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通过都昌县2000年旱情及受灾情况的分析,揭示了产生这种现象的原因,并且提出了相应解决问题的对策。 相似文献
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DNA and amphiphilic N,N,N‐trimethyl‐N‐hexadecylammonium bromide (THAB) were stoichiometrically mixed together to produce a DNA–lipid complex, which was dissolved in dimethyl sulfoxide (DMSO) at 65°C and then crosslinked with isophorone diisocyanate (IPDI). The obtained organogel swelled reversibly in DMSO, responding to the variation of temperature. Interestingly, we observed that the gel exhibited a temperature‐dependent shape‐memory behavior. Above 65°C, whatever the shape the gel was deformed to, it could retain the new shape as the temperature was decreased to room temperature, while, when the gel was heated to 65°C again, it could recover its initial shape. The shape‐memory characteristic is supposedly originated from the transition between the close‐packed and the destroyed DNA/lipid conformation. The elastic urethane crosslinking bonds between base‐pair sites act as a fixing phase. The gel holds promise in its application as a gentle actuator. © 2002 Wiley Periodicals, Inc. J Appl Polym Sci 86: 259–263, 2002 相似文献
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本文描述用离子束透过钽金属膜进行混合和快速热处理方法来形成钽的硅化物.用溅射方法在P型硅衬底上淀积一层金属钽,然后用砷离子束透过钽金属模进行混合,采用快速热处理后形成了平整的硅化钽薄层.使用厚度为500埃的钽金属膜,得到钽的硅化物薄层电阻为5.5Ω/□.研究了砷离子能量、剂量及钽膜厚度对钽的硅化物薄层电阻的影响.用透射电镜和台阶仪对所形成的硅化钽进行了分析和厚度测量. 相似文献
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As压对LT-GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
在衬底温度为 3 5 0°C的条件下 ,用分子束外延的方法 ,在不同的砷压条件下生长了 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As多量子阱结构。 77K的荧光实验证明 ,砷压对样品的光学特性影响显著。认为砷压对低温多量子阱光学特性的影响是点缺陷随砷压的演化和能级间相互补偿的共同结果。通过优化砷压 ,样品的荧光峰的半峰宽减小到 3 me V,这是到目前为止所报道过的最窄的低温多量子阱的荧光峰。相应的垂直场光折变器件的电吸收为 60 0 0 cm 相似文献
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在宝钢钢管调质炉(IPSEN炉)控制系统的改造中,用西门子S7-400的PID功能软件模块改造原模拟调节器,以实现加热调质温度控制.介绍了用S7-400的PID控制模块构成淬火炉、淬火油槽、回火炉温度控制的方法,并由此提出对宝钢钢管生产中其它加热炉控制系统改造的选择方案. 相似文献