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101.
采用光学薄膜理论中干涉矩阵模型计算了峰值波长为630nm的AlGaInP红光LED的Al0.6Ga0.4As/AlAs材料的常规DBR和复合DBR的反射谱特性,用LP-MOCVD方法生长了模拟设计的DBR结构,测量了其白光反射谱,实验与模拟结果基本符合.制备了采用Al0.6Ga0.4As/AlAs复合DBR的LED器件,未封装输出光功率为2.3mW,外量子效率为5.6%,发光效率可达12 lm/W,比常规DBR器件提高了35%.验证了复合DBR与常规DBR相比,可以大幅度提高AlGaInP红光LED的出光效率. 相似文献
102.
制备了结构为indium-tin-oxide(ITO)/polystyrene(PS):N, N'-bis-(3-Naphthyl)-N, N'-biphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/tris-(8-hydroxyquinoline)-aluminum(Alq3)/Mg:Ag的绿光双层有机电致发光器件(OLED).空穴传输层采用复合结构,为有机小分子空穴传输材料NPB与聚合物母体材料聚苯乙烯(PS)的掺杂体系,并利用旋涂工艺简化了薄膜制备.通过调节该体系的组分,制备出具有不同PS:NPB浓度比的OLED器件,并对器件的电致发光特性进行了表征.研究发现,不同的NPB掺杂浓度对复合空穴传输层以及器件的光电特性具有显著影响.当 PS和NPB的组分浓度比为1时,可以最大限度地优化该器件的性能.该项研究有助于OLED器件复合功能层的构建以及工艺方法的改进. 相似文献
103.
104.
只用两个量子态的星型量子密钥网络方案 总被引:4,自引:0,他引:4
要建立一个安全的保密通信通道,关键就是密钥管理。传统的密钥管理并不能完全解决安全问题,量子密码技术却可以从根本上解决这个问题。本文从实用的角度提出一个基于无源光学网络环境中建立量子密钥的实用方案,这个方法可以由一个网络控制者在一个星型网络上和多个网络用户分别建立、更新密钥。为节约量子探测设备,和通常用四个量子态的保密通信方案相比,这个方案只用了两个量子态。本文还分析了在网络的各个位置上存在窃听时网络的安全性能。 相似文献
105.
非傍轴厄米-正弦-高斯光束的特性 总被引:1,自引:0,他引:1
为了研究厄米-正弦-高斯(HSiG)光束在非傍轴情形下受参量影响的特性,基于光强二阶矩理论,经过一系列复杂的数学计算,得出了非傍轴厄米-正弦-高斯光束的远场发散角、束腰宽度以及光束传输因子的解析式,并通过数值模拟,得到了它们与离心参量的关系。结果表明,在束腰宽度与波长比取值逐渐减小时,随着离心参量趋于0,当阶数为奇数和偶数时.发散角分别趋于63.435°和73.898°。束腰宽度和光束传输因子随参量的增加呈现较大的起伏,非傍轴情形下的光束传输因子取值与傍轴情况有很大的不同,其受参量影响不仅可以小于1,甚至趋于0。 相似文献
106.
A p-type low-temperature poly-Si thin film transistors (LTPS TFTs) integrated gate driver using 2 non-overlapped clocks is proposed. This gate driver features charge-sharing structure to turn off buffer TFT and suppresses voltage feed-through effects. It is analyzed that the conventional gate driver suffers from waveform distortions due to voltage uncertainty of internal nodes for the initial period. The proposed charge-sharing structure also helps to suppress the unexpected pulses during the initialization phases. The proposed gate driver shows a simple circuit, as only 6 TFTs and 1 capacitor are used for single-stage, and the buffer TFT is used for both pulling-down and pulling-up of output electrode. Feasibility of the proposed gate driver is proven through detailed analyses. Investigations show that voltage bootrapping can be maintained once the bootrapping capacitance is larger than 0.8 pF, and pulse of gate driver outputs can be reduced to 5 μs. The proposed gate driver can still function properly with positive VTH shift within 0.4 V and negative VTH shift within-1.2 V and it is robust and promising for high-resolution display. 相似文献
107.
压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件因具有双面散热、短路失效和易于串联等优点,正逐步应用到柔性直流输电等领域.但其在工作过程中的热学、力学特性与传统焊接式IGBT模块相比有很大差异,故存在不同的长期可靠性问题.基于有限元法建立了压接型IGBT器件单芯片子模组多物理场耦合仿真模型,研究了三种功率循环仿真条件下器件的热学和力学特性,并且在功率循环过程中利用金属弹塑性模型来模拟材料的瞬态特性.仿真结果表明,IGBT芯片发射极表面与发射极钼片相接触的边缘是应力集中区域,芯片发射极表面栅极缺口和四周边角处有明显的塑性变形.同时,将仿真结果与实际失效的IGBT芯片进行了对比,进一步验证了仿真模型的有效性和适用性. 相似文献
108.
Ad Hoc网络信道接入协议 总被引:7,自引:0,他引:7
文章首先介绍了AdHoc网络特有的隐终端和暴露终端问题 ,并对可能的解决方法进行了分析。在总结了前人工作的基础上 ,将AdHoc网络信道接入协议划分成基于单信道、双信道和多信道三类。文章还介绍了几种具有代表性的单信道接入协议 ,并给出了AdHoc网络信道接入协议的发展动向 相似文献
109.
110.