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991.
电力系统谐波边际电价研究 总被引:3,自引:2,他引:1
谐波是影响电力系统电能质量的一个重要因素。电力市场的蓬勃开展给电网谐波的治理提供了新思路,通过电能质量市场的利益激励机制促进谐波污染的治理。谐波电价是开展电能质量市场的基础,实施电能质量市场首先需要解决的一个问题是如何对电能质量污染注入进行合理定价。文中提出综合考虑各次谐波并计及不同节点的谐波畸变约束以及谐波可能导致的电压越限等约束条件的谐波注入边际电价模型,并采用内点法求解。18节点算例表明该模型能达到资源的优化配置,促进谐波污染的治理,证明了该模型和算法的有效性。 相似文献
992.
993.
994.
995.
996.
在CMP中,由于抛光垫在与其接触的晶圆边缘产生异常压力点,以及转台和承载器旋转的线速度之差在边缘处较其他点大得多,从而导致了晶圆边缘效应的产生。阐述了承载器在CMP中的作用,详细分析了边缘效应产生的原因和克服的方法。在承载器上采用与晶圆保持适当间隙的保持环结构,对保持环施加适当的压力,使保持环和晶圆位于同一抛光平面上;针对旋转式CMP设备固有的线速度之差导致片内非均匀性增大的问题,对200mm晶圆划分两区域进行微压力补偿,同时详细说明了压力补偿气路的设计和实现的功能,指出今后多区域微压力补偿将采用矩阵控制技术。 相似文献
997.
电信级以太网技术讲座第3讲以太网线性保护与环网保护 总被引:1,自引:0,他引:1
高可靠性是以太网技术达到电信级要求的主要挑战之一.列举了与可靠性相关的以太网技术,分析了保护的时间模型和目标,重点基于ITU-T标准介绍了以太网线性保护和环网保护方面的最新发展,并对其相关标准、协议机制和实现与应用等进行了阐述和分析. 相似文献
998.
垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI) GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题. 在3种不同温度条件下,对VGF-SI-GaAs晶片进行了加As压的闭管退火处理. 结果表明,经过1160℃/12h的高温退火处理后,VGF-SI-GaAs单晶的电阻率、迁移率和均匀性均得到了显著提高. 利用Hall、热激电流谱(TSC) 、红外吸收法分别测试分析了原生和退火VGF-SI-GaAs单晶样品的电学性质、深能级缺陷、EL2浓度和C浓度,并与常规液封直拉法(LEC) SI-GaAs单晶样品进行了比较. 原生VGF-SI-GaAs单晶中的EL2浓度明显低于LEC-SI-GaAs单晶,经过退火处理后其EL2浓度显著增加,电学补偿增强,而且能级较浅的一些缺陷的浓度降低,因而有效提高了其电学性能. 相似文献
999.
加速溶剂萃取-固相萃取结合液相色谱分析茶叶中多菌灵残留量 总被引:2,自引:0,他引:2
建立了一种新型快速测定茶叶中多菌灵残留量的方法.采用加速溶剂萃取(ASE),Lc-SCX小柱净化,以甲醇-5mmol/L乙酸铵(两者体积比45:55)为流动相,配备Xterra-C18柱、紫外检测器(280 nm)的高效液相色谱仪.对待测组分进行了分离和测定.结果表明.空白茶叶样品中多菌灵添加回收率在75.0%~106.O%之间,相对标准偏差(RSD,n=6)小于10%;样品中多菌灵的最低检出限为O.01 mg/kg.本方法操作过程简单、快速,重复性好,能满足茶叶中多菌灵残留量的检测要求. 相似文献
1000.