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The cover image is based on the Research Article Observer‐Based Cooperative Distributed Fault‐tolerant Model Predictive Control with Imperfect Network Communication and Asynchronous Measurements by Guannan Xiao and Fei Liu, https://doi.org/10.1002/rnc.4994 .

     

马钢张庄矿高压辊磨机装配工艺研究

针对马钢张庄矿高压辊磨机辊套疲劳断裂严重、对辊精度不能满足生产要求等问题，马钢重机公司根据张庄矿实际生产要求对对辊进行国产化，国产化内容包括辊轴、辊套等零部件的新制以及装配工艺攻关，通过技术研发同时结合实际生产经验，成功对高压辊磨机辊套与辊轴以及辊轴与轴承进行装配，完成了张庄矿高压辊磨机整对对辊的国产化，为该型设备后续生产及优化提供了理论和实践参考依据。     

双河油田注入水适应性及注水井酸化解堵研究

考察了双河油田双河联、江河联注入水堵塞地层的因素;膨胀性黏土，悬浮固体颗粒。细菌及悬浮污油。含膨胀性黏土的双河南、双河北及不含膨胀性黏土的双江岩心粉，在注入水中相对于地层水中的体积膨胀度分别为14．5％、11．1％及0．02％；注入100PV不含悬浮颗粒的等体积比地层水、注入水混合水使双河、双江岩心渗透率分别下降7％和4％、9％和7％。注入水中悬浮颗粒引起岩心渗透率下降，粒径越大、颗粒浓度越大、注入量越大，则渗透率越低。在粒径2．1μm或颗粒浓度3mg／L前后下降幅度变化较大。注入水中硫酸盐还原菌引起岩心渗透率下降，含菌量越大则渗透率开始下降时的注水量越小，注入含菌50个／L的水100PV使岩心渗透率下降7％。岩心对注水合油量敏感，注入含油量20mg／L的水50PV使岩心渗透率下降20％。在岩心注水实验中渗透率下降最严重的是双河南岩心，其次是双河北岩心．江河岩心较轻，注入精细过滤水的双河北岩心渗透率下降大大减少．说明悬浮固体是造成注水堵塞的主要因素。为了解除双河油田注水井的堵塞，研制了含黏土稳定剂、缓蚀剂、铁离子稳定剂、互溶剂的土酸液，与南阳油田使用的低伤害酸液一起，用于1口注水井的解堵，效果良好。图7表4参5。     

对等网络中的信息安全

近年来，对等网络得到迅速发展，其广泛应用促进了信息技术的发展，也带来了一系列的安全问题。介绍了对等网络中若干安全问题，并针对这些问题，分析并给出了相应的安全保障策略，最后对P2P中的信息安全问题的未来做了展望。     

USB数据传输中CRC校验码的并行算法实现

文章介绍了用于USB总线数据传输的CRC校验的原理和算法，并且采用并行电路实现USB2．0中的CRC产生和CRC校验，与传统的串行电路实现相比，并行电路实现方法虽然在芯片面积上大于串行电路实现，但由于降低了时钟频率，电路更容易综合实现，并且大大降低了功耗，有利于低功耗电路设计。     

重复压裂裂缝转向时油藏数值模拟研究

裂缝转向的实现及选井、选层、优化设计等的数值模拟和机理是转向重复压裂需进一步研究解决的问题,为此,采用黑油模型,研究了在反九点注采井网中,不同储集层渗透率下,转向重复压裂的裂缝穿透率和导流能力等对采油动态的影响。研究表明,不论是渗透率高的地层还是渗透率低的地层,不利裂缝方位的边井最适合实施转向重复压裂且需要比常规重复压裂更大的缝长,而有利裂缝方位的边井和角井只需要与常规重复压裂相当的缝长;同时,转向重复压裂需要比常规重复压裂更高的裂缝导流能力。     

贴片机脱机编程的快捷方法

SMT生产线中的大多数加工设备均为数控设备。它们编程所需要的大多数特征数据均可从CAD设计系统中得到。文章介绍了如何从CAD设计系统中导出X、Y坐标数据,并转换成贴片数据的方法和思路,以期引起更多的同行加入到这方面的研究中。     

贴片设备的选择

随着电子工业的飞速发展,贴片设备已被广泛应用于大规模电子组装生产上。文章就贴片机选型时应注意的几个关键技术问题作简单介绍,希望对企业选择贴装设备有一定的帮助。     

IGCT 综合型电荷控制 模型的建立和仿真

以电荷控制方程而建立的IGCT综合型电荷控制模型，经关键性的关断电流和关断电压进行了仿真分析，所得结果与实际结果吻合。因此该模型是有效的，可用于IGCT的开关特性分析和集成门极电路设计。     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。