全文获取类型
收费全文 | 57738篇 |
免费 | 4578篇 |
国内免费 | 2271篇 |
专业分类
电工技术 | 3170篇 |
技术理论 | 5篇 |
综合类 | 3253篇 |
化学工业 | 9927篇 |
金属工艺 | 3463篇 |
机械仪表 | 3488篇 |
建筑科学 | 4108篇 |
矿业工程 | 1900篇 |
能源动力 | 1769篇 |
轻工业 | 4083篇 |
水利工程 | 986篇 |
石油天然气 | 4071篇 |
武器工业 | 448篇 |
无线电 | 6289篇 |
一般工业技术 | 6788篇 |
冶金工业 | 3216篇 |
原子能技术 | 734篇 |
自动化技术 | 6889篇 |
出版年
2024年 | 281篇 |
2023年 | 974篇 |
2022年 | 1774篇 |
2021年 | 2515篇 |
2020年 | 1840篇 |
2019年 | 1579篇 |
2018年 | 1801篇 |
2017年 | 1917篇 |
2016年 | 1733篇 |
2015年 | 2276篇 |
2014年 | 2902篇 |
2013年 | 3351篇 |
2012年 | 3534篇 |
2011年 | 3872篇 |
2010年 | 3458篇 |
2009年 | 3091篇 |
2008年 | 3029篇 |
2007年 | 2927篇 |
2006年 | 3091篇 |
2005年 | 2673篇 |
2004年 | 1685篇 |
2003年 | 1473篇 |
2002年 | 1367篇 |
2001年 | 1083篇 |
2000年 | 1287篇 |
1999年 | 1595篇 |
1998年 | 1265篇 |
1997年 | 1079篇 |
1996年 | 1066篇 |
1995年 | 940篇 |
1994年 | 747篇 |
1993年 | 502篇 |
1992年 | 400篇 |
1991年 | 313篇 |
1990年 | 255篇 |
1989年 | 213篇 |
1988年 | 183篇 |
1987年 | 118篇 |
1986年 | 95篇 |
1985年 | 64篇 |
1984年 | 57篇 |
1983年 | 40篇 |
1982年 | 34篇 |
1981年 | 30篇 |
1980年 | 18篇 |
1979年 | 8篇 |
1978年 | 7篇 |
1977年 | 10篇 |
1976年 | 14篇 |
1975年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
101.
本文在弱闪烁条件下,利用广泛适用于星际闪烁、行星际闪烁和电离层闪烁的薄相屏理论,以行星际闪烁为算例,对薄相屏闪烁进行了数值分析。结果表明:垂直于介质运动方向上的不规则结构的大小对闪烁有着重要的影响,直接表现在频谱的变化趋势和振荡幅度的不同。尤其是当小于Fresnel尺度时,数值计算表明此时没有闪烁发生。 相似文献
102.
103.
Ma Z.J. Chen J.C. Liu Z.H. Krick J.T. Cheng Y.C. Hu C. Ko P.K. 《Electron Device Letters, IEEE》1994,15(3):109-111
It has been reported that high-temperature (~1100°C) N2 O-annealed oxide can block boron penetration from poly-Si gates to the silicon substrate. However, this high-temperature step may be inappropriate for the low thermal budgets required of deep-submicron ULSI MOSFETs. Low-temperature (900~950°C) N2O-annealed gate oxide is also a good barrier to boron penetration. For the first time, the change in channel doping profile due to compensation of arsenic and boron ionized impurities was resolved using MOS C-V measurement techniques. It was found that the higher the nitrogen concentration incorporated at Si/SiO2 interface, the more effective is the suppression of boron penetration. The experimental results also suggest that, for 60~110 Å gate oxides, a certain amount of nitrogen (~2.2%) incorporated near the Si/SiO2 interface is essential to effectively prevent boron diffusing into the underlying silicon substrate 相似文献
104.
105.
受干扰波相位测量的一种新方法 总被引:4,自引:1,他引:3
为了测量受噪声和谐波干扰的两个信号间的相位差,基于自适应带通滤波器(ABF)和测量信道交换技术,提出了一种新的测量方法。ABF采用可编程开关电容滤波器(PSCF)和锁相环,明显地抑制了噪声和谐波干扰,频率跟踪范围超过四个倍频程(0.5Hz-6kHz)。用微处理器控制4个开关来交换测量信道,可以基本上消除测量通道引入的附加相位移。两种方法结合提高了相位差的测量精度。实验说明了该测量方法的有效性,该方法也适合于被测信号为慢时变情况。 相似文献
106.
107.
108.
G19井区为姬塬油田主力产建区域,其低阻油层成因复杂,类型多,近几年解释困难较多,解释符合率偏低。本文从该区低阻油层特征分析入手,总结出该区油藏特征规律,并归纳出适合该区的几种有效实用的测井解释方法。 相似文献
109.
110.