One‐Step Formation of a Single Atomic‐Layer Transistor by the Selective Fluorination of a Graphene Film

In this study, the scalable and one‐step fabrication of single atomic‐layer transistors is demonstrated by the selective fluorination of graphene using a low‐damage CF₄ plasma treatment, where the generated F‐radicals preferentially fluorinated the graphene at low temperature (<200 °C) while defect formation was suppressed by screening out the effect of ion damage. The chemical structure of the C–F bonds is well correlated with their optical and electrical properties in fluorinated graphene, as determined by X‐ray photoelectron spectroscopy, Raman spectroscopy, and optical and electrical characterizations. The electrical conductivity of the resultant fluorinated graphene (F‐graphene) was demonstrated to be in the range between 1.6 kΩ/sq and 1 MΩ/sq by adjusting the stoichiometric ratio of C/F in the range between 27.4 and 5.6, respectively. Moreover, a unique heterojunction structure of semi‐metal/semiconductor/insulator can be directly formed in a single layer of graphene using a one‐step fluorination process by introducing a Au thin‐film as a buffer layer. With this heterojunction structure, it would be possible to fabricate transistors in a single graphene film via a one‐step fluorination process, in which pristine graphene, partial F‐graphene, and highly F‐graphene serve as the source/drain contacts, the channel, and the channel isolation in a transistor, respectively. The demonstrated graphene transistor exhibits an on‐off ratio above 10, which is 3‐fold higher than that of devices made from pristine graphene. This efficient transistor fabrication method produces electrical heterojunctions of graphene over a large area and with selective patterning, providing the potential for the integration of electronics down to the single atomic‐layer scale.     

全层片状TiAl基合金断裂过程的原位观察

利用ＳＥＭ拉伸台，研究了Ｔｉ－３３Ａｌ－３Ｃｒ－０．５Ｍｏ合金的室温拉伸断裂动态过程。试验结果表明，具有全层片状显微组织的ＴｉＡｌ合金室温断裂韧性较高，归因于合金拉伸过程中裂纹尖端发生分叉致使应力松弛而使裂纹钝化；在变形过程中，主裂纹尖端附近的微裂纹之间形成剪切韧带，剪切韧带韧化是ＴｉＡｌ合金的一种韧化机理。     

开关磁阻调速电动机在无极绳牵引车中的应用

介绍一种用于无极绳牵引车的开关磁阻调速电动机,以及应用的难点和解决方法,实际证明开关磁阻调速电动机非常适合无极绳牵引车的应用。     

多电机横向布置采煤机截割减速器失效分析与对策

采煤机截割部减速器(即摇臂)是采煤机完成落煤的主要部件,通过对其失效原因分析,提出相应对策,降低生产过程中的事故率,为设备改进提供依据。     

GHT型变阻力制动缓冲托罐装置在顾桥矿的应用

以顾桥矿为实例,分析了GHT型变阻力制动缓冲托罐装置应用于该矿井的情况,通过比较说明了变阻力制动的优越性,并建立了制动力学模型,通过理论计算和试验,论证该装置对立井提升安全保护的可靠性。     

淹没式连续微滤装置(CMFS)处理城市污水中试

主要介绍了微滤技术运行原理、应用范围、技术特点等,并以淹没式膜连续微滤装置对城市污水处理厂二沉池出水处理回用的可行性进行了应用试验.在试验中分别研究了运行压力和反冲间隔时间与膜通量关系,对处理后的出水COD、TP、TN以及细菌和悬浮物等杂质的影响.该装置在运行压力为19~85 kPa,反冲洗间隔为25 min的条件下连续运行.细菌和悬浮物等杂质的去除效果非常明显,净化后的水清澈透明,浊度近于零.另外该装置自动化程度高、成本低、操作简单,用于污水回用具有较高技术和经济可行性.     

应用数字图像相关法测定瓦楞原纸的泊松比

对瓦楞原纸泊松比的测定存在许多困难,传统的接触式方法难以满足测定要求,还没有一种简单高效的方法能解决这个问题。针对传统位移测量方法的不足,提出以数字图像相关法测定瓦楞原纸的泊松比。通过对试样变形前后的图像进行相关性位移分析,将试验所得的实测位移与已标定位移进行对比,所得结果具高度的一致性,相对误差范围为1%～3%。试验测定面纸MD（machine direction）方向和CD（crossmachine direction）方向的泊松比分别为0.175和0.073,芯纸MD方向和CD方向的泊松比分别为0.275和0.119。测试及分析结果表明,应用数字图像相关法测定瓦楞原纸的方法是可行的,具有较佳的应用价值,能为研究纸张的泊松比提供一个新途径。     

潘三矿水力挤出注水参数优化分析

通过对淮南潘三煤矿1462(3)运顺掘进工作面进行的水力挤出试验,重点对注水压力、封孔深度2个关键参数进行了分析,为今后水力挤出试验参数优化提出合理建义。     

基于C8051F005的均匀轴向亚磁场产生和测量系统

根据亚磁场生物学实验要求,利用Silicon Labs的C8051F005微处理器设计了一种轴向亚磁场产生和测量系统.基于亥姆霍兹线圈产生磁场的基本原理设计了一种新的磁场产生结构,采用MAX038产生交变磁场的硬件电路,使用磁阻磁强计对磁场进行精确测量,用VC6.0设计了上位机软件,图形化显示从磁阻磁强计传输过来的数据.实测表明,新结构产生磁场的均匀性要比亥姆霍兹线圈产生的磁场均匀性好,磁场均匀范围宽.亚磁场随电流的变化呈线性变化,具有很好的可控性,可通过简单设置控制交流磁场的频率.     

一种基于全相位FFT的频谱感知算法

为提高能量检测算法的性能,提出一种基于全相位快速傅里叶变换( FFT )的频谱感知算法。全相位FFT中的数据预处理过程,考虑了数据段中心样本点所有可能组合的情况,从而减少因信号截断所导致的频谱泄露,提高谱分析精确度。以能量检测法为例,通过Matlab对基于传统FFT和全相位FFT的频谱感知算法进行理论分析和仿真,结果表明,在信噪比相同的条件下,后者的谱间干扰较小,信号的误检率较低;在相同虚警率的条件下,后者可使频谱泄露得到有效抑制,获得的频谱更接近于真实的频谱信息,检测概率相应提高。因此,全相位FFT能量检测法的检测性能明显优于传统能量检测法。