氧化锌纳米结构的制备与应用研究进展

总结了多种氧化锌纳米结构制备的方法,以及在传统工业和高新技术产业等多方面的应用.介绍了一种制备氧化锌纳米结构的水解方法,所得的棒状与块状复合的氧化锌纳米结构在光催化降解有机物方面具有优异性能,扩展了氧化锌纳米结构的制备方法和应用方向.     

嵌入式Linux混合文件系统的设计与分析

嵌入式Linux系统必须达到性能和空间的优化.文章对嵌入式Linux进行了耗时分析,根据系统对根文件目录操作中耗时问题设计了嵌入式Linux混合文件系统,并与常见单一文件系统在启动速度和程序运行速度上对其进行了仿真测试.数据证明混合型文件系统不仅占用空间较小,并且能提高系统的性能.     

单圆弧样条保形插值算法

该文以插值具有偶数个点的闭多边形为例提出了一种新的圆弧样条插值算法。这种算法具有以下3个特点：（1）生成的圆弧样条曲线具有保形的特点；（2）圆弧样条中圆弧的段数与型值点个数相同。（3）圆弧段之间的连接点不一定在插值的型值点上，这样就能用更多的自由度来控制拟合曲线的形状。同此文中还提出了一个优化的算法来得到光顺的插值曲线，同时还给出了几个例子加以说明。     

基于国际标准的通用自动测试软件平台设计

传统自动测试系统缺乏通用性,最根本的解决方法是标准化。本文以ABBET（ABroad—Based Environment for Test）标准为主,与ATS（Automatic Test System）相关的其他国际标准为辅,采用符合标准描述的软件层次结构,使用COM组件和CORBA等软件设计技术,开发了面向信号的通...     

计算命中目标破片数及其分布的投影球方法

本文提出的计算破片战斗部命中目标破片主其分布的投影球方法具有概念明确、思路清晰、算法相对简单之特点,具有较强的通用性,并可获得足够高的计算精度。该方法在目标毁伤研究方面具有重要的参考价值。     

Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex:C缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.     

0.5μm SOI CMOS工艺开发与器件建模

对0.5 μm SOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数.根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSIMproPlus软件中的BSIMSOI MOS模型,根据MOS管宽长比进行器件分类和建模,得到模型参数.对于部分耗尽SOI器件的固有浮体效应和kink效应,采用体接触方法来缓解其负...     

大剂量Mn离子注入GaAs的性质

在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入，并进行了不同条件的退火. 借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析，经过退火后生成的新相衍射峰增多，根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格. 运用原子力显微镜分析了样品的表面，发现退火后突起的起伏度增加. 磁性分析表明，退火样品的磁化强度增大.     

高速切削振动的形成及其控制

基于系统工程理论,阐述了高速机床结构、工具系统构成、工件材料特性、切削参数选用和加工环境状况是导致高速切削加工振动形成的主要原因。探讨了高速加工振动形成的机制,并针对高速加工系统各部位控制的特点,提出了主动控制高速加工振动的主要控制策略及改进途径。     

InN薄膜的退火特性

对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.