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蒙特卡罗方法在空间辐射制冷器理论分析及热设计计算中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了二级抛物面型辐射制冷器的热物理模型及用蒙特卡罗方法数值模拟解决其热流理论和辐射热耦合表面(漫发射、镜反射)辐射热交换的处理方法。 相似文献
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本文描述了Solaris2.X操作系统上网络文件系统NFS的特性及其环境配置,介绍了如何建立了NFS服务器和NFS客户机,从而实现了远程文件系统资源共享。 相似文献
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本文针对我国机床工具产品色彩设计的现状,结合具体实例,对色彩造型的实质做了初步的探讨。分析了色彩造型和色彩装饰两种设计观和实践效果;以色彩与形状关系及作用的论证为引,论述色彩造型的三大功能作用。并提出可供机床工具产品色彩设计参考的具体设计方法和手段。 相似文献
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A new theory is developed in this paper to explain the collapse of current gain in multi-finger power AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors (HBT's). The reasons behind this unwanted phenomenon are fully clarified using a simple model to investigate the thermo-electrical interaction between the fingers. The existence of multi-value equilibrium points in model's constitutive equations is shown to be the necessary condition for the collapse of current gain to appear. For a N-finger device, N different patterns of collapse exist. The criterion to select the global stable pattern is given. The method has been used to predict the collapse in AlGaAs/GaAs HBT's and the agreement is excellent. The method also predicts that the collapse can happen far earlier than is normally expected in multi-finger high-power devices. The influence of ballasting resistance and thermal resistance is also investigated 相似文献
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新的钢铁工业结构与铁矿资源条件的能源优化模型研究 总被引:1,自引:0,他引:1
发展我国钢铁工业,资源和能源已经成为两个重要的制约因素。到本世纪末,我国钢产量达1.2亿t,所需资源必须有部分进口。本文论述了新的钢铁企业模型结构及采用部分进口废钢和铁矿石的能源优化问题。 相似文献
68.
钢管内径光电检测装置 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了一种检测细长钢管内径的光电检测装置。该装置利用线阵CCD作传感器,采用8031单片机作为主控制。 相似文献
69.
Sha Lu Yong Hu O'Hara M. Bogy D.B. Singh Bhatia C. Yiao-Tee Hsia 《IEEE transactions on magnetics》1996,32(1):103-109
Three sub-25 nm fly height sliders are presented for near contact recording. The designs are geared towards the goal of achieving 10 Gb/in 2 areal density. The optimization procedure presented shows promise for facilitating achievement of this goal. The dynamic simulations show the stability of these designs when disturbed from their steady state conditions 相似文献
70.
Five-terminal silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs have been characterized to determine the threshold voltage at the front, back, and sidewall as a function of the body bias. The threshold voltage shift with the body bias at the front and back interfaces can be explained by the standard bulk body effect equation. However, the threshold voltage shift at the sidewall is smaller than predicted by this equation and saturates at large body biases. This anomalous behavior is explained by two-dimensional charge sharing between the sidewall and the front and back interfaces. An analytical model that accounts for this charge sharing by a simple trapezoidal approximation of the depletion regions and correctly predicts the sidewall threshold voltage shift and its saturation is discussed. The model makes it possible to measure the sidewall threshold even when it is larger than the front threshold voltage 相似文献