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31.
研究了由二过碘酸合银(Ⅲ)钾(简称Ag(Ⅲ))与可溶性淀粉组成的氧化还原体系,于碱性介质中引发淀粉的接枝共聚合反应,得到高接枝效率的接枝共聚物,测定了引发剂浓度、单体浓度、pH值和反应温度对接枝参数的影响,并探讨了引发机理。  相似文献   
32.
纳米α-FeOOH颗粒的形态和结构   总被引:3,自引:0,他引:3  
以硫酸法钛白的副产物绿矾为原料,采用滴加法制备纳米铁黄(α-FeOOH)颗粒。研究了反应体系的pH值、反应温度、通氧速率、搅拌速率和添加剂等对铁黄颗粒形态结构的影响,采用XRD、TEM等分析手段对颗粒进行表征。结果表明,调节体系pH值能控制铁黄晶型结构和色相;改变通氧速率、搅拌速率、添加剂种类以及反应温度等可以调节纳米α-FeOOH的大小和分散性。  相似文献   
33.
Development of the Chinese Scientometric Indicators (CSI)   总被引:1,自引:0,他引:1  
Jin  Bihui  Zhang  Jiangong  Chen  Dingquan  Zhu  Xianyou 《Scientometrics》2002,54(1):145-154
We describe the Chinese Scientometric Indicators (CSI), an indicator database derived from the Chinese Science Citation Database (CSCD). Its design is supported by the Natural Sciences Foundation of China (NSFC). In this indicator database data of a statistical nature are organized and categorized leading to ranked lists and providing bases for comparisons among Chinese institutions and regions.  相似文献   
34.
吐丝圈径对大规格高碳盘条组织性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
计算与分析了斯太尔摩冷线上盘条的吐丝圈径、搭接密度及"佳灵"装置横向布风曲线之间的关系,研究了吐丝圈径的大小对大规格82B盘条组织和性能的影响,确定了大规格82B盘条最小吐丝圈径应为980mm.  相似文献   
35.
行波热声驱动器的性能分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
在简单介绍行波热声驱动器的研究历史、工作机理及其与驻波型热声驱动器的区别之后,着重对环路部分的性能进行了预测分析,并给出一些有益的结论。  相似文献   
36.
露天矿半连续工艺技术应用现状及发展前景   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了露天矿半连续工艺技术国内外应用现状、研究成果以及发展趋势。  相似文献   
37.
应用当前景流行的图形设计软件Coredraw9.0和Photoshop5.0,设计针织面料T恤花型,进一步利用SCC4F-548型电脑提花圆机相配套的图形设计软件Aupaint处理,生成提花花型图案,为夏季T恤花型图案设计提供了一条简便快捷的设计方法和新的设计思路。  相似文献   
38.
ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4 纳米晶,XRD、SEM和TEM结构分析结果表明,喷射共沉淀法制备的ZnGa2O4的纳米晶颗粒细小均匀,形状完整,与化学共沉淀法相比,粒子尺寸明显减小,小于10nm,同时ZnO杂相峰消失,分析了喷射共沉淀法的机理,并对实验结果进行了解释。  相似文献   
39.
长距离曲线顶管在杭州河坊街工程中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
对杭州市重点工程—杭州河坊街长距离曲线顶管进行了总结和介绍 ,可为同类工程借鉴和参考  相似文献   
40.
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively  相似文献   
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