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本文介绍一种研究a-Si:H/a-SiN:H界面层电子积累特性的新方法,所用样品为Cr/a-SiN:H/a-Si:H/(n+)a-Si:H/AI.测试表明,a-Si:H/a-SiN:H界面是一个电子积累层,其电子面密度为3.2×10~(11)/cm~2,并且界面层中的电子面密度随外加电压的增加而线性增加。实验结果与理论分析相一致。 相似文献
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为研究爆炸冲击波对破片穿孔后板结构的毁伤效应,使用激波管为冲击波加载设备,对不同孔形的预制孔铝板进行冲击波加载.利用三维数字图像相关(3 D-DIC)技术,分析固支预制孔方形铝板在冲击波加载条件下的动态响应,得到预制孔铝板的动态响应和变形失效过程.结合3 D-DIC结果分析孔形对靶板刚度、破坏形式、承载能力的影响.结果表明:圆形孔靶板刚度最大,圆形孔靶板的极限承载能力最大,菱形孔靶板极限承载能力最差;孔形对撕裂破坏的影响主要体现在孔的角点在靶板分布上.该实验结果对固支板结构的抗爆设计具有一定参考价值. 相似文献
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PIN二极管子电路模型与微波限幅研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用一种改进的PIN二极管子电路模型,通过Pspice软件瞬态仿真研究了PIN限幅器的平顶泄漏和高频限幅性能。利用该子电路对新型SiC材料PIN二极管建模仿真,仿真结果表明新型二极管可以提高限幅器的性能。 相似文献
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GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义.为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路模型.利用不同的方法提取开关器件的寄生电容、寄生电感以及寄生电阻.对于栅极附加有千欧姆量级偏置电阻的开关器件提出了一种新的本征参数提取方法.最后通过引入误差因子来评估该模型的准确性和应用在单刀双掷(SPDT)开关电路中检验模型的正确性.结果表明,误差因子E11 =E22<2.96%,E12 =E21 <1.27%,开关电路拟合S参数与实测S参数结果基本吻合.所设计的小信号模型对未来GaN基电路设计提供了一定的理论指导. 相似文献
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Full Color Emission in ZnGa2O4: Simultaneous Control of the Spherical Morphology,Luminescent, and Electric Properties via Hydrothermal Approach 下载免费PDF全文
Yang Zhang Zhijian Wu Dongling Geng Xiaojiao Kang Mengmeng Shang Xuejiao Li Hongzhou Lian Ziyong Cheng Jun Lin 《Advanced functional materials》2014,24(42):6581-6593
ZnGa2O4 and ZnGa2O4: Mn2+/Eu3+ with uniform nanosphere (diameter about 400 nm) morphology have been synthesized via a facile hydrothermal approach. XRD, Raman spectra, XPS, FT‐IR, SEM, TEM, photoluminescence (PL), and cathodoluminescecne (CL) spectra are used to characterize the resulting samples. The controlled experiments indicate the dosage of trisodium citrate and pH values are responsible for shape determination of the ZnGa2O4 products. The possible fast crystallization–dissolution–recrystallization formation mechanism for these nanospheres is presented. Under UV light and low‐voltage electron beam excitation, ZnGa2O4, ZnGa2O4: Mn2+ and ZnGa2O4: Eu3+ emit bright blue, green, and red luminescence, respectively. Based on density functional theory calculations from first principles, the green and red emission are caused by the Mn 3d and Eu 4f electronic structures, respectively. Besides, the dependence of the CL intensity on the calcination temperature and electrical conductivity of the samples is presented. The ZnGa2O4: Mn2+ nanospheres have a higher CL intensity than that of bulk samples under the same excitation condition. The realization of three primary colors from a single host material suggests that full color display based on ZnGa2O4 nanospheres might be achievable, showing that these materials have potential applications in lighting and display fields. 相似文献
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