单载波UWB系统物理层帧结构设计与实现

提出了一种SC-UWB系统物理层帧结构.这种帧结构支持ECMA-368标准媒体接入控制层帧结构,包含前导序列、跟踪序列等辅助序列以实现接收端的精确同步,采取了加扰、级联编码、头校验等保护措施,不仅保证了SC-UWB物理层的高性能,而且兼顾了效率、延时和复杂度.所述帧结构已应用于国家相关重点项目中,并取得了良好的效果.     

基于硬件辅助虚拟化技术的交叉视图进程检测

分析了进程隐藏技术和检测技术,对Strider Ghost Buster所使用的交叉视图进程检测技术及相关问题进行了深入研究,结合硬件辅助虚拟化技术,提出了一种新的进程检测技术--HCDP。通过实验结果验证了HCDP的有效性和完整性。     

Development and characteristics analysis of recessed-gate MOS HEMT

An AlGaN/GaN recessed-gate MOSHEMT was fabricated on a sapphire substrate. The device, which has a gate length of 1 μm and a source-drain distance of 4 μm, exhibits a maximum drain current density of 684 mA/mm at Vgs = 4 V with an extrinsic transconductance of 219 mS/mm. This is 24.3% higher than the transconductance of conventional AlGaN/GaN HEMTs. The cut-off frequency and the maximum frequency of oscillation are 9.2 GHz and 14.1 GHz, respectively. Furthermore, the gate leakage current is two orders of magnitude lower than for the conventional Schottky contact device.     

An end-to-end denoising autoencoder-based deep neural network approach for fault diagnosis of analog circuit

Analog Integrated Circuits and Signal Processing - Fault diagnosis of analog circuit is critical to improve safety and reliability in electrical systems and reduce losses. Traditional fault...     

4-(2,3,5,6-四氟-烷基取代苯乙基)苯甲酸-4'-氟-4-联苯酯的合成及液晶性研究

以2,3,4,5,6-五氟溴苯和脂肪醛为起始原料,设计并合成了一系列含四氟苯基亚乙基的四环酯类液晶化合物,通过偏光显微镜和DSC对其相变行为进行了研究.整个系列化合物有较宽的向列相温度范围,所合成的化合物中,随着末端碳链的增长,熔点和清亮点呈现下降趋势.     

A Copper/Polyimide Fabrication Process for Fabricating High-Inductance Microinductor

This paper reports on a technological process that combines copper as conductor, permalloy as magnetic core material, and polyimide as insulation material to complete a microinductor on glass with high inductance. The shape of the magnetic core scheme was rectangular, of which the width of the long side and short side were 1.4 and 0.6 mm, respectively. The dimensions of the inductor are 3.86 mm times 3.94 mm times 90 mum with coil width of 20 mum and space of 35 mum. The results show that the maximum inductance is 4 muH at 1 MHz, and the maximum quality factor (Q-factor) is 1.5 at 2 MHz.     

基于熔融拉锥法的MZI型梳状滤波器研究

全光纤型的梳状滤波器（Interleaver）由于其优异的特性使之成为交叉复用技术的首选,而最简单的制作方法是通过熔融拉锥工艺制作M-Z干涉仪（MZI）型的Interleaver。但是其光谱形状的顶端平坦、隔离度和温漂等特性是该器件实用化必须解决的问题。从器件的实用角度出发,研究波分复用器件中M-Z干涉仪的制作方法、原理及应用现状和存在的问题。同时针对存在的问题介绍了几种新颖的改进结构以及其输出光谱特性,这些设计无疑对Interleaver的成熟商用起着极大的推动作用。     

第四代移动通信露曙光

本文介绍了第四代（4G）移动通信的概念和技术要求，着重讨论了正交频分复用（OFDM）在第四代移动通信中的应用，最后简要的介绍了第四代移动通信的研发状况。     

纳米β-Ni(OH)2与球型Ni(OH)2的热性能比较研究

用配位沉淀法合成出纳米级Ni（OH）2，并对其进行XRD，TEM，DSC分析，分析结果表明，所得纳米β-Ni（OH）2为可用作电极材料的β-Ni（OH）2，粒径为30－40nm，且热分解温度比普通球镍低10℃左右，摩尔分解热比普通球镍低4－7kJ，从理论上分析了产生此现象的原因。     

脉冲光纤激光加工36MnVS4连杆裂解槽的研究

为了获得新材料36 MnVS4连杆裂解槽的最优切割质量,采用光纤激光器对36 MnVS4连杆进行了裂解槽激光加工的工艺研究,分析了离焦量、峰值功率、脉冲宽度、切割速度和脉冲频率对裂解槽几何尺寸的影响,通过激光共聚焦显微镜测量对比,研究不同激光工艺参数下裂解槽几何尺寸的变化规律。结果表明:负离焦能加工出质量更好的裂解槽;峰值功率、脉冲宽度、脉冲频率和切割速度对槽深和张角的影响较大,对槽宽和曲率半径的影响较小,但在裂解槽深度为0.5~0.6 mm时,张角在10°~25°的较小范围内变化。