高漏偏压下AlGaN/GaN HEMT噪声性能的研究

The advent of fully integrated GaN PA-LNA circuits makes it meaningful to investigate the noise performance under high drain bias. However, noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias has not received worldwide attention in theoretical studies due to its complicated mechanisms. The noise value is moderately higher and its rate of increase is fast with increasing high voltage. In this paper, several possible mechanisms are proposed to be responsible for it. Impact ionization under high electric field incurs great fluctuation of carrier density, which increases the drain diffusion noise. Besides, higher gate leakage current related shot noise and a more severe self-heating effect are also contributors to the noise increase at high bias. Analysis from macroscopic and microscopic perspectives can help us to design new device structures to improve noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias.     

基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性

利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容.电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.     

界面化学反应形成的纳米颗粒对有机交叉点存储器的影响

研究了有机交叉点存储器件中,有机物与电极界面化学反应形成的纳米颗粒对电学特征的影响.器件的阳极和阴极分别为氧化铟锡(ITO)导电玻璃和真空热蒸发沉积的～薄膜,有机半导体层为真空热蒸发沉积的2-amino-4,5-dicyanoimidazole(AlDcN)薄膜.通过透射电子显微镜(TEM)和X光电子能谱(XPS)测量,在AIDCN/ITO界面上发现SnOx纳米颗粒形成,并证明此纳米颗粒的形成是由于ITO中的高价氧化锡和AIDCN之间的固相反应,纳米颗粒中的Sn元素主要是从ITO表面的锡富集层中析出.研究证明了界面上纳米颗粒的形成是器件双稳态现象的关键,用这种方式制成的交叉点结构的三层有机存储器件其开关比达到107～1011.     

一种快速高精度脉冲输出DC/DC变换器的设计

设计了一种快速高精度脉冲输出DC/DC变换器。分析了电路工作原理,对电路各个子模块的功能及拓扑选择分别进行了阐述。该电路采用独特的两级稳压结构,消除了因脉冲输出特性导致的输出电压波动。测试结果表明,电路启动时间、关断时间及输出电压精度等参数均达到设计输出要求。     

掺Er HfO2薄膜材料的光致发光性质

用脉冲激光淀积(PLD)技术和离子注入的方法制备了掺Er氧化铪(HfO2)薄膜样品,观察到了样品中Er离子波长1535nm的室温和变温光致发光(PL)现象.分析了后期不同的退火温度对样品发光强度的影响,发现当退火温度选取800℃时可最大程度减少材料中的晶格损伤和缺陷等非辐射衰减中心,同时光激活Er离子,从而实现最大强度的光致发光.通过对样品光致发光激发(PLE)的测量分析发现,在Er离子的发光过程中除了直接吸收的过程之外还存在着间接激发的过程.HfO2将会成为Er掺杂的一种很好的基质材料.     

像全息的水下应用

基于开发海洋事业的需要，对如何拍摄好水中物体的全息图进行了详细的理论分析，并利用像全息的方法成功拍摄到了一系列富有工艺美感的水下物体的全息图。针对拍摄的全息图进行了细致的定性、定量分析，最后对仪器开发和应用前景作了初步的探讨。     

高速移动环境下TD-SCDMA系统组网方案研究

本文针对TD-SCDMA网络高速移动环境下的组网问题,分析了高速移动对系统性能可能产生的各类影响,包括多普勒频移对解调性能影响、智能天线赋形、功率控制和同步、网络切换、重选及车体穿透损耗的影响;结合频偏校正算法,给出了满足覆盖质量和切换要求的基站布局原则,并对专网和大网两种组网方式进行了分析比较。     

激光相干偏振光束合成技术的研究进展

激光相干偏振光束合成是近几年光束合成领域的热点。综述了国内外关于相干偏振光束合成的研究方案,对几种典型的方案进行了分析和评价。研究表明,基于主振荡功率放大(MOPA)结构的相干偏振光束合成方案有同时获得大功率、高光束质量的可行性,并且易于扩展。     

校园CPU卡密钥管理系统的设计与实现

文章研究了密钥管理系统在校园一卡通系统中的应用模式。首先以CPU卡技术和密码算法技术为基础,提出了一卡通系统的密钥管理系统的解决方案;然后针对系统的实现,描述了密钥分散的设计和实现过程;最后对系统中使用的算法进行了描述。密钥管理系统保证了高强度的校园一卡通系统的安全性。