MBE自组装量子点生长和结构形态研究

综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究。介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形态的实验观察。鉴于InAs/GaAs(001)体系的复杂性,把对InAs量子点的观察和研究分为"微观"和"宏观"两种。微观研究对象包括量子点原子尺度上的结构、量子点表面小晶面的晶体学的精确取向等,这些性质可能受热运动的影响比较大,在一定程度上是随机的,它们代表了量子点生长行为的复杂性;宏观研究的对象是指量子点密度、纳米尺度形态等大量粒子统计意义上的集体行为,这些性质和行为可能更具有实际意义。因此作者认为,目前研究量子点生长和形态更为有效的方法应该是探寻以量子点宏观行为所表征的简单性。重点介绍中科院半导体所半导体材料重点实验室最近所做的对InAs/GaAs(001)量子点生长过程的实验观察。结果表明,在一般生长条件下(富As,500℃,0.1ML/s),InAs量子点成核和生长应该都是连续的,没有经历被普遍认为的不连续(一级)相变。按照作者的观察,把InAs量子点成核看作是连续(二级)相变更为贴切。     

特高压输电线工频磁场三维优化模型

电磁环境是建设特高压输电工程中需要深入研究的关键问题之一,提出在特高压输电线磁场计算中考虑线路的分布参数,根据分裂导线参数、相间导线距离、电压等级等确定线路的波阻抗,进而求得线上电流,然后推导出具有弧垂的架空悬链导线下工频磁场三维优化模型。算例分析表明：传统二维模型所计算出的磁场强度偏大;三维优化模型能够反映线路结构参数对磁场强度的影响,具有更高的准确性;相比于正三角常规型线路排列,倒三角紧凑型线路下方磁场强度明显减小。由该模型所得结果可为特高压分裂导线选择、相线排列方式设置、杆塔高度设计提供参考。     

光缆接入网的建设

介绍了光缆接入网建设的重要性,然后重点介绍光缆接入网的建设原则,最后提出光缆线路保护方式、资源利用方法和要求.     

微流路生物芯片的研制

运用光刻、刻蚀技术在载玻片上刻蚀出条宽 70 μm、深 30 μm、长 7cm的沟槽 ,与另一载玻片键合 ,形成一微流路沟道 ,研制出了用于生物电泳技术的微流路生物芯片。在该芯片的研制中 ,克服了湿法腐蚀、断线、键合等技术难题。该芯片已经交付合作单位使用 ,能够满足应用中的基本性能要求     

CO激光器△V＝2受激跃迁小信号增益系的计算

本文对CO激光器的稳态动力学模型作了修正和补充,通过计算机数值求解描述电子能量分布的Boltzmann方程和CO分子动力学方程,得到了CO分子电子基态中各个振动能级的粒子数分布,并首次计算出不同放电参数下泛频受激跃迁（△V＝2）的小信号增益系数。计算结果对泛频CO 的设计和运行参数优化有指导意义。     

Modal MRTD approaches for the efficient analysis of waveguidediscontinuities

This paper, the multi-resolution time-domain (MRTD) technique is applied to the waveguide discontinuity problem for fast-scattering parameter computation. To improve the computational efficiency, both three-dimensional (3-D) waveguide regions, including discontinuities, and one dimensional (1-D) homogeneous waveguide region, terminated with the modal absorbing boundary condition (ABC), are simulated in the wavelet domain with the mode composition/expansion algorithm from the modal analysis. A WG-90 rectangular waveguide with a thick asymmetric iris is analyzed and the numerical results are compared with conventional finite-difference time-domain (FDTD) results and mode-matching results     

基于纹理感知的目标检测方法

利用人造物体与背景景物存在的纹理差异提出一种基于纹理感知的目标检测方法。该方法利用灰度共生矩阵计算景物的纹理特征,对物体的强度、方向和纹理特征进行非线性融合,突出纹理粗糙度弱的人造物体并抑制纹理粗糙度强的背景。理论分析和实验结果表明,该模型融入了纹理粗糙度和相似性等特征来组织目标,提高了目标检测性能。     

企业产品执行标准管理的信息化建设

标准化的目的是“获得最佳秩序和社会效益”，而最佳秩序是企业进行高效率生产和管理的前提条件。能够更及时准确的对企业的生产标准、技术标准、安全标准、管理标准进行监督和管理工作；有助于更好的督促企业在每个环节都建立起互相适应、配套的标准体系，使企业生产活动和经营管理活动井然有序，避免混乱；能够进一步加强对认证及认证咨询工作的质量，提高认证企业质量体系运行的有效性。为此我们提出了建设《哈尔滨市企业产品执行标准数据库管理系统》，对企业的产品执行标准进行登记注册管理，这将有助于组织、监督标准实施工作；有助于组织制订地方标准；推行采用国际标准和国外先进标准；有助于协调指导企业产品标准的制订并管理其备案；组织重要标准的宣传贯彻，监督检查重要标准的实施情况。     

Improved Hydrogen Capping Effect in n-Type Crystalline Silicon Solar Cells by SiN(Si-Rich)/SiN(N-Rich) Stacked Passivation

The effect of hydrogen capping of SiN(Si-rich)/SiN(N-rich) stacks for n-type c-Si solar cells was investigated. Use of a passivation layer consisting of Si-rich SiN with a refractive index (n) of 2.7 and N-rich SiN with a refractive index of 2.1 improved the thermal stability. A single SiN passivation layer with a refractive index of 2.05 resulted in an initial lifetime of 200 μs whereas the layer with a refractive index of 2.7 resulted in a high initial lifetime of 2 ms, but the layer degraded rapidly after firing. A stacked passivation layer with refractive indices of 2.1 and 2.7 had a stable lifetime of 1.5 ms with an implied open-circuit voltage (iV _oc) of 720 mV after firing. The thermally stable passivation mechanism with changing amounts of Si–N and Si–H bonding was analyzed by Fourier-transform infrared (FTIR) spectroscopy. Incorporation of the SiN _x stack layer (2.7 + 2.1) into the passivated rear of n-type Cz silicon screen-printed solar cells resulted in energy conversion efficiency of 19.69%. Improved internal quantum efficiency in the long-wavelength range above 900 nm, with V _oc of 630 mV, is mainly because of superior passivation of the rear surface compared with conventional solar cells.     

1.55 /spl mu/m bottom-emitting InAlGaAs VCSELs with Al/sub 2/O/sub 3//a-Si thin-film pairs as top mirror

A a 1.55 /spl mu/m InAlGaAs/InP vertical-cavity surface-emitting laser grown by metal-organic chemical vapour deposition is presented. Al/sub 2/O/sub 3//a-Si thin-film pairs and InAlGaAs/InAlAs epitaxial layers are used as a top mirror and a bottom-side output coupler, respectively. Direct modulation characteristics through singlemode fibre are reported at a speed of 2.5 Gbit/s.