同轴电缆芯线电容测量方法研究

同轴电缆或高速数字通讯电缆芯线电容,是影响电缆性能的重要参数.在完成屯缆编织工艺前,准确测量芯线的电容,及时控制电缆单位长度的电容,使电缆具有均匀传输阻抗,是保证电缆质量的重要措施.文章从芯线测量原理、电容测量装置设计、测量仪器选择、测量步骤、影响测量的误差来源分析等方面对测量方法进行阐述.     

解码前传半双工中继信道下协作LDPC码设计

为逼近解码前传半双工中继信道容量,该文提出一种协作LDPC编码结构及度分布优化方法。与双层删除LDPC码不同,该结构将中继校验比特视为协作LDPC码的一部分,目的端利用从信源和中继接收的消息进行联合译码获得信源信息。为了分析协作LDPC码性能,拓展传统外信息转移(EXIT)图,推导了基于消息错误概率的双层EXIT图噪声门限分析方法。在此基础上,提出了协作LDPC码度分布优化方法,采用差分进化算法搜索了一组具有最大噪声门限的协作LDPC码。实验仿真证明,与双层删除LDPC码相比,协作LDPC码的性能得到了不同程度的改善。     

红外光学薄膜监控系统初始化参数自检算法设计

本文对红外光学薄膜监控系统研究中的初始化参数,包括输入膜系、监控方式、监控波长、材料系数、比较片选项、控制速率和进程膜系以对话框的形式给出,用户在输入参数时程序对用户的输入进行自动监视,确保用户能正确地输入各个参数,使光学薄膜的自动监控提供安全机制,本文还给出了上述自动监视的相应算法。     

HgCdTe分子束外延In掺杂研究

报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 .     

分子束外延HgCdTe表面缺陷研究

采用GaAs作为衬底研究了HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,借助SEM分析了不同缺陷的成核机制,确定了获得良好表面所需的最佳生长条件。发现HgCdTe外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关,获得的外延层表面缺陷（尺寸大于2μm）平均密度为300cm^-2,筛选合格率为65％。     

分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究

报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对ＨｇＣｄＴｅ生长关键参数实时监测的结果，建立了ＨｇＣｄＴｅ材料在生长温度下的标准光学常数数据库，在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析，为生长温度的实时精确控制提供了理论依据，并在实验上获得了小于±１℃的生长温度控制精度．     

GaN材料系列的研究进展

ＧａＮ及其合金作为第三代半导体材料具有一系列优异的物理和化学性质，在光电子器件，高温大功率电子器件及高频微波器件应用方面具有广阔的前景，已成为当前高科技领域的研究重点，论述了这种材料的研究历史与发展现状，物理与化学性质，薄膜的生长方法及在光学电子和微电子器件应用于方面的研究进展。     

7．5GHz可调谐主动锁模光纤环形激光器

成功地研制了１～７．５ＧＨｚ高重复频率光纤主动锁模环形激光器，得到了变换极限光脉冲，频率调谐范围～４０ｕｍ，器件最高重复率达７．５ＧＨｚ。     

大型复杂高精度波导钎焊设备的研制：简介ZHS—132型真空钎焊炉

应军事电子装备，特别是军用雷达预研和生产的急需，电子工业部第二研究所近期研制的成功大型、复杂、高精度波导钎焊设备ＺＨＳ－１３２型真空钎焊炉。文中主要介绍了该设备的开发背景和对波导钎焊工艺的影响，该设备的设计构思、结构和技术特征，使用功能和效果，以及推广应用前景。     

LD泵浦微型YAG激光器的单模连续运转

本文报道了793nmLD泵浦YAG激光器TEM_(00)模的连续运转,描述了实验系统,给出了实验结果,讨论了模式匹配、光谱匹配、阈值功率和斜率效率等问题。