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针对3^n阶矩阵的乘法运行,给出了一种分块算法,其乘法运行量比常规的矩阵乘法计算方法和补零的基-2算法都有所减少。 相似文献
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The coal filter cake is a product of fine coal after floatation which has an ash content of 7-13%, water content of 30±2%, and a particle size of less than 1 mm. The ash content was measured by the intensity of the single backscattered gamma-ray, and its accuracy is mainly dependent on the energy of the gamma-ray. The 238Pu low energy photon source is selected in this work. The energy of its gamma-ray is 15 keV, which can result not only in the best sensitivity, but also in the lowest contribution to the environment radiation. The root mean square deviation of the ash measurement is±0.33% (±1σ). 相似文献
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ElectronmicroscopicobservationsandDNAchainfragmentationstudiesonapoptosisinbonetumorcelsinducedby153SmEDTMPZhuShouPeng,Xia... 相似文献
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CIE TC8‐01 has adopted a new color appearance model: CIECAM021 replaces the CIECAM97s.2 The new model consists of a number of refinements and simplifications of the CIECAM97s color appearance model. This article describes further tests to the robustness of the forward and reverse modes. © 2005 Wiley Periodicals, Inc. Col Res Appl, 30, 99–106, 2005; Published online in Wiley InterScience (www.interscience.wiley.com). DOI 10.1002/col.20087 相似文献
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广义汉明重量下限函数Lr(j,d)的新证明 总被引:3,自引:0,他引:3
通过几个引理,对广义汉明重量下限函数Lr(j,d)的有限和表达式给出了一个思路简单的证明方法。给出了取整数函数[x],[x]的一些运算性质。 相似文献
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Gillespie J.K. Fitch R.C. Sewell J. Dettmer R. Via G.D. Crespo A. Jenkins T.J. Luo B. Mehandru R. Kim J. Ren F. Gila B.P. Onstine A.H. Abernathy C.R. Pearton S.J. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(9):505-507
The low temperature (100°C) deposition of Sc2O3 or MgO layers is found to significantly increase the output power of AlGaN/GaN HEMTs. At 4 GHz, there was a better than 3 dB increase in output power of 0.5×100 μm2 HEMTs for both types of oxide passivation layers. Both Sc2 O3 and MgO produced larger output power increases at 4 GHz than conventional plasma-enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiNx passivation which typically showed ⩽2 dB increase on the same types of devices. The HEMT gain also in general remained linear over a wider input power range with the Sc2O3 or MgO passivation. These films appear promising for reducing the effects of surface states on the DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs 相似文献
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