导弹姿态控制系统中校正网络的改进

校正网络是导弹姿态控制系统中变换放大器的重要组成部分.根据某导弹改型前后校正网络传递函数的变化,分析了网络变化的原因,介绍了陷波器消除结构谐振的补偿原理,并给出了此类有源陷波器的设计方法.     

固定化酵母薯干原料酒精发酵中试研究

本文论述了固定化酵母薯干原料带渣酒精发酵的中试结果。中试生物反应器容积为１０００Ｌ，采用改性海藻酸钙凝胶为固定化酵母细胞的载体。中试研究中设计了较合理的中试工艺流程，优选出较佳的发酵条件，并考察了生物反应器的性能。试验获得了如下结果：中试装置已运转１９２天，固定化酵母仍保持高活力，并可继续运转；发酵成熟醪酒精含量达６．５～８．０％（ｖ），它比同期传统式酒精发酵高出０．３～０．４％；淀粉利用率达９１～９２％；固定化酵母生物反应器的乙醇生产能力为９．５ＫｇＥｔＯＨ／Ｍ￣３·ｈ，它可比传统式发酵罐的生产能力提高１０～１２倍。     

沼气发酵综合利用的现状与发展趋势

论述了我国沼气发酵综合利用技术的现状－沼气和沼气发酵残留物的各种利用途径及所取得的经济效益,分析讨论了沼气技术与农村可持续发展的关系,提出了“绿色－立体经济”模式。     

半导体热电堆串、并联发电性能及热电堆复现性研究

对半导体热电堆的复现性进行了实验研究。以此为基础进行了热电堆的串联,并联实验,得到了半导体热电堆串联并联的规律,并用有限差分法对热电堆的各项发电性能指标进行了数值计算,为热电发电技术做了有益的探索。     

端面起爆驱动圆柱壳体的分析

文中通过对基本的爆轰理论推导,并考虑稀疏波的影响,根据实际情况推导了端面起爆驱动圆柱壳体的破片速度分布,可以看出其速度值的最大分布区域与通常的观点有差异,并提出了三种爆轰场等场强作用的形成方法.该理论分析结果可为爆轰加载研究及战斗部工程设计提供有益的参考.     

钢板侵彻过载的三维数值模拟

利用LS—DYNA有限元程序，用弹塑性模型建立材料模型，对高速弹丸侵彻均质钢板问题进行了数值模拟，并与测试结果进行了比较，说明了有限元分析的有效性，为引信设计提供参考。     

高漏偏压下AlGaN/GaN HEMT噪声性能的研究

The advent of fully integrated GaN PA-LNA circuits makes it meaningful to investigate the noise performance under high drain bias. However, noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias has not received worldwide attention in theoretical studies due to its complicated mechanisms. The noise value is moderately higher and its rate of increase is fast with increasing high voltage. In this paper, several possible mechanisms are proposed to be responsible for it. Impact ionization under high electric field incurs great fluctuation of carrier density, which increases the drain diffusion noise. Besides, higher gate leakage current related shot noise and a more severe self-heating effect are also contributors to the noise increase at high bias. Analysis from macroscopic and microscopic perspectives can help us to design new device structures to improve noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias.     

基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性

利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容.电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.     

界面化学反应形成的纳米颗粒对有机交叉点存储器的影响

研究了有机交叉点存储器件中,有机物与电极界面化学反应形成的纳米颗粒对电学特征的影响.器件的阳极和阴极分别为氧化铟锡(ITO)导电玻璃和真空热蒸发沉积的～薄膜,有机半导体层为真空热蒸发沉积的2-amino-4,5-dicyanoimidazole(AlDcN)薄膜.通过透射电子显微镜(TEM)和X光电子能谱(XPS)测量,在AIDCN/ITO界面上发现SnOx纳米颗粒形成,并证明此纳米颗粒的形成是由于ITO中的高价氧化锡和AIDCN之间的固相反应,纳米颗粒中的Sn元素主要是从ITO表面的锡富集层中析出.研究证明了界面上纳米颗粒的形成是器件双稳态现象的关键,用这种方式制成的交叉点结构的三层有机存储器件其开关比达到107～1011.