移动式宽频带高产额中子发生器

多用途中子发生器有着广阔的市场和应用领域 ,文章对移动式宽频带高产额中子发生器 ,在设计制造过程中所涉及到的技术难点 :绝缘尺寸小、频率适应范围宽、为中子管提供靶压的高压负载特性好等作了技术分析 ,使多用途中子发生器在更广阔的范围内应用 ,提供了广阔前景。     

无机高分子絮凝剂聚硫酸铁合成条件的研究

实验研究了以工业硫酸亚铁及废硫酸为原料,分别采用NaClo_3、KClO_3、H_2O_2及(o_2+NaNO_2)为氧化剂成聚硫酸铁的条件。在以(O_2+NaNO_2)为氧化剂的合成过程中,发现添加微量助催化剂(型号为HG-1、HG-2和HG-3),对提高合成速度及反应过程的稳定性具有重大作用。     

Extended application of the complex source-point theory

In this paper, the complex source-point theory used for a symmetric concave spherical resonator is extended to an asymmetric concave spherical resonator. Thus, the formulae for the field distribution of the asymmetric spherical resonator can be easily deduced from the formulae for the field distribution of the symmetric resonator, thereby the application range of the complex source-point theory is enlarged and a convenient method is provided for the field analysis of an arbitrary spherical resonator.     

NaY晶化母液制备硅铝胶的技术探讨

在导向剂法合成Y型分子筛的工艺下，晶化母液中SiO₂的含量为50～55g/l,Na₂O含量为20～25g/l，相当于模数为1.65～2.58的稀水玻璃，将晶化母液分离处理后，在晶化母液中加入一定量的硫酸铝溶液使硅沉淀,经过滤和水洗后即可制备出合格的硅铝胶，以便进行重新利用。     

有限区间信号边界效应问题的研究

研究了截断信号边界的“吉布斯”现象及数字滤波器相位特性对有限区间信号滤波处理的影响，在阐明了有限区间信号处理中边界效应物理本质的基础上，探讨了数字信号处理中通常所采用的边界处理方法的有效性问题，提出了一种命名为端值延拓法的新的边界处理方法，通过比较分析和实例验证表明这种方法的优越性，文中以零相位数字滤波及运用MALLAT算法对有限区间信号进行小波分解与重构为实例，介绍了其边界效应问题及解决方案，取得了很好的效果。     

柳沟庄—窟窿山油藏储集层裂缝类型及特征

根据岩心描述、薄片观察、X－CT扫描以及钻井、测井等资料，研究了酒西盆地青西坳陷柳沟庄－窟窿山油藏裂缝性储集层的类型及特征，分析了控制裂缝发育的地质因素及裂缝对油气的控制作用，认为储集层裂缝有3种基本类型，即构造裂缝、构造熔蚀缝和饼状破裂，主要受构造应力场及构造位置等因素的控制。根据裂缝形态、充填特征及其相互关系，裂缝的形成主要有3个期次，其中喜马拉雅运动晚期形成的第三期理解缝对油气运移和聚集最有效。研究结果表明，裂缝是柳沟庄－窟窿山油藏主要的储集空间和控制油气富集的因素。     

7-羟基全氢化噁唑并噁嗪鞣剂的合成及其鞣性研究

报导了新型鞣剂 7-羟基全氢化唑并嗪 (以下简称 OX- Z)的合成方法。试验确定合成的最佳条件为 :在氮气保护下 ,将等摩尔量的二乙醇胺在 10℃水浴中缓慢滴入乙二醛中 ,滴加时间 0 .5 h,在 2 0℃水浴中继续反应 1.5 h,产率为 6 2 .9%。 OX- Z对浸酸绵羊皮单独鞣制 ,可使收缩温度升高到 87℃。最佳鞣制条件为 :p H10 .0 ,OX- Z用量 5 % ,鞣制时间 8h。在对 OX- Z与皮胶原的结合类型的研究中证明它们之间是以化学键结合的。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

一种高效的硬布线控制CPU的设计方法

文章提出了一种硬布线逻辑CPU的设计流程，即以CPU设计工具软件LDF为核心的设计方法，其主要目的的提高硬布线逻辑CPU的设计效率。定义了一种用于描述硬布线控制逻辑的语言-MCDL，对总线优化问题进行了研究，并且给出了解决总线优化问题的近似算法。     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。