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991.
A 2 /spl mu/m InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) matrix amplifier with a new gain cell achieving 17.2 dB gain and 41 GHz bandwidth is reported. Using the gain-bandwidth products per transistor f/sub t/ and f/sub max/ as the figures of merit for measuring the effectiveness of amplifier design, it achieves 4.72 and 4.43, respectively, demonstrating among the best-reported bipolar broadband amplifiers 相似文献
992.
应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构,并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件.在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法.结果表明,不使用SiO2做掩模的情况下,由于PMMA胶选择性较差,在刻蚀过程中难以保证图形的准确转移.而增加SiO2掩模后,获得了图形质量良好的光子晶体结构.成功实现了利用光子晶体结构增强LED的出光效率,与未制作光子晶体结构的LED相比,光子晶体结构LED的出光效率可在原来基础上提高1倍以上.并且随着晶格常数的增加,出光效率进一步提高. 相似文献
993.
994.
995.
本文介绍了HSDPA的发展背景,针对HSDPA的主要技术特点,依据市场发展规划、用户需求等方面对HSDPA部署进行探讨,并对HSDPA的覆盖与容量方面进行规划分析. 相似文献
996.
利用自行研制的垂直开管富汞热处理设备,研究了碲镉汞(HgCdTe)富汞热处理技术。经富汞条件下3000C热处理和后续的常规N型热处理,As掺杂的Hg1-xCd,Te分子束外延材料中的As原子已被激活成P型受主,As原子激活率同石英管封管热处理试验的结果基本一致。对包括3in Si基衬底在内的材料退火前后表面形貌进行的比较显示,样品表面形貌可得到很好的保护。研究结果表明,碲镉汞开管富汞热处理技术可用于第三代碲镉汞红外焦平面技术所需大面积多层掺杂异质外延材料的制备。 相似文献
997.
998.
为了提高无线传感器网络的稳定期,提出了一种高效节能的加权选举协议。该协议使用集群策略结合链状路由算法,在异构的无线传感器网络环境下改善节能并且延长稳定期。仿真结果表明该协议在网络寿命和稳定期方面的性能都优于LEACH,SEP和HEARP。另外,实验表明在异构环境下稳定期依赖于节点的额外能量。 相似文献
999.
1000.
Lu Jun Ruan Qiuqi 《电子科学学刊(英文版)》2006,23(6):882-887
This paper focuses on the quantitative analysis issue of the routing metrics tradeoff problem, and presents a Quantified Cost-Balanced overlay multicast routing scheme (QCost-Balanced) to the metric tradeoff problem between overlay path delay and access bandwidth at Multicast Server Nodes (MSN) for real-time applications over Internet. Besides implementing a dynamic priority to MSNs by weighing the size of its service clients for better efficiency, QCost-Balanced tradeoffs these two metrics by a unified tradeoff metric based on quantitative analysis. Simulation experiments demonstrate that the scheme achieves a better tradeoff gain in both two metrics, and effective performance in metric quantitative control. 相似文献