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41.
随着当代社会中智能电视的飞速发展,人们对电视功能需求越来越高,对电视遥控器的控制要求也越高,仅靠通过增加按键的方式并不能适应所有的用户需求.新型的感应遥控器基于3D触摸板设计,利用感应遥控器来控制智能电视轻松实现音乐的播放,真正的实现了人机交互的理念,提高用户体验的同时也满足了当前市场的需求. 相似文献
42.
Chin-Hui Lee Qiang Huo 《Proceedings of the IEEE. Institute of Electrical and Electronics Engineers》2000,88(8):1241-1269
Recent advances in automatic speech recognition are accomplished by designing a plug-in maximum a posteriori decision rule such that the forms of the acoustic and language model distributions are specified and the parameters of the assumed distributions are estimated from a collection of speech and language training corpora. Maximum-likelihood point estimation is by far the most prevailing training method. However, due to the problems of unknown speech distributions, sparse training data, high spectral and temporal variabilities in speech, and possible mismatch between training and testing conditions, a dynamic training strategy is needed. To cope with the changing speakers and speaking conditions in real operational conditions for high-performance speech recognition, such paradigms incorporate a small amount of speaker and environment specific adaptation data into the training process. Bayesian adaptive learning is an optimal way to combine prior knowledge in an existing collection of general models with a new set of condition-specific adaptation data. In this paper, the mathematical framework for Bayesian adaptation of acoustic and language model parameters is first described. Maximum a posteriori point estimation is then developed for hidden Markov models and a number of useful parameters densities commonly used in automatic speech recognition and natural language processing 相似文献
43.
推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数,并研究了温度漂移的主要原因。此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助。首先,建立了直接栅MOSFET静电场传感器沟道中电荷随温度变化的模型。其次,根据直接栅MOSFET沟道载流子浓度和载流子迁移率都为温度的函数,将直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移定义为由沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ,并对它们与温度的关系作了推导和研究。最后,对沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ进行了模拟和比较。模拟结果表明,温度漂移系数αμ远小于温度漂移系数αQ。因此沟道载流子浓度随温度变化是直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移的主要原因。 相似文献
44.
LIGA技术制作Fresnel波带片的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
简要介绍了利用LIGA技术中同步辐射光刻、微电铸技术制作α粒子编码成像波带片的研究,讨论了编码波带片的结构和影响波带片的平面和层析分辨率的参数。根据实验要求设计和研制了一种α粒子编码成像波带片。 相似文献
45.
在LTE核心网中,通过引入PCC机制,来实现应用层业务数据流QoS需求到核心网承载层QoS分组过滤器之间的一致性映射和匹配问题。文章在详细介绍和分析LTE核心网中承载层QoS机制和PCC总体架构的基础上,研究如何将二者结合起来实现基于PCC和网络能力开放平台的QoS控制,从而提升运营商掌控网络提供业务的能力并改善用户的业务体验。 相似文献
46.
Tianhe Huang Guan Wang Mohammad-Ali Shahbazi Yuancheng Bai Jingrui Zhang Guobing Feng Elham Asadian Fatemeh Ghorbani-Bidkorpeh Zhiyuang Yang Yuanai Li Qingqing Huo Yingxin Liu Dongfei Liu 《Advanced functional materials》2023,33(2):2210627
A versatile surface decoration strategy to efficiently encapsulate water-soluble peptides is developed. By assembling peptide molecules into nanoparticles, diverse physiochemical properties of these compacted molecules are equalized to the surface properties of nanoparticles. Primarily driven by the generic electrostatic attractions, the surface of as-prepared peptide nanoparticles is decorated with charged amino acids-grafted poly(lactic-co-glycolic acid). This adsorbed polymer layer versatilely blocks the phase transfer of peptide nanoparticles by increasing their affinity to the dispersed phase solvent molecules. Attributed to the ultrahigh encapsulation efficiencies (> 96%), the peptide mass fraction inside the obtained microcomposites is higher than 48%. The plasma calcium level has been efficiently reduced for ≈3 weeks with only one single injection of salmon calcitonin-encapsulated microcomposite in osteoporotic rats. Similarly, one single injection of exenatide-encapsulated microcomposites efficiently controls the glycemic level in type 2 diabetic rats for up to 3 weeks. Overall, the developed versatile surface decoration strategy efficiently encapsulates peptides and improves their pharmacokinetic features, regardless of the molecular structure of peptide cargos. 相似文献
47.
48.
国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制 总被引:2,自引:0,他引:2
以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料.外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件总栅宽250 μm,饱和电流密度680 mA/mm,跨导约为20 mS/mm,在20 V下的栅漏截止漏电为10 μA,2 mA下栅漏击穿电压为80 V.比例占总数的70%以上.初步实现从衬底到外延,进而实现器件的完整工艺链,为进一步的工艺循环打下良好基础. 相似文献
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50.