纸面色斑与纸张的最大信息容量

通过研究纸张的最大信息容量以及与其相关的信噪比,分析了作为承印材料的纸张对印刷品质量的影响．结果表明：影响印刷品质量的纸张信息容量是纸面所含影响油墨转移的呈色色斑平均尺度的敏感函数,从统计信息论的角度证实了萨雷尔马和奥蒂南的实验结果．     

基于CPLD的空调控制系统

空调控制系统是智能建筑楼宇自动控制的一个重要组成部分.因此,空调控制系统的设计是整个楼宇自控系统设计的重点之一,也是节电节能的重点.利用VHDL语言描述系统功能,并在Max+PlusⅡ集成开发环境下进行综合、仿真,并下载到CPLD中,以实现控制功能.该控制系统可根据室温的变化控制空调制冷或制热,具有结构简单,性能稳定,实现方便,成本低的优点.     

子宫颈神经内分泌小细胞癌胎盘转移的电镜观察

目的：观察子宫颈神经内分泌小细胞癌合并妊娠的胎盘超微结构.方法：利用透射电镜观察一例子宫颈神经内分泌小细胞癌合并妊娠的癌组织及胎盘超微结构.结果：在胎盘的合体滋养层内及绒毛间质均可见到癌细胞,有些癌细胞的胞质尚可见电子致密的神经内分泌颗粒.结论：电镜检查有助于证实宫颈神经内分泌小细胞癌的胎盘转移.     

不同固体表面下激光多普勒测速的数值模拟

激光多普勒测速仪(LDV)的测量精度和应用受到光电探测器、环境状况、频谱加宽和信号处理等因素影响。本文根据条纹模型和散射机理建立了固体LDV的数学模型,并通过数值模拟详细分析了固体表面特性和测量精度之间的关系,实验结果和数值模拟结果符合得很好。LDV能够精确地测量出固体表面运动速度,但要求被测固体的表面粗糙度在一定范围内,而且这个范围由条纹间距和有效探测体宽度决定。     

字长可重构流水线CORDIC设计

设计了一种数据字长可重构的流水线坐标旋转数字计算(Coord inate R otation D ig ita l Com pu ting,CORD IC)单元,用于可重构DSP阵列式处理引擎的处理单元核心的设计。首先对流水线CORD IC的模校正进行改造,使流水级数有所减少,且使模校正流水的分配有利于字长可重构的设计。之后通过相邻8位流水线CORD IC单元间的横向和纵向可重构设计,使相邻的(2×2)/(3×3)/(4×4)个基本单元可以组合成数据字长为16/24/32位的CORD IC单元。     

一种新型U频段圆极化介质棒天线

设计了一种由同轴矩形波导变换段、矩圆波导变换段、圆极化段和介质段组成的新型U频段圆极化介质棒天线,给出了相应的设计方法。仿真结果显示,在6%的带宽内驻波优于1.5,频带内轴比优于2 dB,3 dB波束宽度约为22°。该介质棒天线可用作U频段反射面天线或透镜天线的馈源。     

低功耗低温漂高PSR带隙基准电压源的设计

在专用医学微弱信号放大电路中,需要非常精准的电压源,为此,提出了一种新型的带隙基准电压源,采用低温补偿和高温补偿相结合的温度补偿方式,输出带隙基准电压为1.109 V,在-40~125℃范围内的温度系数为0.445~0.604 ppm/℃。同时采用了预稳压器来提高电路的PSR(电源抑制),使得PSR在10 Hz时为-127.5 dB,在100 kHz时达到-63 dB。文中设计的电路静态电流只有10μA,消耗的功耗在36μW左右。该带隙基准电路还有不随工艺变化的特点,工艺差别使输出电压最大产生61.5μV的变化。     

骨架提取在IC晶片缺陷机器视觉识别中的研究

光刻工艺导致的IC晶片制造中缺陷种类多样,丢失物和冗余物缺陷是影响成品率下降的重要原因,其主要造成电路开路和短路.提出一种基于骨架特征的IC晶片丢失物和冗余物缺陷短路故障机器视觉识别方法,应用细化算法抽取图像骨架,提供了使用多余点及多余端枝删除原则和数学形态学处理算法两种方法得到单像素的优化骨架,采用邻域跟踪法实现电路开路和短路形式识别.     

一种深亚微米MOSFET高频噪声模型

基于深亚微米MOSFET的短沟道效应(迁移率退化、热载流子效应、体电荷效应、沟道长度调制效应等),提出了一种高频沟道噪声分析模型.该分析模型不仅具有较高的精确性,而且只包括MOSFET的工艺参数和电学参数,不含有微积分和拟合参数,较大地提高了MOSFET高频噪声模型的易用性.根据MOSFET的高频等效电路,得出了MOSFET的噪声系数模型.实验结果证明,提出的深亚微米MOSFET高频噪声模型的仿真结果与测试结果的平均误差不到0.4 dB,并与其他高频沟道噪声分析模型进行了比较.     

超高频射频识别阅读器的高线性低噪声前端

根据超高频段射频识别的协议要求、结合论文所提出的正交直接变频无线收发机架构,对阅读器接收路径所需的系统噪声系数、输入线性度要求做出分析。给出了同时具有低噪声系数、高线性度特点的三级紧凑式射频前端,该电路能够承受标签背散射机制所引起的大信号带内自阻塞干扰。电路采用IBM 0.18μm CMOS 7RF工艺制作,当从3.3V的电源电压上抽取6.9mA电流时,该射频前端可以获得13dBm的输入线性度与23 dB的最大噪声系数。