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61.
Liang Y.C. Wenjiang Zeng Pick Hong Ong Zhaoxia Gao Jun Cai Balasubramanian N. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(12):700-703
In this letter, a concise process technology is proposed for the first time to enable the fabrication of good quality three-dimensional (3-D) suspended radio frequency (RF) micro-inductors on bulk silicon, without utilizing the lithography process on sidewall and trench-bottom patterning. Samples were fabricated to demonstrate the applicability of the proposed process technology. 相似文献
62.
阐述了会计信息失真的表现形式及其危害性,从会计自身、内控制度、外部审计、道德观念、执法等方面分析了会计信息失真的原因,并从完善法规制度、实行会计委派制、健全会计监督体系、加强立法和执法力度、更新观念、提高素质等方面提出了治理会计信息失真的办法,从根本上杜绝会计信息失真的现象。 相似文献
63.
64.
In this paper, a localized MEI method (L-MEI) is developed and combined with the domain decomposition method (DDM) for the simulation of scattering by a concave cylinder. In the L-MEI, the whole domain is decomposed into many subdomains. Different from the conventional MEI method, the MEI coefficients of the L-MEI method in each subdomain are only dependent on the localized metrons that are defined in the subdomain. The localization of metrons has the following advantages: (1) speeding up the calculation of MEI coefficients and saving memory, (2) making the MEI method available for concave structures, and (3) obtaining a band sparse matrix directly without any modification 相似文献
65.
基于数字信号处理器的直流电机控制系统 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了定点数字信号处理器(DSP)TMS320F240的一般性能及其在永磁无刷直流电机控制上的应用,给出了硬件设计方案、软件策略及输出结果。 相似文献
66.
中厚板轧制边部不均匀变形机理的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
通过分析宽中厚板轧制过程中的边部不均匀变形,探讨了其影响因素及大宽度板“切边纵裂”的产生原因,提出了解决问题的具体办法。 相似文献
67.
68.
低品位硼矿的富集加工技术 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了青海大柴旦地区低品位硼矿富集加工的新工艺,该工艺使硼矿品位30%-35%,B2O3收率大于80%,该工艺路线已工业化。 相似文献
69.
70.
Zhang Li Chun Jin Hai Yan Ye Hong Fei Gao Yu Zhi Ning Bao Jun Mo Bang Xian 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(6):1075-1076
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively 相似文献