一种新型高压可控电抗器的特性与应用

介绍了一种磁阀式结构设计、低压直流控制新型高压可控电抗器的特性,详细说明由新型可控电抗器组成的静止补偿装置的应用。     

直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长

重点研究了直拉(CZ)硅中氧沉淀在快速热处理(RTP)和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行为.实验发现,RTP是一种快速消融氧沉淀的有效方式,比常规炉退火消融氧沉淀更加显著.硅片经RTP消融处理后,在氧沉淀再生长退火过程中,硅中体微缺陷(BMD)的密度显著增加,BMD的平均尺寸略有增加;而经过常规炉退火消融处理后,在后续退火过程中,BMD的密度变化不大,但BMD的尺寸明显增大.氧沉淀消融处理后,后续退火的温度越高,氧沉淀的再生长越快.     

基于自适应小波包变换的直接序列扩频通信窄带干扰抑制技术

本文提出一种基于小波包变换的直接序列扩频通信窄带（单、多音）干扰抑制技术。该技术通过小波包分解将信号和干扰分离,然后再对滤波处理后的分解结果进行小波包合成,以此达到窄带干扰去除的目的。文中对这种方案的性能进行了分析并给出了仿真结果。结果表明,与传统的方法相比,它具有较好的误比特率性能,较快的干扰定位速度和简单的计算复杂度。是宽带系统中行之有效的窄带干扰抑制方法,尤其适合于窄带干扰以近似于比特率的速度快速变化的场合。     

0.1微米电子束曝光机成像系统的计算

系统介绍了０．１微米电子束曝光机系统的计算工作,并对每步都给出了程序实现的流程图,最终构成了总的程序计算框图。该程序具有一定的通用性,能对任何３级成像系统进行计算,最后对计算结果进行了定性的分析。     

认知无线电技术的研究及发展

认知无线电技术作为软件无线电技术的一个特殊扩展,受到日益广泛的关注.由于该技术能够自动检测无线电环境,调整传输参数,从空间、时间、频率、调制方式等多维度共享无线频谱,可以大幅度提高频谱利用效率.本文首先从认知无线电技术的定义入手,分别讨论了认知无线电的基本概念、功能与实现、标准化的进程.然后介绍了当前应用状况,最后分析了未来的发展及面临的挑战.     

基于空间复用的超宽带媒体接入控制技术

该文研究超宽带无线网络的媒体接入控制技术和协议。主要分析有望适配应用在未来超宽带网络中的IEEE 802.15.3的媒体接入控制协议的基本原理,应用超宽带通信具有精确定位信息的特征,改进IEEE 802.15.3协议。提出一种基于空间复用的超宽带媒体接入控制方案。仿真结果表明,与基本IEEE 802.15.3技术相比,空间复用媒体接入控制技术的网络吞吐量和数据包接入时延性能都得到了较大的改善。     

超短激光脉冲技术及其研究进展

首先阐述超短激光脉冲发展的几个历史阶段及其特点．并介绍了飞秒激光器的类型及飞秒脉冲的产生、放大与测量，最后介绍了飞秒激光技术的相关学科。     

基于VXI总线的超宽带线性调频信号源的设计

主要介绍了VXI总线C尺寸超宽带线性调频信号源的设计方法，重点描述了利用现场可编程逻辑器件FPAG和DSP设计VXI总线接口电路，以及数字波形存储直读技术在线性调频信号源中的应用。     

H型栅结构的亚微米PDSOI MOS器件的跨导双峰效应研究

A bimodal effect of transconductance was observed in narrow channel PDSOI sub-micron H-gate PMOSFETs,which was accompanied with the degeneration of device performance.This paper presents a study of the transconductance bimodal effect based on the manufacturing process and electrical properties of those devices.It is shown that this effect is caused by a diffusion of donor impurities from the NC region of body contact to the PC poly gate at the neck of the H-gate,which would change the work function differences of the polysilicon gate and substrate.This means that the threshold voltage of the device is different in the width direction,which means that there are parasitic transistors paralleled with the main transistor at the neck of the H-gate.The subsequent devices were fabricated with layout optimization,and it is demonstrated that the bimodal transconductance can be eliminated by mask modification with NC implantation more than 0.2 m away from a poly gate.     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术，包括：(1）光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术；(2）投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术；(3）接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术；(4）大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术；(5）电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作，实现了20nm线条曝光，研制成功了27nm CMOS器件；进行了50nm单电子器件的演试；并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.