数字化正弦平方脉冲信号

依据正弦平方脉冲的数学方程及其频谱分布，分别导出了与理想和标称视频带宽相对应的正弦平方脉冲的数学表达式及其编程生成方法。实验表明，此法不仅精确，而且便于修改参数，并可直接读人数字电视系统，来测定视频线性响应。     

大牛地气田气井无阻流量的确定方法研究

大牛地气田气井试井大多采用一点法，由于气层渗透性差，测试时间短，流压很难达到稳定，计算的无阻流量往往偏高，且无法获得正确的产能方程。通过气田多口井修正等时试井数据进行统计分析，获得了一点法试井在不同生产时间下计算无阻流量的经验公式；利用气田修正等时试井的二项式方程系数曰，计算惯性阻力系数并经过曲线回归处理获得了经验关系式，很好地解决了一点法试井计算产能方程的问题。     

基于积分原理的低功耗超声波流量检测方法

文章通过对时差式超声波流量检测方法的分析，提出了基于过零检测技术及积分法的信号处理方法，避免了繁琐的信号处理，降低了整机功耗。结合工作时序的设计，提出了实现低功耗超声波液体流量检测的措施。     

我国建筑石油沥青标准的沿革及现状

论述了我国建筑沥青标准的变化历程及现状,对我国建筑沥青的生产、产品质量情况及现行国家标准GB/T 494-1998《建筑石油沥青》的不足之处进行了分析。提出了今后应生产的建筑沥青品种及应参照美国材料与试验协会标准ASTM D312《屋顶用沥青的标准规格》、我国石化行业标准SH/T0002-1990(1998)《防水防潮石油沥青》,修订GB/T494- 1998的建议。以进一步达到增加建筑沥青牌号,提高建筑沥青质量和使用性能的目的,满足建筑工业的发展对沥青多牌号、高质量、使用性能好的要求。     

灰色预测模型在油气操作成本预测中的应用

油气操作成本是油气田生产消耗的主要项目，为了有效地控制油气操作成本，必须制定准确的油气操作成本计划。而油气操作成本在我国是最近几年才提出来的，数据项比较少，给油气操作成本预测带来一定的难度。为此，文章根据灰色预测的基本原理，采用灰色系统理论进行油气操作成本预测，就可以弥补对预测所需的数据少，而且也无须剔除不可比因素，只要所建模型能满足精度要求，预测结果就可以信赖。     

燃气管网动态仿真的研究及应用

研究和了解燃气在管道中的流动，是进行燃气管网系统优化和提高管网输运系统安全性的前提和基础。以流体力学三大守恒方程为基础，建立了等温和非等温条件下的燃气管网稳态和动态仿真理论模型。以有限差分法为基础，得到了上述模型的求解方法，并加入了耗散项，提高了求解方法的稳定性。通过增加初始点和延长出口点的方法，简化了模型的求解。通过在北京六环天然气管网中的初步应用，分别得到了与实际值综合相对误差为1.21％和2.62％的压力和流量仿真值，从而验证了模型及求解方法的可靠性。     

五种恒虚警方法性能分析

比较了五种恒虚警方法在各种杂波背景下的检测性能,得出CMLD-CFAR是工程上可以实现且检测性能比较好的一种恒虚警处理方法.     

Access Grid协作系统研究综述

访问网格（AG）是网络、计算能力和交互资源的整体。目前，第一代AG已经发展并形成有史以来最大的群体协作试验床。但随着网络技术的进步，用户对AG提出了更高的要求，而且需要普及。为此，Rick Stevens和Futures实验小组充分考虑Web和P2P设计了下一代AG2结构，并重点对虚拟场所服务、安全性、工作空间对接、节点管理、异步协作进行了研究。AG将向使用了几十年的桌面应用模式提出挑战。     

一维长序DFT的协处理阵列结构设计与实现

文章针对一维长序DFT计算问题，分析其计算结构以及算法的并行性，提出一种阵列协处理结构．并分析这种协处理机结构上DFT计算的组织及具体实施算法步骤和方法，并对这种协处理阵列结构上运行的DFT进行复杂性分析。这对计算DFT专用集成协处理结构芯片开发，提高专用嵌套系统性能非常实用。     

A high-performance multichannel dual-gate poly-Si TFT fabricated by excimer laser irradiation on a floating a-Si thin film

A new excimer laser annealing (ELA) process that uses a floating amorphous-Silicon (a-Si) thin film with a multichannel structure is proposed for high-performance poly-Si thin-film transistors (TFTs). The proposed ELA method produces two-dimensional (2-D) grain growth, which can result in a high-quality grain structure. The dual-gate structure was employed to eliminate the grain boundaries perpendicular to the current flow in the channel. A multichannel structure was adapted in order to arrange the grain boundary to be parallel to the current flow. The proposed poly-Si TFT exhibits high-performance electrical characteristics, which are a high mobility of 504 cm/sup 2//Vsec and a low subthreshold slope of 0.337 V/dec.