A transmit/receive IF chip set for WCDMA mobiles in 0.35 /spl mu/m CMOS

An implementation of the IF section of WCDMA mobile transceivers with a set of two chips fabricated in an inexpensive 0.35-/spl mu/m two-poly three-metal CMOS process is presented. The transmit/receive chip set integrates quadrature modulators and demodulators, wide dynamic range automatic gain control (AGC) amplifiers, with linear-in-decibel gain control, and associated circuitry. This paper describes the problems encountered and the solutions envisaged to meet stringent specifications, with process and temperature variations, thus overcoming the limitations of CMOS devices, while operating at frequencies in the range of 100 MHz-1 GHz. Detailed measurement results corroborating successful application of the new techniques are reported. A receive AGC dynamic range of 73 dB with linearity error of less than /spl plusmn/2 dB and spread of less than 5 dB for a temperature range of -30/spl deg/C to +85/spl deg/C in the gain control characteristic has been measured. The modulator measurement shows a carrier suppression of 35 dB and sideband/third harmonic suppression of over 46 dB. The core die area of each chip is 1.5 mm/sup 2/.     

基于图像数据库的动态场景生成系统

实现各类目标和背景下动态场景的计算机编辑和生成，首先应对组成动态场景的要素进行分析，即目标，目标运动规律和特殊事件四个要素，然后通过编程由四个模块完成相应功能。目标，背景编辑模块可对目标，背景图像进行各种处理，并对重要特征量进行计算，运动路径模块可指定目标的运行规律，包括路线，大小和角度变化等。特殊事件模块可加入独立目标的各类典型事件，如运动的干扰物等。最后通过动态场景合成由计算机自动生成所需的动态场景图像。所需的原始目标，背景图像来源于图像数据库管理系统，通过索引项可便携地找到。     

注入氮离子的SiC涂层阻氢性能研究

利用离子束混合－离子注入（Ar^ ）和磁控溅射相结合的实验技术在HR－1不锈钢基体上制备了注入N^ 的SiC涂层，并用表面分析手段对所制备涂层的表面形貌，剖面形貌、相结构，表面成分，表面元素的化学态进行了分析，结果表明：制备的涂层结构致密，表面平整、膜层成分均匀；涂层与基体之间形成了一明显的过渡层，增强了涂层和基体之间的结合力，用二次离子质谱（SIMS）对充氘涂层的阻氢性能进行了定性分析，结果表明，涂层元素与氢形成稳定的化学键，抑制了氢的扩散和迁移，使得涂层具有一定的阻氢能力。     

纳米碳管阵列

在概括纳米碳管阵列特异的场发射效应及在场发射器方面应用前景的基础上，介绍了合成纳米碳管阵列的研究历程以及化学气相沉积法在纳米碳管阵列合成方面的重要意义，就当前纳米碳管阵列的快速合成与低温合成两个发展方向进行了概述，并指出等离子体化学气相沉积法能有效地用于纳米碳管阵列的低温合成。     

浅谈利用互联网获取纸业信息和发展电子商务

对Internet网（互联网）的产生及发展历程做了简要介绍，并就我国造纸企业开发利用互联网，发展电子商务问题进行了探讨。     

300脚MSA 10 Gbit/s Transponder模块

分析了开发10Gbit/sTransponder模块的必然性，介绍了10Gbit/sTransponder模块的原理、特点和参数指标。并且用开发出的两只40km300脚10Gbit/sTransponder模块成功地进行了43km的无误码传输试验和测试。     

向家坝水电站施工组织设计简介

向家坝水电站为装机６０００ＭＷ的巨型电站，其施工组织设计，结合工程总体布置，选用两期导流，一期先围左岸，二期围右岸的施工程序。一期由右侧的主河床泄流、通航及漂木，二期由导流底孔和缺口泄流，临时船闸通航，散漂木材在坝址上游收漂后陆路转运。大坝混凝土采用塔带机配缆机浇筑。电站第一批机组发电工期为７年，总工期为９年６个月。     

思林水电站引水隧洞竖弯段开挖施工技术

思林水电站地下厂房引水发电系统共布置4条引水隧洞,隧洞典型开挖断面大、竖弯段部位地质条件复杂,施工期安全问题突出;特别是隧洞竖弯段异型部位施工质量要求高,超欠挖难以控制,加之工期紧,因而施工难度大。本文对思林水电站引水隧洞施工过程中如何确保隧洞竖弯段的开挖进度和质量,同时又确保施工安全作了较详细的介绍。     

氮化镓低维纳米结构的制备与表征

主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出GaN纳米线和纳米带.通过X-射线衍射（XRD）,扫面电镜（SEM）和高分辨透射电镜（HRTEM）等测试手段对其形貌进行了表征和分析.研究了实验过程中工艺条件的改变对所制备GaN纳米结构形貌特征的影响.对两种GaN纳米材料的拉曼散射光谱进行了分析.     

GaAs亚微米自对准工艺技术研究

总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。