首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   24979篇
  免费   2602篇
  国内免费   1329篇
电工技术   2042篇
技术理论   2篇
综合类   1797篇
化学工业   3868篇
金属工艺   1427篇
机械仪表   1625篇
建筑科学   2045篇
矿业工程   765篇
能源动力   785篇
轻工业   1639篇
水利工程   523篇
石油天然气   1565篇
武器工业   247篇
无线电   2841篇
一般工业技术   2854篇
冶金工业   1241篇
原子能技术   382篇
自动化技术   3262篇
  2024年   124篇
  2023年   544篇
  2022年   935篇
  2021年   1387篇
  2020年   985篇
  2019年   814篇
  2018年   869篇
  2017年   938篇
  2016年   810篇
  2015年   1157篇
  2014年   1415篇
  2013年   1510篇
  2012年   1750篇
  2011年   1784篇
  2010年   1598篇
  2009年   1507篇
  2008年   1557篇
  2007年   1284篇
  2006年   1297篇
  2005年   1050篇
  2004年   811篇
  2003年   630篇
  2002年   607篇
  2001年   559篇
  2000年   482篇
  1999年   511篇
  1998年   348篇
  1997年   326篇
  1996年   271篇
  1995年   235篇
  1994年   199篇
  1993年   137篇
  1992年   118篇
  1991年   81篇
  1990年   71篇
  1989年   52篇
  1988年   39篇
  1987年   35篇
  1986年   20篇
  1985年   11篇
  1984年   14篇
  1983年   6篇
  1982年   5篇
  1981年   8篇
  1980年   6篇
  1979年   6篇
  1977年   1篇
  1970年   1篇
  1959年   1篇
  1951年   3篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%.  相似文献   
32.
文中对万家寨引黄工程北干线1号隧洞Ⅳ标使用的155—274型TBM主轴承总成各部件组装过程及其相应的技术要求进行了概要的描述,目的是进一步熟悉155—274型TBM主轴承总成的各个部件并加深对主轴承工作原理的理解。  相似文献   
33.
A stochastic model for local disturbances, particularly for a temporal harmonic with random modulations in amplitude and/or phase, is proposed in this paper. Results for the second moment responses of a linear single-degree-of-freedom system to this type of stochastic loading demonstrate a significant change in response characteristics due to a small uncertainty. A local phenomenon may last much longer and resonance may be smeared to a broad range. Integrated with wavelet transform, the proposed approach may be used to model a random process with non-stationary frequency content. Especially, it can be effectively used for Monte Carlo simulation to generate large size of samples that have similar characteristics in time and frequency domains as a pre-selected mother sample has. The technique has a great potential for the case where uncertainty study is warranted but the available samples are limited.  相似文献   
34.
SCB火工品的研究与发展   总被引:9,自引:2,他引:7  
文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。  相似文献   
35.
油气圈闭地质评价方法及应用   总被引:18,自引:3,他引:15  
本从含油气系统理论出发,对圈闭成藏的油源,储层,圈闭,保存,配套史制定分级评价标准,并赋予相应的评价系数,在此基础上应用地质风险概率理论与模糊数学的方法,在微机上定量评价圈闭含油气性。  相似文献   
36.
Cd-ZSM-5沸石催化剂的制备、表征和芳构化催化性能   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用离子交换、浸渍和混合三种方法制备镉改性ZSM-5沸石催化剂,考察了改性方法和镉含量对催化剂的表面酸性和Cd状态以及芳构化性能的影响。结果表明,加入镉降低了B酸性,Cd~(2+)与沸石结合形成了L_(1612)酸中心,其生成量取决于改性方法和Cd含量,并与芳构化活性提高有直接关系。  相似文献   
37.
面对日益突出的城市静态交通问题,针对普陀区所处的地理位置和发展形势,提出了在普陀区实施静态交通规划(包括技术路线、政策研究及相关的经济分析方法)的初步构想。  相似文献   
38.
单片机仿真系统   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文讨论单片机离线仿真系统的设计方法,其关键技术是:单片机硬件系统(RAMREGISTERS)仿真,指令系统仿真,中断系统仿真,应用系统硬件仿真。  相似文献   
39.
There are some original nonmagnetic point defects in the BaF2 crystallite powder,such as interstitial and vacant F^- which can become paramagnetic centers by γ-ray-irradiation at room temperature,Afterγ-ray irradiation the paramagnetic point defects Vk,H,F and M centers,have been observed in the sample with experiment of electron spin resonance(ESR).Frenkel exciton,a nonmagnetic point defect,can also be induced by the γ-ray irradiation in the sample at room temperature,the existence of the Frenkel exciton is affirmed by an anomalous change of the ESR signal of Vk center with temperature,The signals of the ESR of the H,F and M centers weaken and vanish with the temperature increasing monotonously,But the ESR signal of the Vk enhances when the temperature goes up about 127℃,then weakens and vanishes.An increase in the Vk center follows an annihilation of the Frenkel exciton with heating.  相似文献   
40.
糖果等食品的多粒枕式包装是食品行业亟需解决的问题。本文对球形和椭圆形糖果的多粒枕式包装进行了初步的探讨,着重阐述了理糖装置和光电控制系统的设计。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号