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81.
崔光耀 《信息安全与通信保密》2005,(11):28
今年以来,可信计算技术以及基于该技术的“安全芯片”,“安全PC”继续升温,一些厂家也纷纷宣布推出或正酝酿推出可信计算产品。9月27日“可信计算平台应用、发布研讨会”在京召开,来自国内的专家、厂商、用户等约200多名代表参加了会议。国信办领导,沈昌祥院士、屈延文教授等信息安全专家到会并发表讲话。此次大会由中国信息产业商会信息安全产业分会、中国信息协会信息安全专业委员会联合主办,由武汉瑞达信息安全产业股份有限公司(以下简称瑞达公司)承办。 相似文献
82.
Yang Cao Qing Zhang Yaqing Wei Yanpeng Guo Zewen Zhang William Huang Kaiwei Yang Weihua Chen Tianyou Zhai Huiqiao Li Yi Cui 《Advanced functional materials》2020,30(7)
Layered transition metal (TM) oxides of the stoichiometry NaxMO2 (M = TM) have shown great promise in sodium‐ion batteries (SIBs); however, they are extremely sensitive to moisture. To date, most reported titanium‐based layered anodes exhibit a P2‐type structure. In contrast, O3‐type compounds are rarely investigated and their synthesis is challenging due to their higher percentage of unstable Ti3+ than the P2 type. Here, a pure phase and highly crystalline O3‐type Na0.73Li0.36Ti0.73O2 with high performance is successfully proposed in SIBs. This material delivers a reversible capacity of 108 mAh g?1 with a stable and safe potential of 0.75 V versus Na/Na+. In situ X‐ray diffraction reveals that this material does not undergo any phase transitions and exhibits a near‐zero volume change upon Na+ insertion/de‐insertion, which ensures exceptional long cycle life over 6000 cycles. Importantly, it is found that this O3‐Na0.73Li0.36Ti0.73O2 shows superior moisture stability, even when immersed into water, which are both elusive for conventional layered TM oxides in SIBs. It is believed that the small interlayer distance and high occupation of interlayer vacancy promise such unprecedented water stability. 相似文献
83.
84.
对于采用部分连接架构的毫米波MIMO系统,为了提升频谱效率,根据信道条件动态调整各子阵列的天线组成。然而,对天线进行最佳分组需要按照一定准则对所有可能的天线组合进行穷举搜索,将导致复杂度难以接受。针对这一问题,提出了一种低复杂度的子阵列动态分配方法,核心是在对阵元进行分组时,引入一定的规则,从而显著降低组合个数,减少搜索范围。具体而言,给出了两种低复杂度的天线组合算法。首先,考虑到毫米波天线间具有较强的相关性,将相邻多个天线虚拟为一个阵元,从而降低搜索空间。其次,通过将所有天线分为上下半区,实现基于分区的天线组合,实现了搜索空间的降低。仿真结果表明,所提的方法能够在性能和复杂度之间获得较好的折中。 相似文献
85.
86.
R. Gul K. Keeter R. Rodriguez A.E. Bolotnikov A. Hossain G.S. Camarda K.H. Kim G. Yang Y. Cui V. Carcelen J. Franc Z. Li R.B. James 《Journal of Electronic Materials》2012,41(3):488-493
We studied, by current deep-level transient spectroscopy (I-DLTS), point defects induced in CdZnTe detectors by three dopants: Pb, Bi, and In. Pb-doped CdZnTe detectors have a new acceptor trap at around 0.48?eV. The absence of a VCd trap suggests that all Cd vacancies are compensated by Pb interstitials after they form a deep-acceptor complex [[PbCd]+-V Cd 2? ]?. Bi-doped CdZnTe detectors had two distinct traps: a shallow trap at around 36?meV and a deep donor trap at around 0.82?eV. In detectors doped with In, we noted three well-known traps: two acceptor levels at around 0.18?eV (A-centers) and 0.31?eV (VCd), and a deep trap at around 1.1?eV. 相似文献
87.
业务全面IP化、网络全面宽带化,成为这个时代的两大方向,并在省内干线传送网领域形成了富有激情的碰撞。“面向全IP业务的光传送网”显示出越来越明晰的框架,引领着最新的技术潮流。从未来来看,网络的IP化、扁平化不可逆转,省内干线传送网络最终会成为IP over Optical的架构。 相似文献
88.
89.
Lin-Song Cui Shou-Cheng Dong Yuan Liu Mei-Feng Xu Qian Li Zuo-Quan Jiang Liang-Sheng Liao 《Organic Electronics》2013,14(7):1924-1930
This study investigated the use of a novel modification in molecular design to get two new electron-transport host materials, SF3PO and BSF3PO. By linking the phosphine oxide moieties at meta-position of spirobifluorene rings, higher triplet energies could be easily achieved for these two new materials. The steric spirobifluorene structures could guarantee their good thermal stabilities. According to these properties, their applications as host materials for deep blue phosphorescent organic light-emitting diodes (PHOLEDs) were explored. As expected, the deep blue emitting devices with Ir-complex FIr6 as phosphorescent dopants and SF3PO and BSF3PO as hosts had been fabricated and showed high efficiency of 28.5 and 22.0 cd/A, respectively, which were significantly higher than that of the para-linked analogue SPPO1. 相似文献
90.
采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件。优化了管壳内匹配形式,采用内匹配技术提高了器件输入阻抗及输出阻抗,采用外电路匹配的方法对器件阻抗进行了进一步提升。通过对输出匹配电路的优化实现了超宽带功率输出。优化了外电路偏置电路,消除了栅压调制效应,提高了电路稳定性。栅宽5 mm器件,脉宽为100μs、占空比为10%脉冲工作,工作电压VDS为48 V,在0.8~2.0 GHz频带内脉冲输出功率为15.2 W(41.83 dBm),功率密度达到3.04 W/mm,功率增益为8.8 dB,效率为35.8%,最终实现了超宽带大功率器件的制作。 相似文献