两种鲁棒数字水印技术

为有效地解决多媒体产品版权保护问题,本文提出了两种基于静止图像小波变换域位平面分解的鲁棒数字水印算法,即将水印信息嵌入小波域低频逼近系数高位位平面,有效地提高了水印信息的鲁棒性。实验结果证明,该算法具有较好的鲁棒性,并可保证水印的不可见性。     

激光辐照对不同饵料微藻生长的影响

利用Nd:YAG激光(波长1.06μm,功率5W,照射时间0.5-3min)和Ar 激光(波长:488nm,功率70mw,照射时间5-20min)分别照射角毛藻和叉鞭金藻,辐照后进行细胞增殖和生长速率的测定。实验结果表明:照射剂量为1min的Nd:YAG激光及剂量为5min的Ar 激光对叉鞭金藻有较明显的促长效果,这两种激光处理组的细胞增殖量在辐照后的两天内较对照组分别高42.9%和48.1%,但这种促长效果随时间的推移逐渐消失。不同剂量的两种激光辐照角毛藻后,在延滞期均出现生长抑制现象,但进入指数生长期或传代培养后,剂量为1min的Nd:YAG激光及剂量为10min的Ar 激光对角毛藻有明显的促长效果,其中在指数生长期1min剂量的Nd:YAG激光处理可促长27.0%,传代培养后10min的Ar 激光处理组生长速率提高达51.2%。本文对不同激光及不同激光参数条件下,两种饵料藻的耐受性及生长特性的差异也进行分析探讨。本实验结果不仅证实了已有研究的推论,还展示出激光技术在饵料藻种选育中的应用前景。     

镁合金表面宽带激光熔覆Cu-Zr-Al合金涂层

采用宽带激光熔覆技术在镁合金表面制备了Cu-Zr-Al合金涂层。研究结果表明,Cu-Zr-Al合金涂层是由ZrCu、Cu8Zr3、Cu1 0Zr7和Cu5 1Zr1 4金属间化合物和α-Mg所构成,其中ZrCu相呈连续网状分布于由Cu8Zr3、Cu1 0Zr7、Cu5 1Zr1 4相所构成的灰色区周围。熔覆区和热影响区之间呈现出犬牙交错型界面结合特征。受熔覆材料元素扩散迁移的影响,热影响区具有典型的共晶组织形态。由于合金涂层中多种金属间化合物的增强作用,使合金涂层具有高的硬度、弹性模量、耐磨性和耐蚀性。     

n型4H-SiCMOS电容的特性

在n型4H-SiC外延层上，采用H2, O2合成的办法，热生长30nm的SiO2层，并制备出Al栅MOS电容，完成了C-V特性的测试和分析工作，根据测试结果得出了SiO2与4H-SiC外延层的界面特性，并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度. 结果表明H2, O2合成热生长的SiO2与4H-SiC外延层之间具有较好的界面特性，界面态密度较小. n型4H-SiC外延层的掺杂均匀，浓度为1.84e17cm-3.     

KBturbo码中交织器的设计

已知比特(KB,Known Bits)turbo码是采用将KB周期性的插入到信息比特中,不显著增加系统复杂程度而较大提高turbo码译码性能。但因为一般采用了随机交织器,所以在引入KB方法时,产生了不等差错保护的问题。这个问题可以通过采用KB交织器,将KB在交织器中均匀分配来解决。仿真证实,以伪随机交织器和S随机交织器为基础的KB交织器可以显著提高系统性能。而且采用KB turbo码可以方便地实现速率适配,满足第三代移动通信系统的要求。     

全业务网APON光纤接入传输系统

介绍在国家八六三计划资助下研制成功的全业务网接入传输系统 ,首先简述了系统构成、用户业务接口和传输帧结构 ,接着对 HFC双向光纤传输系统进行了简介 ,最后介绍了 ATM- PON系统和HFC系统的性能指标     

高性能X波段直接式频综的设计

介绍一种X波段直接式频综的设计方案,对其输出杂散进行分析,并给出研制结果,在10GHz的输出频率上,偏离载频1kHz处的相噪为－108dBc/Hz,杂散优于－70dBc,跳频时间小于0．7μs,可捷变40个点。     

氦—氖激光血管内照射治疗脑梗塞疗效观察与机制探讨

目的：探讨低能量He-Ne激光血管风照射治疗脑梗塞的疗效。方法：将144例脑梗塞患者附机分为实验组和对照组,各72例,实验组采用低能量He-Ne激光血管内照射治疗,同时结合药物治疗,对照组仅给予药物治疗。结果：实验组和对照组总有效率分别是91.67%和75％,两组疗效显著（P＜0.05）。结论：低能量He-Ne激光血管内照射治疗脑梗塞疗效显著,安全可靠,无付作用。     

Boron diffusion into 6H-SiC through graphite mask

Experimental results are reported of selective diffusion of boron in 6H−SiC. Photoluminescence spectroscopy scanning electron microscopy cathodoluminescence imaging, secondary-ion mass spectroscopy optical microscopy, and stain-groove technique were used to characterize the selectively doped regions fabricated by diffusion from the vapor phase through a graphite mask. Local p-doped regions of dimensions down to ∼20 μm in diameter were formed on an n-type substrate using the graphite mask. Maximum concentration of boron atoms at the surface, obtained by SIMS, varied from 3×10¹⁹ cm⁻³ to 6×10¹⁹ cm⁻³, depending upon the temperature of diffusion, while the p-n junction depth measured by the stain-groove technique varied from 0.5 μm to 1.2 μm. Planar p-n junction diodes fabricated on the diffused regions exhibited good rectification characteristics with a breakdown voltage of about 1000 V.     

Wideband dual-polarised microstrip patch antenna

A dual-polarised microstrip antenna capable of achieving a wide bandwidth, a high isolation, low cross-polarisation levels and low backward radiation levels is presented. The H-shaped coupling aperture is used. For wide bandwidth and easy integration with active circuits, it uses the aperture-coupled stacked microstrip square patches. Measured return loss exhibits a bandwidth of over 20.9%, and isolation is better than 36 dB over the bandwidth. Cross-polarisation levels and the front-to-back ratio are better than 22 and 21 dB, respectively