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碳纳米管场发射冷阴极的低温制备及场发射性能 总被引:1,自引:0,他引:1
利用纳米银的低温熔接性和良好导电性,研究了以纳米银取代传统的有机粘结剂和导电银浆制备CNTs场发射冷阴极的新工艺.将CNTs、纳米银、粘性松油醇和有机溶剂混合研磨后涂敷在镀Cu玻璃基片上,250℃烧结30min后,纳米银颗粒之间互相熔接,将周围的CNTs粘结成为整体膜,形成了表面平整、导电性和场发射性能良好的CNTs阴极.测量了不同纳米银掺入量的CNTs阴极的场发射性能,结果表明:当CNTs:Ag质量比率为1:1时,CNTs阴极具有最好的场发射性能,阈值电场为4.9V/μm,当电场强度为5.7V/μm时,场发射电流密度为41mA/cm2.纳米银比例过大,烧结后CNTs被熔接的银膜覆盖,高电压时场发射电流明显下降,而纳米银掺入量太少则会导致CNTs阴极的附着力和导电性变差. 相似文献
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In colloidal suspensions of silica, particles undergo constant collisions. By controlling various parameters, the repulsive barrier can be reduced, thereby substantially increasing the number of collision‐induced dimerization events. Xia and co‐workers report on p. 1627 that the dimers could be arrested and then permanently fixed by introducing a small amount of fresh tetraethylorthosilicate into the colloidal suspension, with monodisperse dimer yields of up to 50 %. This yield could be increased to 80 % by centrifugation in a density gradient medium. When fresh tetraethylorthosilicate is introduced into a colloidal suspension of silica spheres, it hydrolyzes and condenses in situ to arrest and fix the dimers resulting from constant collisions between the spheres. By optimizing the experimental parameters (including the length of aging time) and the diameter of the silica spheres, as well as the concentrations of counterions, water, and ammonia, it is possible to routinely produce monodisperse dimers with a yield as high as 50 %. When combined with centrifugation using a density gradient medium, the yield of such dimers could be further increased to 80 %. It is believed that this method will provide a simple and versatile approach to the high‐volume production of dimers from spherical colloids composed of different materials. These dimers may find widespread use in a range of applications such as fabrication of photonic crystals and fundamental studies related to colloidal science. 相似文献
93.
本文介绍了降温水循环泵恒压供水变频改造的特点及变频控制系统与DCS控制应用于降温水循环泵变频调速控制的基本情况。 相似文献
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采用 GSMBE技术 ,在材料表征和分析的基础上 ,通过优化生长条件 ,生长出高性能In0 .4 9Ga0 .51P/ Ga As异质结双极晶体管 (HBT)微结构材料 ,并制备出器件。材料结构中采用了厚度为 6 0 nm、掺杂浓度为 3× 10 19cm-3的掺 Be Ga As基区和 5nm非掺杂隔离层 ,器件流片中采用湿法化学腐蚀制作台面结构。测试结果表明该类器件具有良好的结特性 ,在集电极电流密度 2 80 A/cm2时其共发射极电流增益达 32 0。由此说明非掺杂隔离层的引入有效地抑制了由于基区 Be扩散导致的 pn结与异质结偏位及其所引起的器件性能劣化。 相似文献
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99.
基于小波变换的激光干涉微位移变化量测量方法 总被引:1,自引:0,他引:1
为了克服传统快速傅里叶频谱分析方法不适用于非平稳信号的缺点,实现基于全光纤激光干涉微位移信号变化量的精确测量,研究了基于连续小波变换(CWT)非平稳信号分析的相位解调算法。分析了在信号的频带上如何利用小波脊提取数字信号的瞬时特征,并在提取的特征基础上,得到小波脊的相位,完成对信号相位的提取,进而得到物体的位移信息。根据处理方法,进行了理论分析、计算机模拟和相关的验证性实验,对采集的位移干涉信号进行处理得到待测位移量,并与傅里叶变换相位提取方法的测试结果进行了比较分析,证明该方法具有更高的精度,对各种信号处理都具有很强的稳健性。实验结果表明此算法精确度高、复杂度低,具有广泛的应用前景。 相似文献
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