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Sung-Yong Chung Ronghua Yu Niu Jin Si-Young Park Berger P.R. Thompson P.E. 《Electron Device Letters, IEEE》2006,27(5):364-367
This letter presents the room-temperature high-frequency operation of Si/SiGe-based resonant interband tunnel diodes that were fabricated by low-temperature molecular beam epitaxy. The resulting devices show a resistive cutoff frequency f/sub r0/ of 20.2 GHz with a peak current density of 218 kA/cm/sup 2/, a speed index of 35.9 mV/ps, and a peak-to-valley current ratio of 1.47. A specific contact resistivity of 5.3/spl times/10/sup -7/ /spl Omega//spl middot/cm/sup 2/ extracted from RF measurements was achieved by Ni silicidation through a P /spl delta/-doped quantum well by rapid thermal sintering at 430/spl deg/C for 30 s. The resulting devices are very good candidates for RF high-power mixed-signal applications. The device structures presented here are compatible with a standard complementary metal-oxide-semiconductor or heterojunction bipolar transistor process. 相似文献
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A signal intensity based maximum-likelihood (ML) target location estimator that uses quantized data is proposed for wireless sensor networks (WSNs). The signal intensity received at local sensors is assumed to be inversely proportional to the square of the distance from the target. The ML estimator and its corresponding Crameacuter-Rao lower bound (CRLB) are derived. Simulation results show that this estimator is much more accurate than the heuristic weighted average methods, and it can reach the CRLB even with a relatively small amount of data. In addition, the optimal design method for quantization thresholds, as well as two heuristic design methods, are presented. The heuristic design methods, which require minimum prior information about the system, prove to be very robust under various situations 相似文献
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介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27nm CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造. 相似文献
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Zhiqiang Niu Wenjun Ma Jinzhu Li Haibo Dong Yan Ren Duan Zhao Weiya Zhou Sishen Xie 《Advanced functional materials》2012,22(24):5209-5215
A critical challenge in nanocomposite fabrication by adding SWCNTs as reinforcement is to realize an effective transfer of the excellent mechanical properties of the SWCNTs to the macroscale mechanical properties of the matrix. Using directly grown SWCNT films with continuous reticulate structure as the template, Cu/SWCNTs/Cu laminated nanocomposites are fabricated by an electrodepositing process. The resulting Cu/SWCNTs/Cu laminated nanocomposites exhibit extremely high strength and Young's modulus. The estimated Young's modulus of the SWCNT bundles in the composite are between 860 and 960 GPa. Such a high strength and an effective load‐transfer capacity are ascribed to the unique continuous reticulate architecture of SWCNT films and the strong interfacial strength between the SWCNTs and Cu matrix. Raman spectroscopy is used to characterize the loading status of the SWCNTs in the strained composite. It provides a route to investigate the load transfer of SWCNTs in the metal matrix composites. 相似文献
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石墨烯具有优异的物理化学性质,在MEMS器件、光电检测材料、柔性显示屏、新能源电池、复合材料等方面成为研究热点。目前大面积石墨烯制备主要依赖于化学气相沉积技术(chemical vapor deposition, CVD),但其生长的晶体质量直接影响到电化学特性和实际应用,因此需要一种快速而准确的表征方法。实验利用背向散射的偏振激光散射装置测量CVD生长的石墨烯拉曼光谱。通过分析实验获得的300 nm SiO2/Si基底上的单层、五层和十层左右的石墨烯角分辨偏振拉曼光谱,发现单层生长的石墨烯偏振特性与机械剥离单晶石墨烯一致;随着层数的增加,G峰偏振响应差异更加明显,表现出明显的椭圆特性;在不同石墨烯层数上的D峰也呈现出一定的偏振响应差异性。偏振拉曼测试结果表明目前CVD生长的缺陷和多晶特性与石墨烯层数呈现正相关特征。 相似文献