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The phenomenological loss equivalence method (PEM), the enhanced two-fluid model for thin-film superconducting materials, and the dynamical calculation of radiation losses in planar structures are used-in the context of a linear filter approach-to model attenuation and dispersion of ultrafast pulses in coplanar striplines. The numerical simulation of this modeling shows excellent agreement with experimental results available in the literature. Simple relationships between the peak attenuation and delay time of the propagation pulse, and penetration depth at absolute zero and conductivity at critical temperature may open the possibility of using pulse distortion to characterize thin-film, high-temperature superconducting materials 相似文献
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In this paper, we propose four network interconnection scenarios and the related signaling aspects for the international roaming traffic in mobile and personal communications. With or without international gateway relay nodes summarized from the proposed scenarios, we also derive three international roaming network sets {IR1, IR2, IR3} for the observed signaling traffic model with twolevel databases. Based on the proposed performance metrics, analysis results show that under some reasonable assumptions the signaling traffic of international roaming is significantly impacted by the related gateway relay nodes and databases. In addition, the studied cache data management strategy at VLR can reduce the impacts of the signaling traffic of query operation, but the caching approach cannot improve the performance of update operation. Furthermore, the performance of proposed standalone STP scenario is better than that of integrated STP scenario for the international network connection. 相似文献
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山东水泥厂有限公司高温风机变频改造 总被引:1,自引:0,他引:1
本文综述了高压变频器在水泥厂高温风机上的应用情况,对改造过程、改造前后的耗电情况进行了对比,结果表明交流变频调速器,以适用性强、可靠必体育馆、操作方便等优势,受到用户的好评。 相似文献
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用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz. 相似文献
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用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz. 相似文献
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通过PL 谱和Raman谱对MOCVD生长Si基Al N的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1 ,Et2 ,Et3,分别在Ev 上2 .6 1,3.10 ,2 .11e V.Et1 是由氧杂质和氮空位(或Al间隙原子)能级峰位靠近重合共同引起的,Et2 、Et3都是由于衬底Si原子扩散到Al N引起的.在Si浓度较低时,Si主要以取代Al原子的方式存在,产生深陷阱中心Et2 .Si浓度高于某个临界浓度时,部分Si原子以取代N原子位置的方式存在,形成深陷阱中心Et3.实验还表明,即使经高温长时间退火,Al N中Et1 和Et2 两个深陷阱中心也是稳定的 相似文献