全文获取类型
收费全文 | 13362篇 |
免费 | 993篇 |
国内免费 | 496篇 |
专业分类
电工技术 | 682篇 |
综合类 | 699篇 |
化学工业 | 2315篇 |
金属工艺 | 698篇 |
机械仪表 | 837篇 |
建筑科学 | 915篇 |
矿业工程 | 336篇 |
能源动力 | 415篇 |
轻工业 | 748篇 |
水利工程 | 182篇 |
石油天然气 | 875篇 |
武器工业 | 72篇 |
无线电 | 1837篇 |
一般工业技术 | 1708篇 |
冶金工业 | 674篇 |
原子能技术 | 92篇 |
自动化技术 | 1766篇 |
出版年
2024年 | 45篇 |
2023年 | 230篇 |
2022年 | 362篇 |
2021年 | 525篇 |
2020年 | 352篇 |
2019年 | 318篇 |
2018年 | 358篇 |
2017年 | 392篇 |
2016年 | 367篇 |
2015年 | 498篇 |
2014年 | 668篇 |
2013年 | 816篇 |
2012年 | 778篇 |
2011年 | 933篇 |
2010年 | 786篇 |
2009年 | 724篇 |
2008年 | 763篇 |
2007年 | 698篇 |
2006年 | 758篇 |
2005年 | 671篇 |
2004年 | 428篇 |
2003年 | 362篇 |
2002年 | 297篇 |
2001年 | 277篇 |
2000年 | 277篇 |
1999年 | 396篇 |
1998年 | 357篇 |
1997年 | 271篇 |
1996年 | 257篇 |
1995年 | 186篇 |
1994年 | 177篇 |
1993年 | 116篇 |
1992年 | 100篇 |
1991年 | 67篇 |
1990年 | 60篇 |
1989年 | 37篇 |
1988年 | 28篇 |
1987年 | 9篇 |
1986年 | 24篇 |
1985年 | 6篇 |
1984年 | 14篇 |
1983年 | 7篇 |
1982年 | 16篇 |
1981年 | 9篇 |
1980年 | 8篇 |
1979年 | 5篇 |
1977年 | 4篇 |
1976年 | 5篇 |
1975年 | 3篇 |
1974年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
介绍了一套基于外部设备互连(PCI)总线的高速多路数据传输卡的设计,采用基于PCI内核与PCI用户逻辑相结合的新型设计方案,在顶层通过仿真来验证PCI接口以及用户逻辑设计正确与否.降低了设计的复杂程度,提高了电路的集成度和系统的性能,并根据PCI卡对外部设备驱动能力较弱的特点,在传输卡中加入了长线驱动功能,采用低电压差分信号(LVDS)技术,既降低了系统功耗,又实现长距离的计算机双向通信. 相似文献
82.
83.
Michael Brain Bruce Liao 《集成电路应用》2007,(9):63-64
从1965年采用38毫米晶圆开始,如今半导体工业已经实现了300毫米晶圆的量产。图1展示了这种转变是如何以跨越式的脚步实现的。每一种更大尺寸的晶圆都需要采用更多的自动化生产措施,每步自动工艺还可以通过提高产率和设备的使用效率给晶圆厂带来更好的经济效益。 相似文献
84.
Characterization of the Ultrathin HfO2 and Hf-Silicate Films Grown by Atomic Layer Deposition 总被引:1,自引:0,他引:1
Tze Chiang Chen Cheng-Yi Peng Chih-Hung Tseng Ming-Han Liao Mei-Hsin Chen Chih-I Wu Ming-Yau Chern Pei-Jer Tzeng Chee Wee Liu 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2007,54(4):759-766
The physical properties of HfO2 and Hf-silicate layers grown by the atomic layer chemical vapor deposition are characterized as a function of the Hf concentration and the annealing temperature. The peaks of Fourier transform infrared spectra at 960, 900, and 820 cm-1 originate from Hf-O-Si chemical bonds, revealing that a Hf-silicate interfacial layer began to form at the HfO2/SiO 2 interface after post deposition annealing process at 600 degC for 1 min. Moreover, the intensity of the peak at 750 cm-1 can indicate the degree of crystallization of HfO2. The formed Hf-silicate layer between HfO2 and SiO2 is also confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy 相似文献
85.
86.
硫化物光纤及其功能器件的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文概述了90年代初兴起的硫化物光纤的独特性能、目前的发展状况及可能的应用前景;针对硫化物光纤实用化中的关键技术进行了分析,并对硫化纤的光敏机理作了一定的探讨。由于具有优于石英光纤的特点,硫化物光纤及其人器件具有广阔的应用前景。 相似文献
87.
88.
89.
90.
本文提供了在 ARMS3C2410芯片上基于嵌入式 Web 服务器的网络视频监控的一种解决方案。在压缩方面采用了以 WIS G700SB 为核心的 MPEG-4采集压缩模块。先叙述总体设计思想,然后分软件和硬件两部分进行详细探讨。 相似文献