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991.
992.
SPKI/SDSI证书在数字版权保护系统中的应用研究 总被引:3,自引:0,他引:3
数字作品的版权保护其本质是对作品的远程持久访问控制。SPKI/SDSI是一种注间实现分布式系统的安全访问控制的PKI系统,文章提出了利用SPKI/SDSI证书实现版权保护系统中的身份认证,权限控制和密钥传递等功能,并依此提出了新的安全访问控制协议。 相似文献
993.
低压VDMOSFET''Ron的最佳比例设计研究 总被引:7,自引:1,他引:7
文章以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系,重点讨论了N沟道VDMOSFET的P体扩散区结深Xjp-和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响。首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最佳化设计比例PW/PT与Xjp-和Tox的关系,最后阐述了器件的最佳化设计思想。 相似文献
994.
通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间. 相似文献
995.
采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器 总被引:1,自引:3,他引:1
提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点.该结构采用源极增强带带隧穿热电子注入进行编程,当子位线宽度为128位时,位线漏电只有3.5μA左右,每位编程功耗为16.5μW,注入系数为4×10-4,编程速度可达20μs,存贮管的读电流可达60μA/μm以上.分裂位线结构和低编程电压使得该结构具有很好的抗位线串扰特性和可靠性. 相似文献
996.
997.
IP组播是一种高效的多目标传输机制.随着网络的发展,组播在网络的应用占据着越来越重要的地位,其应用不断扩展,技术日益成熟.目前,组播作为一个崭新的学术研究领域,在组播路由算法、流量控制、可靠传输等方面的研究已有很多成果,而对于组播安全问题的研究特别是组播通信密钥的研究还很不成熟.本文通过研究绀播通信安全进行深入的研究,对比各种密钥管理方法,研究了可扩展的密钥管理方法.该密钥管理体系采用分层管理结构,采用子管理中心对各个子域进行管理,不仅可以高效地处理组播组成员动态加入和退出,同时,大大减少了密钥管理中心的负担.使该方法可以应用于大型、动态的组播系统.此外,该方法根据现有的网络和组播系统的要求,提出了控制中心由计算机组进行统一调度管理,避免了单点故障的问题,增加了系统的鲁棒性. 相似文献
998.
999.
1000.