利用CAN总线和组态软件构建计算机监控系统

提出了基于CAN总线和组态软件的机务段检修设备的监控系统的总体方案。在方案中,将工业控制计算机同时置入了TCP/IP协议的高端管理层网络和CAN总线协议的监控网络层中,实现了对机务设备的高精度监控。     

地面情报雷达环境试验应遵循的基本原则

在分析地面情报雷达结构、使用特点和总结大量工程实践经验的基础上,依据可靠性工程、数理统计等理论,提出了地面情报雷达环境试验应遵循的基本原则及其应用范围,同时分析并阐述了环境试验与可靠性试验的关系。     

Inverted Staggered Poly-Si Thin-Film Transistor With Planarized SOG Gate Insulator

In this letter, we have studied the inverted staggered thin-film transistor (TFT) using a spin-on-glass (SOG) gate insulator and a low-temperature polycrystalline silicon (poly-Si) by Ni-mediated crystallization of amorphous silicon. The p-channel poly-Si TFT exhibited a field-effect mobility of 48.2 cm²/V ldr s, a threshold voltage of -4.2 V, a gate-voltage swing of 1.2 V/dec, and a minimum off-current of < 4 times 10^-13A/ mum at V_ds = -0.1 V. Therefore, the gate planarization technology by SOG can be applicable to low-cost large-area poly-Si active-matrix displays.     

脉冲TEA CO_2激光器温度特性的理论分析

利用六温度模型速率方程计算了当激光工作气体温度从-30℃~ 60℃变化时TEACO2激光器输出脉冲能量的变化规律。结果表明,激光器输出脉冲能量随着工作温度的升高而近似线性下降;线性下降的快慢和激光工作气体组成、气压、输出耦合镜反射率、注入能量、工作气体组成等均有关系;工作气体气压越高、输出耦合镜反射率越大或注入能量越高,激光输出脉冲能量随温度升高而下降的速度越快。     

Ultralow-k silicon containing fluorocarbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Low dielectric constant materials as interlayer dielectrics (ILDs) offer a way to reduce the RC time delay in high-performance ultra-large-scale integration (ULSI) circuits. Fluorocarbon films containing silicon have been developed for interlayer applications below 50-nm linewidth technology. The preparation of the films was carried out by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using gas precursors of tetrafluorocarbon as the source of active species and disilane (5 vol.% in helium) as a reducing agent to control the ratio of F/C in the films. The basic properties of the low dielectric constant (low-k) interlayer dielectric films are studied as a function of the fabrication process parameters. The electrical, mechanical, chemical, and thermal properties were evaluated including dielectric constant, surface planarity, hardness, residual stress, chemical bond structure, and shrinkage upon heat treatments. The deposition process conditions were optimized for film thermal stability while maintaining a relative dielectric value as low as 2.0. The average breakdown field strength was 4.74 MV/cm. The optical energy gap was in the range 2.2–2.4 eV. The hardness and residual stress in the optimized processed SiCF films were, respectively, measured to be in the range 1.4–1.78 GPa and in the range 11.6–23.2 MPa of compressive stress.     

基于3G通信的软件无线电应用研究

软件无线电是第3代移动通信新技术的一个重要研究方向,它把硬件作为无线通信基本平台,主要依靠软件来完成接收系统的各项功能。为3G通信体制提供了一个开放的、模块化的系统结构。同时介绍了DSP技术和应用方案。     

MBE自组装量子点生长和结构形态研究

综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究。介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形态的实验观察。鉴于InAs/GaAs(001)体系的复杂性,把对InAs量子点的观察和研究分为"微观"和"宏观"两种。微观研究对象包括量子点原子尺度上的结构、量子点表面小晶面的晶体学的精确取向等,这些性质可能受热运动的影响比较大,在一定程度上是随机的,它们代表了量子点生长行为的复杂性;宏观研究的对象是指量子点密度、纳米尺度形态等大量粒子统计意义上的集体行为,这些性质和行为可能更具有实际意义。因此作者认为,目前研究量子点生长和形态更为有效的方法应该是探寻以量子点宏观行为所表征的简单性。重点介绍中科院半导体所半导体材料重点实验室最近所做的对InAs/GaAs(001)量子点生长过程的实验观察。结果表明,在一般生长条件下(富As,500℃,0.1ML/s),InAs量子点成核和生长应该都是连续的,没有经历被普遍认为的不连续(一级)相变。按照作者的观察,把InAs量子点成核看作是连续(二级)相变更为贴切。     

基于自身可信度的低复杂度LDPC码位翻转解码算法

提出一种基于位翻转的低复杂度、便于硬件实现的LDPC码解码算法.该算法充分利用变量节点的本征信息来计算翻转判决函数,减少了对其它变量节点软信息的需求,因此大大降低了解码硬件实现的复杂度,同时保证翻转判决函数具有较高的可靠性.利用该算法,对RS-based LDPC码进行的仿真结果表明,改进算法的解码性能接近甚至略优于IMWBF算法.     

基于偏置模式的热电偶用V-PWM转换器设计及应用

提出了一种基于偏置模式的热电偶用V—PWM转换器的设计方法和应用电路。这种方式的转换器,可同时完成对微弱电压的积分方式放大及脉宽调制,且具有抗干扰性能优越、放大倍数高、转换精度高、线路简单等特点。特别适用于输出电压很微弱的热电偶温度传感器;结合AT89C2051单片机,可设计出性能稳定、电路简单、成本低且可检测0～1000℃的宽范围温度控制器。     

无接触智慧云测温系统

由于海外愈加严重的疫情形势以及传播能力更强的新冠病毒变异毒株,我国的复工复产复学面临着严峻的考验.在新冠病毒的常态化防控中,体温测量是最简单而且最有效途径.然而传统的水银体温计测量需要耗费过长的时间且因接触需要反复消毒,体温枪又无法对测量的体温数据进行记录保存.本系统以STC8A8K64S4A12单片机为核心,MLX9...