砂岩油藏注水井深部酸化技术

吐哈油田长期注水开发后,注入水外源性伤害和地层内源性伤害不断在地层深部累积,采用常规酸化措施效果不理想。为此,通过长岩心污染模拟实验,研究了深部污染的污染特征及酸化解堵机理,通过解堵液缓速和工艺过程的综合应用实现深部解堵。应用AcidGuide专家系统对单井进行全面的污染诊断分析,并进行了参数优化设计,形成了适应吐哈油田深部酸化解堵的技术体系,现场应用取得良好效果,为类似低渗透油藏水井增注措施提供参考。     

催化主风机故障分析与处理

主风机发生喘振后流量减小并且振动增大,抢修后振动未消除反而增加,且有上升趋势.运用状态监测方法对其测试分析,查出振源为动不平衡和对中不良.为使机组能继续安全运行,采取了加强监测,降低轴系负荷和降低润滑油油温等措施,故障消除.     

冬冷夏热地区户式空调设计与节能分析

以一单元式住宅的风道式户式空调系统为例，探讨了冬冷夏热地区户式空调的新风量确定方法，分析了户式空调的负荷特性，节能设计及户式空调系统的设计负荷与设计风量。     

彩色显像管电子束亮度分布自动测量系统

电子束轮廓的描述是彩色显像管特性检测中的难点之一。采用光电转换与计算机信息处理技术，通过自动调整边界条件和三次样条拟合的方法建立了电子束轮廓自动测量系统。与传统测量方法相比，该系统精度高，测试速度快，极大地减轻了测试人员的工作强度，并增加了对排列率和并列率等的测试功能。     

秦山核电厂气载放射性释放的环境影响

本文评价了秦山核电厂气载放射性流出物对环境的影响。应用现场及风洞大气扩释实验结果和厂址周围的人口与食谱调查资料,估算了秦山核电厂在正常运行和事故条件下释放的气载放射性流出物对公众产生的个人有效剂量当量和集体有效剂量当量。计算结果表明,正常运行时厂址边界(0.5km)处的最大个人有效剂量当量为2.7×10~(-2)mSv/a,该剂量的大部分来自~(137)Cs 的食入(主要由地表湿沉积引起);80km 范围内的集体有效剂量当量为1.1人·Sv/a,归一化集体有效剂量当量为3.7人·Sv/GW(e)·a。文中还给出了事故情况下剂量估算结果。     

Synteny mapping of four genes from the short arm of human chromosome 19 to bovine chromosome 7

Four genes on the short arm of human chromosome 19 (HSA 19p) were assigned to bovine chromosome 7 (BTA 7) using a bovine x rodent somatic hybrid cell panel. These four genes were cartilage oligomeric matrix protein (COMP), lymphoblastic leukemia derived sequence 1 (LYL1), lysosomal alpha-mannosidase (MANB), and RAS oncogene family member RAB3A. Bovine sequence tagged sites were developed for the four genes and used for screening a bovine x rodent somatic cell panel. All four genes were mapped to bovine synteny group U22 (BTA 7) with a correlation coefficient of 0.901-1.000. This study confirms that the centromeric region of BTA 7 is conserved with HSA 19p.     

HCl氧化物MOS结构质子辐照诱导的界面陷阱效应

用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0～10％HCl的气氛中热生长而成,质子辐照能量为120～300keV,注入总剂量范围为8×10~(13)～1×10~(16)p/cm~2。结果表明,辐照诱导的界面陷阱能级密度随质子能量、剂量增加而增加。然而,氧化层中掺入6％HCl时,辐照诱导的界面陷阱明显减少。这样,已能有效地改变MOS器件的抗辐照性能。实验结果可用H~+二级过程解释。     

GaAs亚微米自对准工艺技术研究

总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。