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31.
The authors have developed a 2-D device simulator for heterostructure metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors. They have incorporated a model of multilayer optics into the simulator and used it to analyze the temporal response of a resonant-cavity enhanced heterostructure with a confining buffer layer and a distributed Bragg reflector (DBR). The authors show that through fine tuning the layer thicknesses, optical resonance enhancement of the light absorption can be obtained  相似文献   
32.
DC resistivity, dielectric constant, dielectric loss and positron annihilation spectra of (Ba1−x Ho x )TiO3 ceramics have been measured as a function of holmium concentration x. It has been found that the DC resistivity of (Ba1−x Ho x )TiO3 is strongly dependent on the Ho content: it decreases three orders of magnitude and reaches a minimum at x = 0.4%. Doping with 0.6% holmium increases the permittivity of BaTiO3 by approximately three times (from ∼1,300 to ∼4,000), with only a slight increase in the corresponding dielectric loss. The local electron density and defect concentration estimated using positron annihilation technique conforms well to the features found in the dielectric and resistivity measurements. The results have been discussed in terms of a mixed compensation model.  相似文献   
33.
径向非均匀磁场成形计算的解析—数值综合方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
韩守真  尹兆升 《核技术》1989,12(6):360-364
  相似文献   
34.
实施六大工程打造民生水利   总被引:1,自引:1,他引:0  
梁滨 《中国水利》2007,(23):5-6
我省针对十年九旱、水资源短缺、生态与环境脆弱的特点,确定了今冬明春农田水利基本建设的目标任务,明确以实施兴水战略为主线,以改善民生为目标,以创新机制为保障,全面掀起冬春农田水利基本建设新高潮。  相似文献   
35.
36.
37.
在上海地铁研究中,我们发现了许多使用者的不满。这些不满来自于设计师对使用者的缺乏了解和缺乏关注。通过对上海地铁真实的使用者、真实的地点和真实的时间的调研,我们分析出25项上海地铁使用者的需求。并提出希望设计师能够从这些使用者的需求出发,去作为使用者带来良好体验的设计。  相似文献   
38.
吸入短寿命氡子体动物肺组织剂量与体重关系的探讨   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文介绍吸入短寿命氡子体的不同种动物肺组织吸收剂量与体重的关系。实验结果表明,吸收剂量随体重的增加而减小。  相似文献   
39.
在不同酸度下巯基棉可以从溶液中富集和分离Au、As、Ag、Br、Cu、Ca Co、InHg、Ni、Se、Sb、Sn、Pb、W、Fe和In等30多种元素。由于用巯基棉吸附待测元素后不必洗脱,因此大大提高了富集能力,可用于海水、地下水、地表水及工业废水中一些元素的测量。本文用巯基棉富集后进行中子活化分析测定水泥及其浸出水中的汞。  相似文献   
40.
Nanorod field-effect transistors (FETs) that use multiple Mg-doped ZnO nanorods and a SiO2 gate insulator were fabricated and characterized. The use of multiple nanorods provides higher on-currents without significant degradation in threshold voltage shift and subthreshold slopes. It has been observed that the on-currents of the multiple ZnO nanorod FETs increase approximately linearly with the number of nanorods, with on-currents of ~1 muA per nanorod and little change in off-current (~4times10-12). The subthreshold slopes and on-off ratios typically improve as the number of nanorods within the device channel is increased, reflecting good uniformity of properties from nanorod to nanorod. It is expected that Mg dopants contribute to high n-type semiconductor characteristics during ZnO nanorod growth. For comparison, nonintentionally doped ZnO nanorod FETs are fabricated, and show low conductivity to compare with Mg-doped ZnO nanorods. In addition, temperature-dependent current-voltage characteristics of single ZnO nanorod FETs indicate that the activation energy of the drain current is very low (0.05-0.16 eV) at gate voltages both above and below threshold  相似文献   
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