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B. Dagens A. Martinez D. Make O. Le Gouezigou J.-G. Provost V. Sallet K. Merghem J.-C. Harmand A. Ramdane B. Thedrez 《Photonics Technology Letters, IEEE》2005,17(5):971-973
Among the new semiconductor materials for telecom devices, the GaInNAs-GaAs structure presents interesting properties for low-cost applications, like high differential gain and high T/sub 0/. Another key aspect of the performance is the behavior of the GaInNAs-GaAs based lasers under high bit rate direct modulation. Here, we demonstrate the dynamic capabilities of GaInNAs-GaAs three-quantum-well ridge structure through 2.5-Gb/s directly modulated laser emission and transmission on standard fiber, in the temperature range 25/spl deg/C-85/spl deg/C. Besides transmission is demonstrated up to 10 Gb/s at 25/spl deg/C on the same fiber, without penalty and bit-error-rate floor. 相似文献
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本文分析了造成ora-01555错误的原因,并提出解决办法。ora-01555错误一直是DBA与developer争论的焦点,解决其问题应是双方协调的结果。 相似文献
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In this paper we consider two performance modelling techniques from the perspectives of model construction, generation of
an underlying continuous time Markov process, and the potential for reduction in the Markov process. Such careful comparison
of modelling techniques allows us to appreciate the strengths and weaknesses of different approaches, and facilitates cross-fertilization
between them. In the present case we take a characteristic of one formalism, functional rates in Stochastic Automata Networks,
and introduce it to the other formalism, Performance Evaluation Process Algebra. We investigate the benefits of this cross-fertilization,
particularly from the perspectives of Markov process generation and reduction. 相似文献
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Moselund K.E. Bouvet D. Tschuor L. Pott V. Dainesi P. Eggimann C. Le Thomas N. Houdre R. Ionescu A.M. 《Nanotechnology, IEEE Transactions on》2007,6(1):118-125
In this work we present a bulk silicon technology platform able to cointegrate gate-all-around (GAA) MOSFETs and local SOI waveguides with pentagonal cross section. Wire diagonals of 100-800 nm are obtained using a lithographic resolution of 0.8 mum. Well-functioning triangular multigate MOSFETs are reported, and tested up to 150 degC. A significant increase is observed in the low-field mobility mu0 for small devices (Weffles500 nm), which is attributed to local volume inversion in the corners. Preliminary characterization of the optical waveguides is carried out, showing optical losses of a few dB/cm. The processing is entirely CMOS compatible, does not require access to advanced lithography equipment, and is based on a silicon bulk substrate. Thus, this technology might serve as the basis for a low-cost, high-performance optical signaling platform 相似文献
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单壁碳纳米管的制备及生长特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响 相似文献
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In Part I of this paper, a theoretical basis is presented using a two-degrees-of-freedom model. In this second part of the study, the passive control and the two types of semiactive controls introduced in Part I are examined numerically for a taut cable experiencing wind-induced galloping motion. The passive and the semiactive control schemes for taut cables show a good similarity with the results obtained for the two-degrees-of-freedom model. The potential of using these control schemes in practical applications to flexible structures is demonstrated. 相似文献
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数字多媒体广播(DMB)是从数字音频广播(DAB)基础上发展起来的一种新型广播技术。数字音频广播是在调幅AM和调频FM之后的第三代广播技术。通过对数字多媒体技术的介绍较全面地阐述了其技术系统、功能、现状及发展前景。 相似文献
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