深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能

当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18 μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56 μm2,抗总剂量效应能力大于1 500 Gy,抗辐照能力明显优于普通结构.为明确失效机制,基于新单元结构在辐照条件下的阈值退化曲线,分析了辐照效应对存储单元的影响,并与普通单元的辐照效应相比较.结果表明:总剂量效应引起的边缘寄生管源/漏端漏电及场氧下漏电是深亚微米工艺EEPROM失效的主要机制.新单元针对失效机制的加固设计,提高了抗辐照能力和可靠性.该设计为满足太空应用中抗辐照存储器的需要,提供了良好的基础.     

用于高压ESD保护的LDMOS中触发电压退化效应的研究

The trigger voltage walkin effect has been investigated by designing two different laterally diffused metal-oxide-semiconductor （LDMOS） transistors with an embedded silicon controlled rectifier （SCR）. By inserting a P＋ implant region along the outer and the inner boundary of the N＋ region at the drain side of a conventional LDMOS transistor, we fabricate the LDMOS-SCR and the SCR-LDMOS devices with a different triggering order in a 0.5/zm bipolar-CMOS-DMOS process, respectively. First, we perform transmission line pulse （TLP） and DC-voltage degradation tests on the LDMOS-SCR. Results show that the trigger voltage walk-in effect can be attributed to the gate oxide trap generation and charge trapping. Then, we perform TLP tests on the SCR-LDMOS. Results indicate that the trigger voltage walk-in effect is remarkably reduced. In the SCR-LDMOS, the embedded SCR is triggered earlier than the LDMOS, and the ESD current is mainly discharged by the parasitic SCR structure. The electric potential between the drain and the gate decreases significantly after snapback, leading to decreased impact ionization rates and thus reduced trap generation and charge trapping. Finally, the above explanation of the different trigger voltage walk-in behavior in LDMOS-SCR and SCR-LDMOS devices is confirmed by TCAD simulation.     

纤维缠绕复合对细长铝合金圆管轴向承压的增强作用

在硬铝合金（ＬＹ－１１铝合金）细长圆管的外壁以不同方式缠绕复合碳纤维，并对缠绕前后圆管承受轴向压载荷能力进行了对比试验。试验结果表明，细长圆管外壁缠绕碳纤维后，圆管的抗弯曲变形及抗压极限承载能力都得到大幅度提高。本文对未经缠绕的承压管的稳定性及理论临界应力进行了探讨，对采用碳纤维缠绕复合后的细长管轴向承压能力得以提高的原因作了分析。     

EEPROM失效机理初探

在分析了双层多晶硅FLOTOXEEPROM各种失效模式后，从理论上提出了提高EEPROM可靠性的各种措施。提高隧道氧化层和多晶硅之间氧化层的质量，减小擦／写电压和擦／写时间，减小隧道氧化层的面积，都是提高EEPROM可靠性的有效措施。     

SiC_p／6061A1复合材料基体相及增强相的实际外载应力

采用Ｘ射线应力分析技术测定ＳｉＣ颗粒体积分数为２０％的ＳｉＣｐ／６０６１Ａｌ复合材料由外加载荷作用而产生的基体铝合金相的实际外载应力，据此计算增强相的实际外载应力．结果表明，基体铝合金相的实际外载应力为平均外载应力的７５．９％，而增强相的实际外载应力为平均外载应力的１９６．６％两相弹性模量的差异是造成这种现象的主要原因     

磷离子注入对部分耗尽SOI MOS总剂量背栅效应的影响

本文研究了背栅磷离子注入加固技术对部分耗尽绝缘体上硅（silicon-on-insulator, SOI）MOS器件抗总剂量辐射性能提升的机理。认为可以对背栅沟道处进行磷离子注入,改变界面处的离子浓度分布,通过引入电子陷阱,抵消背栅界面陷阱俘获正电荷,从而改善背栅效应,提高器件的抗辐射性能。通过用高浓度磷离子对部分耗尽SOI NMOS器件背栅进行离子注入,大大减小了器件的背栅效应,实验器件的抗辐射能力能够达到1M rad（Si）。     

参数优化变分模态分解和多域特征融合的行星变速箱故障诊断

为提高行星变速箱的诊断精度,提出了基于参数优化变分模态分解和多域特征融合的行星变速箱故障诊断方法.首先,为提高变分模态分解(VMD)对信号的分解效果,以天牛须搜索(BAS)为优化方法进行VMD参数的优化.其次,以参数优化VMD完成信号的分解,并筛选出分解所得本征模态函数(IMF)中包络熵最小的IMF.再次,计算包络熵最小IMF的时域、频城和尺度域特征组成高维多城故障特征集,而后通过监督局部切空间排列(SLTSA)完成特征集的降维.最后,通过支持向量机对故障特征进行识别,得到诊断结果.行星变速箱故障诊断实例验证了方法的有效性.     

合并单元时钟同步测试装置的研制及应用

针对合并单元缺乏时钟同步异常状况测试的现状,设计了一种测试装置,该装置既能够自产生各种IRIG-B异常信号,又能够监视外接IRIG-B信号。利用该装置组成了自动化测试系统,通过自动化闭环测试方法,校验合并单元在时钟同步信号异常的情况下各种性能表现,补充了合并单元测试的测试手段,有助于提高合并单元的可靠性。     

气体流量比对PECVD硅化钛薄膜性质的影响

本文报道了以四氯化钛(TiCl_4)和硅烷(SiH_4)为源物质,采用等离子增强化学气相淀积工艺(PECVD)制备硅化钛薄膜的方法;着重研究了气体流量比变化对薄膜电阻率、淀积速率以及化学组成的影响,通过实验获得了制备优良硅化钛薄膜的最佳气流比条件。