩等储层中,但相关研究主要集中在具体的区块,缺少对其研究进展系统的梳理和总结。全面调研了国内外酸压技术的最新进展,系统梳理了最新的酸压热点技术、不同类型储层酸压改造的难点及应对措施、酸压机理和酸压效果影响因素等方面研究成果,指出了酸压技术的发展趋势及存在的问题。差异化分段酸压技术、体积酸压技术和控缝高酸压技术是当前酸压热点技术,不同类型储层酸压改造的难点存在一定差异,需根据储层特征制定相对应的酸压技术政策。酸压机理可以通过理论计算法和模拟实验法进行分析,理论计算法是酸压技术研究的基础,模拟实验法可以为酸压机理的研究及工艺参数的确定提供重要指导。酸压技术受到地质和工程因素的双重影响,地质因素是酸压技术政策的依据,工程因素是提高酸压效果的关键。酸压技术目前有4 大发展方向,即酸压层位深层超深层化,酸压对象精准化,酸压范围扩大化和酸压技术可控化。建议加强酸压理论研究,不断改进和提高工艺与设备,建立典型酸压技术实施模板,为酸压技术实施提供指导。     

基于跳频技术的卫星通信干扰分析与比较

简要分析了跳频通信的基本特点和优点，通过计算和比较卫星通信常见的几种干扰方式（宽带噪声干扰、窄带噪声干扰和脉冲干扰）的处理增益和误码率，得出了脉冲干扰对跳频技术下的卫星通信具有较好的干扰效果这一结论，并给出了与理论分析相一致的仿真结果。     

On an Interactive Network Security Measur

The development of the global information highway has brought great impetus and impact to every domain of the world: science, technology, economy and culture as well. Information security of network as an integrated system engineering needs a long period of tackling key problems and planning in such fields as researching and application. The threats to network security can be classified as: hacking, inside attack, computer virus, leak of secret message and modification of key data in network. …     

System Entropy and Its Application in Feature Selection

1　IntroductionFeatureselection ,ideally ,istoselecttheopti malfeaturesubsetfromacandidatesettodescribethetargetconception .Peopleusuallypaymuchat tentiontofeatureselectionbecauseofitspotentialofsimplifyingthestructureofasystem ,speedinguptheprocessofruleinduction ,reducingthecostofinstanceclassificationandimprovingtheperfor manceofthelearnedresults.Theoptimalfeaturesubsetofasystemisusuallymini featurebiased ,i.e.itprefersdescribingasystemwithfeaturesasfewaspossible[1 ] .Unfortunately ,theprob…     

SCR器件在CMOS静电保护电路中的应用

静电放电(ESD)对CMOS电路的可靠性构成了很大威胁。随着CMOS电路集成度的不断提高，其对ESD保护的要求也更加严格。针对近年来SCR器件更加广泛地被采用到CMOS静电保护电路中的情况，文章总结了SCR保护电路发展过程中各种电路的工作机理。旨在为集成电路设计人员提供ESD保护方面的设计思路以及努力方向。     

一种用于32位CPU的CPL流水线乘加器的设计

综合的32位乘加器需采用5段流水线才能满足CPU的设计指标，但这样会造成与CPU指令流水线不匹配，带来了控制复杂化。为解决这个问题，采用互补传输门逻辑(CPL)设计了用于32位CPU的高速乘加器，使其流水线段数从原来的5段缩减为与CPU指令流水线相匹配的3段，简化了控制、降低了功耗、节省了面积。     

溅射法制备高取向Pt薄膜的工艺研究

采用射频磁控溅射工艺在SiO2／Si衬底上成功制备了适用于pZT铁电薄膜底电极的180nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。厚约50nm的Ti膜被用作过渡层，以增强Pt薄膜与衬底之间的黏着性。实验表明，在Pt薄膜的制备过程中，较高的衬底温度有利于薄膜晶化，促使Pt薄膜沿(111)晶向择优取向生长。而在薄膜沉积后加入适当的热处理工艺，能有效地提高Pt薄膜的择优取向性，同样可以得到沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。原子力显微镜分析表明，制得的薄膜结构相对致密，结晶状况良好，晶粒尺寸约为50nm。     

一种硅衬底镂空结构的圆形射频微电感

利用MEMS工艺以及硅的湿法刻蚀工艺制作了一种硅衬底镂空结构的圆形射频微电感，并研究了硅衬底背面减薄对射频微电感性能的影响，结果表明：微电感硅衬底经过局部刻蚀减薄后其自谐振频率上升，电感量的频率稳定性提高，而其最大Q值下降。     

双层悬空结构片状微电感研究

利用MEMS工艺制作了一种双层悬空结构的圆形片状微电感，并研究了其在S波段的性能。双层微电感的底层线圈制作在玻璃衬底平面上，外径为500μm，匝数为2，导线宽度70μm，导线间距15μm，顶层线圈的悬空高度为20μm，顶层线圈的匝数为1．5，其它结构参数与底层线圈相同。研究表明，所制作的双层结构微电感在2GHz～4GHz时其电感量达到2．2nH，其品质因数达到22。在制作过程中首次引入的光刻胶抛光工艺大大简化了微电感的制作过程。