基于Web服务的开放式地理信息系统的研究

在介绍Web服务与OpenGIS规范的基础上,提出了基于Web服务的开放式地理信息系统解决方案,设计并实现了资源目录服务、地理要素服务和地图服务,以及通过数据集成来定制地理要素和地图图层的手段,为地理信息数据的发布与共享提供了符合OpenGIS规范的软件工具。     

IO单元自动排布算法IOAP

提出了一种应用于芯片物理设计过程中IO单元自动排布的新算法。IO单元排布是芯片物理设计过程中长期依赖经验的环节。IO单元排布的优化对布线,电源网格和设计收敛性的优化有很大贡献。文章重点研究边缘IO单元排布,提出了IO单元自动排布算法(IOAP)。此算法及其相关软件直接应用于视频解码芯片和无线传感器网络处理器芯片(已流片成功)的物理设计流程中。结果表明,IOAP有效改善了芯片的电源网格,时序和布线结果,减少了布线努力,提高了设计收敛性。     

SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究

为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm)     

Modeling and Simulation of New Encoding Schemes for High‐Speed UHF RFID Communication

In this paper, we present novel high‐speed transmission schemes for high‐speed ultra‐high frequency (UHF) radio‐frequency identification communication. For high‐speed communication, tags communicate with a reader using a high‐speed Miller (HS‐Miller) encoding and multiple antennas, and a reader communicates with tags using extended pulse‐interval encoding (E‐PIE). E‐PIE can provide up to a two‐fold faster data rate than conventional pulse‐interval encoding. Using HS‐Miller encoding and orthogonal multiplexing techniques, tags can achieve a two‐ to three‐fold faster data rate than Miller encoding without degrading the demodulation performance at a reader. To verify the proposed transmission scheme, the MATLAB/Simulink model for high‐speed backscatter based on an HS‐Miller modulated subcarrier has been designed and simulated. The simulation results show that the proposed transmission scheme can achieve more than a 3 dB higher BER performance in comparison to a Miller modulated subcarrier.     

基于DES密码电路的差分功耗分析仿真研究

差分功耗分析技术是目前应用广泛、技术发展较成熟的非侵入攻击技术,设计了一个功耗分析仿真平台,该平台具有自动化程度高、精度高和仿真速度快的特点.此外,还基于该平台实现了对DES密码电路的差分功耗分析,对数字电视机项盒安全性的提高具有参考意义.     

基于散射函数的短波信道参数估计

理论分析了短波信道散射函数的计算,给出了实际短波信道探测中散射函数的测量方法,以及利用散射函数估计短波信道的衰落带宽、衰落相干时间、多径散布、相关带宽和信号的多普勒频移、传播时延等参数的方法.从实验数据中得到了短波信道的散射函数,利用散射函数估计了上述参数,给出了估计结果.     

Ga_(1-x)In_xAs_ySb_(1-y)/GaSb LPE生长及其性质研究

报导了在n型(100)GaSb衬底上,温度为520—530℃时,用液相外延的方法实现了组分在0≤x≤0.19,0≤y≤0.14范围内的Ga_(1-x)In_xAs_ySb_(1-y)四元合金半导体的生长。X射线双晶衍射,电子探针及光学显微镜的观察和分析测试表明:所得外延层的表面形貌和界面特性优良,组分分布和层厚均匀,晶格匹配及单晶性能良好。对外延层表面的氧化情况使用Auger能谱仪进行测试分析。另外,对生长中存在的一些问题进行了讨论。     

一种CMOS静态双沿触发器的设计

提出一种ＣＭＯＳ静态双沿触发器结构,以单个锁存器构成记忆单元,而由一特殊的时钟模块产生控制信号,使锁存器在时钟上升和下降沿处瞬时导通,从而形成双沿触发的功能,最小的实现方案只用１４个管子,模拟证明其工作频率可达３００ＭＨｚ以上。     

基于子节点编码和声搜索的QoS组播路由算法

传统启发式方法求解QoS组播路由问题复杂度高,收敛速率慢,无法满足实际需求。该文提出一种基于子节点编码的和声搜索算法以解决该问题。在和声搜索算法的基础上,该算法设计了新的初始解及新解生成方式,提升了算法执行效率;提出了参数动态调整方案,兼顾了全局搜索以及局部搜索能力;同时设计了一种基于子节点的组播树编码方式,加快了新解生成过程。通过理论分析仿真实验,证明了该文算法的低复杂度,表明该文算法在收敛速率和代价方面具有明显优势。     

Interfacial reaction between 42Sn-58Bi solder and electroless Ni-P/immersion Au under bump metallurgy during aging

The interfacial reaction between 42Sn-58Bi solder (in wt.% unless specified otherwise) and electroless Ni-P/immersion Au was investigated before and after thermal aging, with a focus on the formation and growth of an intermetallic compound layer, consumption of under bump metallurgy (UBM), and bump shear strength. The immersion Au layer with thicknesses of 0 μm (bare Ni), 0.1 μm, and 1 μm was plated on a 5-μm-thick layer of electroless Ni-P (with 14–15 at.% P). The 42Sn-58Bi solder balls were then fabricated on three different UBM structures by using screen printing and pre-reflow. A Ni₃Sn₄ layer formed at the joint interface after the pre-reflow for all three UBM structures. On aging at 125°C, a quaternary phase, identified as Sn₇₇Ni₁₅Bi₆Au₂, was observed above the Ni₃Sn₄ layer in the UBM structures that contain Au. The thick Sn₇₇Ni₁₅Bi₆Au₂ layer degraded the integrity of the solder joint, and the shear strength of the solder bump was about 40% less than the nonaged joints.