疲劳裂纹的灰色残差预测

借助灰色理论，建立了预测疲劳裂纹扩展的灰色残差预测模型，并应用此模型预测了某不锈钢构件腐蚀疲劳裂纹的扩展，得到了较高精度的预测结果，为疲劳裂纹预测提供了一种简易而可靠的新途径。     

中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀

多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时，应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺，如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺，存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工，做了大量实验、质谱分析和多项测试研究，成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀，做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。     

硅粉/酚醛制备低成本碳化硅陶瓷复合材料

以低成本的硅粉和酚醛为原料 ,采用浆料浸渍 热压成型 反应烧结法制备了Cf SiC单向板 ,并对工艺条件进行了探讨。制备得到的单向板的弯曲强度达到 45 6 .8MPa ,断裂韧性达到 7.94MPa·m1 2 。     

低剂量X射线照射诱导HeLa细胞存活的

采用集落形成法观察了低剂量X射线照射HeLa细胞的存活率，结果表明，小于0．5Gy的X射线照射细胞的存活率高于对照，得到了HeLa细胞存活的“兴奋效应”，而且在0．25Gy附近这种效应更为明显；低剂量D1（0．05，0．75Gy)的预照射降低了随后攻击量D2对细胞的损伤程度，反映出低剂量照射可诱发细胞存活的“适应性反应”。     

X射线衍射线形Fourier变换

采用计算机辅助实验技术，研究X射线衍射线开在仪器宽化修正过程中Fourier系数变化的规律及其影响，结果表明，只要实测线形接近Gauss 分布，Fourier变换就会导致弯勾效应；Forier变换可引起真实线形的尾部波动及大于实际值的宽化，引入边界条件可予以消除，Kα双线形经过Fourier变换后，Fourier纱数与真实Fourier系数存在着一定的差异。通过真实线形的Fourier变换可以修正。     

拉伸试验测量不确定度的研究

分析了拉伸试验中抗拉强度Rm的影响因素，对测量不确定度的主要分量进行量化，评定了Rm的相对测量不确定度，作为生产检验中评定测量不确定度的尝试，以便为用户提供钢材性能测量结果的不确定度。     

An Analytical Solution to Circular Touch Mode Capacitor

In this paper, a simple but accurate analytical solution is presented to model the flexion of a circular diaphragm with clamped edges under an uniform load. The touch down effect and the evolution of touch radius are considered in this model, making it useful for touch down capacitor devices such as pressure sensors. This model is then compared to results obtained from Coventor, a finite elements analysis program designed for microelectromechanical systems     

单壁纳米碳管/纳米铝基复合材料的增强效果

用半连续氢电弧法和活性氢等离子蒸发法分别制备出单壁纳米碳管(SWNTs)和纳米A1粉体，然后用提纯后的SWNTs和纳米A1粉体制备出SWNTs含量(质量分数)分别为0、2．5％、5．0％、7．5％和10.0％的单壁纳米碳管／纳米铝基块体复合材料．SWNTs对高强度纳米A1基体具有显著的增强作用，当SWNTs含量小于5．0％时，材料的硬度随着SWNTs含量的提高线性上升．其中5％SWNTs和纳米A1的复合增强效果最好，其硬度可达2.89GPa，大约是粗晶A1(0．15GPa)的20倍．当SWNTs含量超过5．0％时，增强效果开始缓慢的下降．讨论了单壁纳米碳管增强纳米铝基复合材料的强化机制．     

转炉合金最小成本控制模型

介绍了基于合金最小成本的转炉炼钢钢水成分调整模型工应用于宝钢炼钢在线生产控制的情况。模型给出了在满足目标成分等工艺要求下，成本最小的合金投入组合及合金投入量；计算了合金加入钢包后引起钢水温度、重量等的变化，为降低生产成本（合金投入），提高出钢成分控制精度提供了有效的途径。     

光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.