一种实序列FFT算法改进及其在DSP上的实现

FFT是数字信号处理最重要的算法之一,论文分析了常规的2N点按时间抽选的实序列FFT运算的基本原理,介绍了一种改进的算法,算法将奇数序列和偶数序列部分开计算,并提取旋转因子的公因子,大大减少了计算过程中的加法和乘法的个数和旋转因子的引用次数,并在实际的DSP平台上进行了实现,实验数据表明,该算法在运算效率和复杂度上都较传统FFT算法有较大的改进。     

小型宽带微带天线的设计研究

针对移动通信终端小型化、集成化的发展趋势,本文提出一种中心频率为7.3 GHz的小尺寸宽频带天线.基于微带天线理论及单极天线的典型结构,改变三维结构、平面形状及介质的宽度,设计出一种新型的小型天线.考虑到影响天线特性的相关因素,利用HFSS11软件进行仿真优化,结果表明,该天线大小仅为16 mm×17 mm,绝对带宽可达3.2 GHz(S11＜-10 dB),远远超过了500 MHz.为一宽带小型天线.     

采用混合晶向实现PMOSFET迁移率提升了150%

本文提出了一种基于混合晶向硅材料的高性能PMOSFET 器件。采用硅玻键合、化学机械抛光、硅刻蚀和非选择性外延等方法,成功制作了集成有（100）和（110）晶向的混合晶向硅片。基于这种混合晶向材料,成功研制了沟道宽长比为50：8 的PMOSFET器件,器件测试结果表明：制作在（110）晶向上的PMOSFET 器件在低场条件下,电流驱动能力提高了50.7%,最大迁移率增加了150%,是当前见于报道的PMOSFET迁移率提升指标较高的一颗器件。     

Application Prospect of Volumetric Three-dimensional Display Future Education

几何图形和实物模型的交互演示是教学实验的重要一环,而目前常用的计算机演示方式仍局限在二维平面上.针对平面显示在教学上的局限,提出在教学中融入真三维技术的方案.同时就目前真三维技术的发展现状与教学需求,阐述了真三维技术辅助未来教学的优势,最后对真三维技术在未来教学上的应用作出展望.     

4H-SiC npn双极型晶体管的研制

采用国产的4H-SiC外延材料和自行开发的SiC双极晶体管的工艺技术,实现了4H-SiC npn双极晶体管特性。为避免二次外延或高温离子p+注入等操作,外延形成n+/p+/p/n-结构材料,然后根据版图设计进行相应的刻蚀,形成双台面结构。为保证p型基区能实现良好的欧姆接触,外延时在n+层和p层中间插入适当高掺杂的p+层外延,但也使双极晶体管发射效率降低,电流放大系数降低。为提高器件的击穿电压,在尽量实现低损伤刻蚀时,采用牺牲氧化等技术减少表面损伤及粗糙度,避免表面态及尖端电场集中,并利用SiC能形成稳定氧化层的优势来形成钝化保护。器件的集电结反向击穿电压达200 V,集电结在100 V下的反向截止漏电流小于0.05 mA,共发射极电流放大系数约为3。     

红外光学系统冷反射分析和定量计算方法

红外光学系统冷反射指制冷型探测器看到自身的反射像,它严重影响红外光学系统的图像质量。光学系统设计中控制冷反射的强度往往与提高光学系统像质和满足边界要求之间是矛盾的。详细介绍了冷反射强度仿真分析和评估方法,提出了冷反射辐射的信号与系统噪声之比的定量计算模型。对两套红外系统的冷反射强度进行了仿真分析和实验测试。研究结果表明,冷反射强度实验测试与仿真计算结果一致,冷反射仿真分析和定量计算在光学设计中能够有效地评估冷反射强度,保证光学系统设计质量。     

中波碲镉汞p-on-n高温工作技术研究

针对碲镉汞中波p-on-n技术进行研究,采用二次离子质谱仪分析注入后及退火后As离子在碲镉汞材料中的浓度分布,使用透射电镜表征激活退火后离子注入损伤修复状态,通过半导体参数测试仪评价pn结的IV特性,将探测器芯片装在变温杜瓦中测试其不同温度下的焦平面技术指标。研究结果表明,As离子注入后在碲镉汞体内形成大量缺陷,经过富汞退火后缺陷得到修复,同时As离子进一步向内扩散,制备的pn结工作稳定表明As离子得到有效激活,制备的中波p-on-n探测器芯片在120 K温度下有效像元率可以达到99%以上。